Контрольная работа №2 Задание №1

Ответить на вопрос своего варианта.

1. Начертите вольтамперную характеристику диода и поясните его работу в режимах пространственного заряда и насыщения.

2. Опишите процессы, происходящие в запирающем слое (p-n-переходе) по-лупроводниковых диодов при приложении к ним прямого и обратного на-пряжений. Чем объясняется наличие обратного тока в полупроводниковых диодах.

3. Опишите атомное строение вещества и состояние электронов в нем. Дайте определение работы выхода электрона.

4. Устройство, принцип действия и свойства фотосопротивлений. Приведите сравнительную характеристику фотосопротивлений и вакуумных фотоэле-ментов. Применение фотосопротивлений и их маркировка.

5. Устройство и принцип действия электронно-лучевых трубок с электричес-кой и магнитной системами управления. Практическое использование электронно-лучевых трубок. Расшифруйте смысл каждого элемента обозна-чения следующих электронно-лучевых трубок: 5ЛО38И, 8ЛО29, 23ЛО51А, 18ЛМ15В, 6ЛК1А, 35ЛК2Б.

6. Дайте определение и характеристику различных видов электронной эмиссии. Перечислите приборы, в которых используются эти виды электронной эмиссии.

7. Устройство, условное обозначение и принцип действия полевого транзис-тора, их практическое применение. Расшифруйте смысл каждого элемента в обозначении: КП302, КП903, 2ПС202 А-2, КПС202В-1.

8. Устройство и принцип действия полупроводникового диода. Приведите какую либо схему электронного устройства с применением полупроводни-ковых диодов и поясните ее раб

9. Начертите схему тринистора, условное обозначение. Поясните принцип действия тринистора, пользуясь его ВАХ.

10. Опишите работу трехфазного двухтактного выпрямителя Ларионова и начертите графики выпрямленного напряжения и тока. Преимущества этого выпрямителя перед другими схемами выпрямления.

11. Начертите схему устройства многослойной структуры симмистора, условное обозначение. Поясните принцип действия, пользуясь ВАХ.

12. Нарисуйте структурные схемы и условные обозначения транзисторов p-n-p

и n-p-n . Объясните их устройство и принцип работы.

13. Назначение выпрямительных устройств, область их применения. Какие выпрямительные элементы – вентили – применяются

14. Нарисуйте схему устройства и условное обозначение кремниевого стабилизатора напряжения – стабилитрона. Опишите принцип действия, область практического применения и систему маркировки различных типов крмниевых стабилитронов.

15. Нарисуйте схему однофазного двухполупериодного выпрямителя со средней точкой. Опишите работу схемы с указанием на чертеже путей прохождения тока Напишите соотношение для подведенного и выпрямленного напряжений.

16. Начертить схему простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе. Объясните принцип действия каскада и назначение элементов схемы.

17. Приведите примеры практического использования диодов. Начертите схему двухполупериодного выпрямителя со сглаживающим фильтром.

18. Начертите схему устройства полевого транзистора с « p “ типа каналом. При каких условиях возникает ток стока I_c .

19. Начертите схему устройства МДП транзистора. Опишите его области и принцип действия.

20. Опишите устройство и принцип действия электронно-лучевой трубки с электростатическим управлением. Объясните, как осуществляется горизон-тальная развертка луча в этой трубке.

21. Опишите процесс прохождения тока в полупроводниках. Как влияет наличие примесей в полупроводнике на возникновение электронной (n) и дырочной (p) проводимостей? Опишите процесс образования запирающего слоя в электронно-дырочном переходе.

22. Начертите схему включения транзистора с ОЭ. Опишите его параметры, характеристики (статические и динамические) практическое применение.

23. Начертите схему включения транзистора с ОБ. Опишите его параметры, характеристики и применение.

24. Начертите схему устройства и условное обозначение полупроводникового диода. Начертите и поясните его вольт-амперную характеристику.

25. Опишите, как определяются параметры электронного диода по его вольт-амперной характеристике. Нарисуйте схему для снятия вольт-амперной (анодной) характеристики диода.

26.Опишите, как определяются параметры триода по семейств анодно-сеточных характеристик. Нарисуйте схему для снятия характеристик триода и опишите порядок работы для снятия анодно-сеточных характеристик.

27.Опишите, как определяются параметры триода по семейству анодных характеристик.

28.Нарисуйте схему и опишите устройство и принцип действия фотосопротивлений. Начертите и поясните световые характеристики фотосопротивлений. Применение фотосопротивлений, их преимущества и недостатки по сравнению с фотоэлементами внешнего фотоэффекта. Маркировка фотосопротивлений.

29.Нарисуйте три схемы включения p-n-pтранзистора: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Поясните особенности этих схем и область их применения.

30.Что такое семейство входных и выходных характеристик транзистора? Нарисуйте входные и выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, и поясните их.

31.Нарисуйте три схемы включения n-p-nтранзистора: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Какая из этих схем включения транзистора является наиболее распространенной и почему?

32.Классификация приборов электроники по принципу действия, их сравнительная характеристика.

33.Опишите назначение фотоэлектронных реле и область их применения. Начертите схему фотореле с применением фотосопротивления и поясните ее работу.

34.Опишите преимущества и недостатки полупроводниковых приборов по сравнению с электровакуумными. Приведите примеры использования

полу проводниковых приборов в современной технике.

35.Опишите устройство и принцип действия точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Начертите и поясните вольт-амперную характеристику плоскостного диода. Основные параметры полупроводникового диода и их физическая сущность. Как маркируются полупроводниковые диоды?

36.Начертите схему усилительного каскада на биполярном транзисторе с базовым смещением. Объясните назначение входящих в схему элементов и укажите, как подбирается величина емкости конденсатора в цепи смещения.

37.Начертить стоковую характеристику полевого транзистора и пояснить, как происходит усиление напряжения.

38.Объяснить назначение всех трех областей полевого транзистора.

39.Пояснить, как зависит коэффициент усиления от введения в схему усилителя переменного напряжения цепей обратной связи ПОС иООС.

40.Объяснить принцип усиления напряжения в однотактном УПТ с непосредственной связью.

41.Объяснить принцип усиления в УПТ с преобразованием сигнала.

42.Объяснить работу двухтактного бестрансформаторного усилителя на дискретных элементах и практическое применение.

43.Каким образом и для чего в схеме усилителя переменного напряжения звуковой частоты создается напряжение смещения V_см . Выполнить схему.

44.Объяснить применение усилителей низкой частоты в схемах промышленной электроники.

45.Объяснить различие между электронно-лучевой трубкой с электростатическим и магнитным отклонением луча.

46.Написать формулу коэффициента усиления и объяснить, как его определить для данной схемы.

47.Объяснить отличия в работе усилителя на биполярном транзисторе от аналогичного усилителя, собранного на электронной лампе-триоде.

48.Начертить выходные характеристики транзистора и пояснить, как происходит усиление мощности в режиме класса А.

49.Объяснить отличия трансформаторного усилителя от усилителя на сопротивлениях.

50.Объяснить, какие электрические устройства могут быть включены на выходе усилителя как сопротивление нагрузки R_а.Й