2.2 Используемые приборы и элементы:

 

– центральный процессор РU–2000;

– печатная плата ЕВ–111;

– цифровой универсальный прибор.

 

2.3 Рабочее задание

 

2.3.1 Снять семейство статических входных характеристик транзистора для схемы с ОЭ  I_Б=f(U_БЭ)_Uкэ.

2.3.2 Снять семейство статических выходных характеристик транзистора для схемы с ОЭ  I_К=f(U_КЭ)_Iб.

2.3.3 Снять семейство статических характеристик прямой передачи по току транзистора с ОЭ I_К=f(I_Б)_Uкэ.

2.3.4 Определить на выходных характеристиках области: насыщения, отсечки и активного режимов работы транзистора.

  

2.4 Методические указания к выполнению работы

 

2.4.1 К п. 2.4.1 Собрать схему исследования характеристик по рисунку 5

 

Рисунок 5

Входные характеристики снимаются для постоянных значений коллекторного напряжения U_К1 = 0 и U_К2 = 5В. Выставить на PS–1 U_К1 = 0. Изменяя U_БЭ с помощью R₁, которое измеряется вольтметром V₁, снять значения токов I_Б  по амперметру А₁. Амперметр А₂ закоротить. Повторить измерения для U_К2= 5В. Результаты измерений записать в таблицу 5 и построить обе характеристики на одном графике.

 

Т а б л и ц а 5

 

UБЭ,В

IБ, mA

UКЭ=0

UКЭ=5В

 

2.4.2 К пункту 2.4.2 Вольтметр V₁ отсоединить. Выходные характеристики снять для следующих фиксированных значений базового тока I_Б=0; 50мкА; 75мкА; 100мкА, которые измеряются  амперметром А₁. Результаты измерений записать в таблицу 6 и построить графики.

 

Т а б л и ц а 6

 

UКЭ, B
IК	при IБ=0
	при IБ=50мкА
	при IБ=75мкА
	при IБ=100мкА

2.4.3 К п. 2.4.3 Для снятия характеристик прямой передачи тока транзистора в схеме отключить вольтметр V₁, на вольтметре V₂ с помощью PS–1 установить U_КЭ = 0В. Изменяя с помощью R₁ ток базы I_Б, измеренный амперметром А₁, снять показания амперметра А₂ – тока коллектора I_K. Повторить измерения для U_КЭ = 5В. Результаты измерений записать в таблицу 7 и построить графики.

 

Т а б л и ц а 7

 

IБ
IК	При UКЭ=0В
	При UКЭ=5В