Ограничитель на транзисторе.

При перегрузке усилителя так же возникает ограничение сигнала. Схема вырабатывает практически прямоугольные импульсы напряжения. Транзистор не имеет напряжения смещения, поэтому при отсутствии входного напряжения он закрыт. В течение положительного полупериода VT открыт (переход БЭ смещен в прямом направлении). При достаточной величине входного напряжения VT входит в насыщение. При этом выходное напряжение равно 0. В течение отрицательного полупериода VT закрыт, и выходное напряжение равно напряжению питания. Выходной сигнал представляет собой прямоугольный импульс, поэтому схема называется формирователем прямоугольных импульсов.

Так же очень распространенной схемой формирования и ограничения импульсов является триггер Шмитта.

Схемы фиксации уровня добавляют к сигналу переменного тока постоянную составляющую, не изменяя при этом формы входного сигнала. Ее называют схемой восстановления постоянной составляющей (ВПС).

Транзисторные ключи (тк).

Все транзисторные ключи, построенные на биполярных или полевых транзисторах, делятся на насыщенные и ненасыщенные, а также МДП ключи и ключи на полевых транзисторах с управляемым PN переходом. Все ключи могут работать в двух режимах: статическом и динамическом.

ТК предназначен для коммутации цепей нагрузки под воздействием внешних управляющих сигналов. Любой ТК выполняет функции быстродействующего ключа и имеет два главных состояния: разомкнутое, ему соответствует режим отсечки (транзистор закрыт), и замкнутое, характеризуемое режимом насыщения.

В течение всего процесса переключения ТК работает в активном режиме.

Быстродействие ключа определяется крутизной фронта и среза выходного напряжения. Эти параметры зависят от инерционности диффузного движения неосновных носителей, и времени рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе ВЧ VT, в какой-то мере решают этот вопрос. Однако радикальным решением является применение форсирующих конденсаторов в цепи базы и применение ненасыщенных ключей, ток базы которых меньше, чем у насыщенных.

При применении форсирующего конденсатора ток базы в момент включения максимален так как сопротивление конденсатора равно 0. Повышенный ток ускоряет процесс отпирания ключа. По мере заряда конденсатора его сопротивление увеличивается и ток базы принимает номинальное значение.

При выключении ключа ток базы больше, чем при отсутствии конденсатора так как на нем накопилось напряжение. Это уменьшает время рассасывания носителей.

При применении ненасыщенных ключей транзистор пропускает меньший ток, но быстродействие его выше.

При применении этого способа большую роль играют диоды Шоттки, которые соединяют цепь базы с коллектором. Диод Шоттки имеет напряжение отпирания ниже, чем напряжение насыщения коллекторного перехода на 0,2В поэтому он открывается до наступления насыщения и часть тока базы проходит в коллекторный переход уменьшая накопление неосновных носителей в базе.