- •Требования, предъявляемые к полупроводниковым материалам:
- •Состав – структура – свойства современных материалов для термоэлементов.
- •Области применения термоэлементов в современной технике.
- •Оксидные материалы как сенсоры для газового анализа.
- •2. Требования, предъявляемые к материалам:(рассмотреть на примере SnO2, требования к структуре поверхности, типу проводимости и повышения селективности, как датчика для анализа на содержание со).
- •Модифицирование
- •Быстродействие
- •Чувствительность сенсорного устройства
- •Влияние температуры на чувствительность сенсора
- •Влияние размера кристаллитов на чувствительность сенсора
- •Основные положения внешнего фотоэффекта.
- •Требования, предъявляемые к материалам для фотокатодов электронных ламп.
- •Основные материалы для фотокатодов.
- •Фотокатоды для видимой области спектра.
- •Фотокатоды для ультрафиолетовой области спектра.
- •Фотокатоды для инфракрасной области счетчика.
- •Люминофоры
- •Фотосопротивления
- •Получение p-n-переходов
- •Фотоэлектрические явления в p-n-переходов.
- •Вентильный фотоэлементы.
- •Фотодиоды
- •Светодиоды
- •Лазеры на основе рубина. Полупроводниковые лазеры
- •Болометры
- •Вторичная электронная эмиссия
- •Приборы для усиления малых токов. Фотоумножители. Устройство и работа сцинтилляционного счетчика.
- •Сегнетоэлектрики области применения
- •Термопары из благородных металлов и их характеристики.
- •Коэффициент чувствительности тензодатчика.
- •Материалы для тензодатчиков.
- •Область применения тензодатчика.
Фотокатоды для ультрафиолетовой области спектра.
Все фотокатоды, чувствительные в видимой области спектра, чувствительны и к УФ излучению. Поэтому, практическое использование таких фотокатодов в приемниках УФ излучения связана с необходимостью их защиты от засветки в видимой области спектра. В связи с этим для приборов, работающих в УФ области, используют солнечно-слепые или нечувствительные к видимому свету, а реагирующие только на УФ излучение с длиной волны < 290 нм. Солнечно-слепые катоды не нуждаются в защите от естественного дневного освещения.
Высокой чувствительностью в области средней УФ(200≤λ≤300)нм обладают полупроводниковые соединения на основе элементов 1 и 6 группы А1В6, т.е. туллуриды цезия Cs2Te и рубидий Rb2Te – полупроводники с большой шириной запрещенной зоны (Δ≥2,7 эВ) имеют очень высокое сопротивление (109-1010 Ом*см), совершенно прозрачны в видимой области спектра и характеризуются чрезвычайно малой плотностью тока термоэлектронной эмиссии при комнатной температуре (10-17-10-18А/см2). Максимум приходится на длину волны 250 нм – максимальная спектральная чувствительность.
Недостатком пленочных катодов из данных материалов является тот факт, что их высокая продольное сопротивление затрудняет их использование, поскольку падение напряжения на фотослое при протекании по нему эмиссионного тока делает катод не эквипотенциальным. Для ликвидации этого снижают продольное сопротивление за счет нанесенной проводящей подложки, например, в виде тонкой пленки металла на подложку перед изготовлением фотокатода. Спектральная чувствительность рубидиевого и цезиевого тиллуридов представлена на рисунке. Характеристика Rb2Te по сравнению с Cs2Te сдвинута в область более длинных волн, а для Cs2Te – резкое падение возле порога фотоэффекта.
Что это характеризует – крутизна спада. При изменении длины волны в интервале 250-300 нм квантовый выход снижается на два порядка величины. Это характерно для катодов, которые имеют очень низкую чувствительность к солнечному излучению за пределами полосы поглощения света земной атмосферы.
В группу эффективных фотокатодов, чувствительных в УФ диапазоне входят двущелочные туллуриды, из которых применение получили солнечнослепой фотокатод на основе соединений КRbTe, спектральная характеристика которого более сдвинута в коротковолновую область спектра,чем у катода Rb2Te.
Качество солнечных фотокатодов оценивается по величине эквивалентного солнечного входа (в величине лучистого потока монохроматического излучения с длиной волны λmax, соотв.максимуму спектральной чувствительности приемника Cs2Te, Rb2Te λmax ≈250 нм), которая создает такой же ток, как и прямая солнечная засветка. У тиллурида величина солнечного входа очень мала – 3,6 * 10-6 Вт (тиллурид рубидия). У тиллурида цезия на порядок выше. Чтобы обеспечить такой параметр, нужно четко выполнять параметры технологии синтеза и исключать все меры по избытку щелочного металла в фотокатоде, поскольку при наличии щелочного металла создается длинный хвост в спектральной характеристике в солнечную сторону.
