1. Какую величину называют эдс источника тока? Что такое «сторонние силы? Примеры «сторонних» сил.

Электродвижущей силой (ЭДС) источника тока называют работу, которая требуется для перемещения единичного заряда между его полюсами. Здесь – ЭДС, – работа сторонних сил, – величина заряда. ЭДС – скалярная величина. В замкнутом контуре ЭДС равна работе сил по перемещению аналогичного заряда по всему контуру. Если в цепи идёт ток, то ЭДС равна сумме падений напряжений во всей цепи. Перемещение заряда на этих участках возможно лишь с помощью сил неэлектрического происхождения (сторонних сил): химические процессы, диффузия носителей заряда, вихревые электрические поля.

2. Запишите закон Ома для неоднородного участка цепи.

закон Ома для замкнутого участка цепи, содержащего источник ЭДС запишется в виде I = E/(R+r), где r – внутреннее сопротивление активного участка цепи

3. Чему равна циркуляция вектора напряженности сторонних сил?

ε= . Циркуляция вектора напряженности сторонних сил равна ЭДС, действующей в замкнутой цепи (алгебраической сумме ЭДС).

4. Запишите закон Ома для полной цепи.

Любой источник тока обладает, помимо ЭДС, некоторым внутренним сопротивлением r. Полным сопротивлением цепи называют сумму внешнего и внутреннего сопротивлений R + r. I = E/(R+r).

5. Работа и мощность постоянного тока. КПД источника.

ΔQ = ΔA = R*I²*Δt [Дж]. Мощность электрического тока равна отношению работы тока ΔA к интервалу времени Δt, за которое эта работа была совершена: P= ΔA/ Δt=UI=I²R [Вт]. Отношение мощности источника, т.е. работы, совершаемой сторонними силами за единицу времени к мощности внешней цепи называется коэффициентом полезного действия источника. η=P/P_ист=R/R+r

6. Полупроводники с собственной проводимостью. Зависимость их сопротивления от температуры.

Собственный полупроводник (не содержит посторонних примесей) – концентрация электронов и дырок зависит от температуры по экспоненциальному закону: n = p=Aexp(- ), где ΔEg – ширина запрещенной зоны, k – постоянная Больцмана, T – температура, А – множитель (постоянный). Зависимость натурального логарифма удельной электропроводности от обратной температуры представляется собой прямую линию.

7. Полупроводники с примесной проводимостью. Полупроводники p-типа и n-типа.

П олупроводник n-типа (содержит примесь). С ростом концентрации примеси величина Тс возрастает и при высоких концентрациях примеси область истощения вообще отсутствует, а область ионизации примеси в узком интервале температур перекрывается с областью собственной проводимостью.

Полупроводник р-типа (содержит акценторную примесь). Концентрация дырок в полупроводнике р-типа изменяется при изменении температуры аналогичным образом, как и концентрация электронов в полупроводнике n-типа.

8. P-n переход. Полупроводниковые диоды.

p-n-перехо́д — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной и электронной. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других. Полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство электрического перехода.

В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы: выпрямительные, универсальные, импульсные и т.д. По конструктивному исполнению полупроводниковые диоды делятся на плоскостные и точечные, а по технологии изготовления на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные.