Требования к курсовому проекту

Курсовой проект представляется на рецензию в виде пояснительной записки объемом до 20 страниц текста, написанного на одной стороне стандартной бумаги формата А4.

Графическая и текстовая документация должна выполняться с соблю­дением правил ЕСКД на бумаге формата А3, А4 соответственно.

Общие требования к текстовым документам содержит ГОСТ 2.105-79.

Последовательность выполнения курсового проекта

1. На основе требований, изложенных в ТЗ, необходимо провести анализ различных схемных решений заданного устройства и выбрать окончательную схему. Затем выбрать элементную базу: тип, значения элементов. Рассчитать цепи питания, если имеется полупроводниковые приборы, требую­щие управление. Составить окончательную схему электрическую принципи­альную и перечень элементов.

2. Рассчитать геометрические размеры линии передачи. Если в схеме имеются отрезки линии определенной длины, необходимо вычислить эти размеры и составить топологию устройства в масштабе.

3. Составить эквивалентную схему (физическую модель) для нахождения математической модели. Для этого разбиваем эквивалентную схему на базовые четырехполюсники с известными матрицами передачи и находим матрицу рассея­ния эквивалентной схемы по нижеизложенным методикам. По выражениям п.2.4 рассчитать основные характеристики рассматриваемого устройства и нарисовать графики.

Примечание. В эквивалентной схеме цепи питания не рассматривать.

Содержание курсового проекта

1.Введение.

2.Анализ ТЗ.

2.1. Обзорный анализ электрических схем.

2.2. Частотный анализ.

3. Разработка электрической схемы.

3.1 Выбор электрической схемы.

3.2.Анализ элементной базы и выбор.

4. Расчет геометрических размеров элементов топологии.

5. Разработка топологии.

6. Составление эквивалентной схемы.

7. Расчет амплитудно-частотных характеристик.

8. Заключение

9. Список литературы 10. Приложение

Приложение - Графическая часть.

1. Схема электрическая принципиальная (пример - приложение 1).

2. Топология - сборочный чертеж (пример - приложения 2 и 3).

3. Расчетные графики, электрические характеристики.

Материал небходимый для выполнения курсового проекта

1. Элементная база устройств свч.

1.1. Линии передачи

Линии передачи предназначены для передачи СВЧ – сигналов от передатчика к антенне и от антенны к приемнику, соединения блоков аппаратуры, модулей. СВЧ – устройства и узлы на их основе используются в линиях передачи (ЛП).

Несимметричная полосковая линия (НПЛ)

Волновое сопротивление (Ом):

Z_o= 60/((ε_эф)^0,5)·ln{φ(w/d)/(w/d) + [l+(2d/w)²]^0,5};

где φ(w/d)=6+(2π – 6)exp[-(30.666/(w/d)) ^0,7528];

w - ширина проводника; d - толщина подложки.

Эффективная диэлектрическая проницаемость

ε_эо = (ε + l)/2 + ((ε – l)/2)·(l+10d/w) ^-0,5,

где ε – относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика подложки.

Компланарная линия (КЛ)

Волновое сопротивление (Ом)

Z_o= 30π/(ε_эф)^0,5 ·ln[(s+2w)/s]·[0.665{1.5 – ехр[ - 0.4·((s+2w)/s-l)]}]^-1,

где s - ширина центрального проводника, w - ширина щели.

Эффективная диэлектрическая проницаемость

ε_эф = (ε +1)/2·{th[0.775·ln(d/w) + 1.75] + sw/(d(S+2w))·[0.04-

-0.7·s/(s+2w) + 0.01(1- 0.1ε)·(0.25+S/(S+2w))]}.

ε > 9, d/w > l, 0 < S/(S+2w) < 0.7,

где ε - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика подложки; d - толщина подложки.

Несимметрично-щелевая линия (НЩЛ)

Волновое сопротивление (Ом)

Z_o = 120π/(2·ε ^0,5 (К^΄(г)/К(г)).

где r = 0.515+0.5tn(w/d – 0.75; w - ширина щели; d - толщина подложки;

ε – относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика подложки.

[(1/π)ln(2·(1+(ŕ)^0,5)/(1-(ŕ)^0,5)] для 0 < r < 0,7

К^΄(г)/К(г)) = {

(1/π)ln(28·(1+(ŕ)^0,5)/(1-(ŕ)^0,5) для 0,7 < r < 1

ŕ =((1-r)^0,5)²

Эффективная диэлектрическая проницаемость

ε_эф =(1/4)·ε[3+th((w/d-(w/d)·(2-ε)-ε(ε-1)/4)·[2(ε-1)]^-1)]

Симметрично-щелевая линия (СЩЛ)

Волновое сопротивление (Ом)

для 0.20 < w/d < 1.0

Z_o = 113.19 – 53.55lgε + 1.25 w/d(114.59 – 51.88lgε) + 20(w/d – 0.2)·(1 – w/d) –

- [0.15 + 0.23 lgε + w/d(-0.79 + 2.07lgε)]·[(10.25-5lgε + w/d(2.1 – 1.42 lgε) – df/3)²]

для 0.02 < w/d < 0.2

Z_o = 72.62 – 35.19lgε + 50(w/d-0.02)(w/d-0.1)/(w/d) + lg(w/d·100)[44.28-

-19.58lgε] – [0.32lgε – 0.11 + w/d(1.07lgε + 1.44)](11.4 – 6.07lgε – df/3)²

Эффективная диэлектрическая проницаемость

для 0.2 < w/d < l

ε_эф = [0.987 – 0.483lgε + w/d(0.111 – 0.0022ε) – (0.121 + 0.094w/d –

- 0.0032ε)lg(df/3)]^-2;

для 0.02 < w/d < 02

ε_эф = [0.923 – 0.448lgε + 0.2w/d – (0.29w/d + 0.047)lg(df/3)]^-2

где w – ширина щели; d – толщина подложки; f – частота в ГГц; ε – относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика подложки.