- •1.Введение
- •2.Анализ технического задания , разработка технических требований к проектированию
- •2.1 Анализ схемы электрической.
- •2.1.1 Описание работы схемы.
- •2.1.2 Анализ электромагнитной совместимости схемы.
- •2.1.3 Тепловой анализ схемы .
- •2.1.4 Функциональный анализ элементов схемы.
- •2.2 Анализ объекта установки , разработка технических требований по защите изделия от дестабилизирующих воздействий.
- •2.4 Разработка требований к технологичности конструкции.
- •2.3 Разработка эргономических требований и требований по безопасному обслуживанию изделия.
2.1.2 Анализ электромагнитной совместимости схемы.
Как правило , в схеме присутствуют источники постоянного и переменного тока. Обычно источником и преобразователем постоянного поля являются части схемы, относящиеся к источникам питания . «Генераторы» переменного поля излучают энергию в широком диапазоне частот – от низких , относящихся к участкам схемы ,содержащих те же источники питания или устройства звуковой частоты , до высоких , относящихся к участкам схемы с генераторами , усилителями и преобразователями частоты не более 20 -25 МГц.
Взаимодействие постоянного и переменного полей общеизвестно .Наводки переменного поля , проникая в цепи питания , и распространяясь по всей схеме , являются причиной искажения информации в фундаментальных частях схемы .
В цепях переменного поля с частотой более 20-25МГц происходит увеличение емкостной , индуктивной и кондуктивной паразитной связи , что приводит к самовозбуждению каскадов , взаимовлиянию отдельных цепей и, как следствие , к отказу в устройстве .Эти же цепи , в силу их пониженной помехоустойчивости , могут стать , «приемниками» наводок от вблизи размещенных функциональных узлов , в составе которых есть потенциальные «генераторы» наводок с мощным «сигналом» помехи , в том числе и магнитной. Итогами анализа схемы является :
Разделение схемы на функционально-законченные части или отдельные ее участки с постоянным и переменным током ;
Выделение в цепях переменного тока участков схемы с частотой более 20-25МГц;
Выделение в схеме источников и приемников помех : электрических , магнитных и электромагнитных ;
Разработка технических требований для обеспечения электромагнитной совместимости схемы и конструкции.
2.1.3 Тепловой анализ схемы .
Анализ схемы посвящен выявлению :
Участков схемы , узлов или отдельных радиоэлементов , являющихся источниками мощных тепловых полей ;
Теплокритичных участков схемы , узлов или отдельных радиоэлементов.
При общей мощности ламп светильника более 100 Вт симистор необходимо установить на теплоотвод.
2.1.4 Функциональный анализ элементов схемы.
Компоновка схемы не возможна без следующего анализа схемы:
Выделение элементов схемы с выходом на переднюю панель устройства : органы индикации, управления и коммутации.
Выявление элементов с выходом на заднюю и боковые панели устройства : органы коммутации ,вспомогательные элементы схемы наиболее тепловыделяющие элементы и узлы .
Выделение массивных и крупногабаритных элементов и узлов , обычно не компонуемых в составе функциональных узлов .
Выделение элементов и узлов схемы с специальными требованиями к размещению .
На передней панели устройства вывести микрофон BM1. На корпус вывести симистор VS1 .
2.2 Анализ объекта установки , разработка технических требований по защите изделия от дестабилизирующих воздействий.
Группа |
основные характеристики |
Д ополнительны е условия |
||||||||||
окружащая температура К |
относительная влажность%,при 298К |
Удары |
вибрация |
линейное ускорение м/с2 |
пониженное атмосферное давление Н, кПа |
|||||||
диапозон частот fн..fв Гц |
виброускорение а, м/с2 |
|||||||||||
Длительность tи , мс |
ускорение ан , м/с2 |
частота ун ,мин. |
|
|
||||||||
Т min |
T max |
|||||||||||
Н осимая и п ортативная РЭА , р а б о таю щ ая на откры том воздухе |
233 |
333 |
93 |
5…10 |
98 |
40…80 |
10…70 |
37 |
--- |
61 |
В озникновение инея и росы , д о ж д я , воздуш н ого п отока, ГОСТ 16019—78 |
|
Деградационные процессы при климатических воздействиях:
Повышенная температура – высыхание и пересыхание защитных покрытий с деформацией или растрескиванием; миграция примесей в полупроводниках; деформация сопряженных деталей с различным температурным коэффициентом расширения.
Пониженная температура –конденсация влаги ; изменение электрических характеристик ; деформация сопряженных деталей.
Повышенная влажность –химические реакции в растворах в составе пленки адсорбированной влаги ; электролиз; коррозия
Пониженное давление –снижение пробивного напряжения , ухудшение теплоотдачи.
Влияние механических воздействий.
Существует 4 вида механических воздействий на конструкцию изделия :
Вибрация
Удары
Линейные и центробежные ускорения
Шум и акустические удары.
Механическим воздействиям подвержена любая конструкция. На кораблях и самолетах главный источником вибрации являются двигатели. Удары на кораблях достигают большой силы при волнении , при воздействии взрывной волны. Ускорения , наблюдаемые при изменении скорости на прямолинейном участке движения или во время криволинейного движения , могут вызывать многократное возрастание усилий , действующих на узлы закрепления , по сравнению с действием силы тяжести .Сильнейшие шумы и акустические удары с уровнем шума свыше 140 дБ вызывают высокочастотную вибрацию.
При выборе комплектующих изделий и материалов следует избегать назначения предельных значений параметров. Не использовать комплектующие и материалы в режимах, отличающихся от указанных в технических условиях.
