- •1 Исторический подход к проектированию электронной компонентной базы
- •2 Технологические методы создания интегральных микросхем
- •2.2 Литография экстремальным ультрафиолетом (euvl) [2]
- •2.3 Электронно-лучевая литография [2]
- •2.4 Ионная литография [2]
- •2.5 Рентгеновская литография [2]
- •2.6 Нанопечатная литография [2]
- •2.7 Литографически индуцированная самосборка наноструктур [2]
- •3 Обзор технологий в микроскопии [2]
- •3.1 Просвечивающие электронные микроскопы (пэм)
- •3.2 Сканирующие электронные микроскопы (сэм)
- •3.3 Сканирующие зондовые и оптические микроскопы (сзм)
- •3.4 Сканирующий туннельный микроскоп (стм)
- •3.5 Атомарно-силовой микроскоп (асм) [2]
- •3.6 Сканирующий оптический микроскоп ближнего поля (сомбп)
- •3.7 Методы сканирующей зондовой микроскопии
- •3.8 Методы получения информации о структуре вещества в нанометровом диапазоне с помощью сзм
- •3.13 Режим спектроскопии
- •3.27 Электро-силовая микроскопия (эсм)
- •3.28 Магнитно-силовая микроскопия (мсм)
- •3.29 Метод зонда Кельвина
- •3.30 Ближнепольная оптическая микроскопия (сбом)
- •3.31 Базовый прибор для научно-образовательного процесса [ 8]
- •4 Обзор технологий изготовления компонентов электроники [2]
- •4.1 Нанотранзисторы на основе структур кремний на сапфире [2]
- •4.2 Нанотранзисторы с гетеропереходами [2]
- •4.6 Нанодиоды и нанотранзисторы с резонансным туннелированием [2]
- •4.7 Транзистор на квантовых точках [2]
- •5 Материалы и компоненты наноэлектроники
- •6 Перспективы развития проектирования и технологий электронной компонентной базы [10]
- •1 Исторический подход к проектированию электронной компонентной базы................................................................................................................................. 1
- •2 Технологические методы создания интегральных микросхем..................... 3
- •3 Обзор технологий в микроскопии [2]............................................................ 14
- •5 Материалы и компоненты наноэлектроники.................................................56
6 Перспективы развития проектирования и технологий электронной компонентной базы [10]
Развитие технологий, основными из которых для полупроводниковой электроники являются молекулярно-лучевая эпитаксия и технология создания структур КНИ, вместе с использованием современных методов электронно-лучевой литографии, зондовой нанолитографии и диагностики полупроводниковых нанообъектов методами просвечивающей электронной микроскопии, сканирующей туннельной микроскопии атомного разрешения и атомно-силовой микроскопии, обеспечивают качественно новый уровень разработки элементов кремниевой и гетероструктурной наноэлектроники. Новый этап в развитии полупроводниковй наноэлектроники открывается с созданием транзисторов и фотоприёмников на квантовых точках и нанотранзисторов, что послужит решением основных задач развития информационных технологий, телекоммуникаций, индустриальной и медицинской электроники. Перспективным представляется развитие методов зондовой нанолитографии, самосборки напряжённых эпитаксиальных гетероструктур и методов самоорганизации для получения полупроводниковых нанообъектов. Нанотехнологии, использующие эффекты самоорганизации, молекулярной и атомной самосборки станут альтернативой развитию существующих методов оптической, электронной и зондовой нанолитографии, применяемых при изготовлении нанообъектов за счёт уменьшения размеров макрообъектов. По прогнозам их применение может привести в конечном счёте к резкому, на несколько порядков величины, уменьшению стоимости таких сложных изделий, как процессоры и схемы памяти компьютеров будущих поколений. Именно в поиске новых подходов к решению проблемы воспроизводимого самоформирования сложных наноструктур с необходимыми для практического применения в наноэлектронике функциями состоит основная задача нанотехнологий в самом ближайшем будущем.
Литература
1.Аркадий Медведев,профессор МАИ. Нанотехнологии в электронике.13.12.2011
http://www.elcomdesign.ru/reviews/ reviews_79html.
2. А.Игнатов и др. Классическая электроника и наноэлектроника. Издательство Наука.2009г.
3. Олег Спиряев. Новые достижения в наноэлектронике.18.10.2006г
.file:///c:/qt/ccc/html
4. И.Шахнович.Технологии уровня 45 нм:45,32 далее везде? ЭЛЕКТРОНИКА:Наука, Технология, Бизнес 2008, №2, с.102-109
5. http://www.nanonewsnet.ru/2012/
6. Электроника. Энциклопедический словарь. М: «Советская энциклопедия», 1991г.
7. Физический энциклопедический словарь. М: «Советская энциклопедия», 1983 г.
8. NANOEDUCATOR – базовый прибор для научно-образовательного процесса в области нанотехнологии. «Датчики и системы» №2, 2009, с.43-45.
9. С.Е.Александров, Ф.Ф.Греков «Технология полупроводниковых материалов»: Учебное пособие.2-е изд. испр.- СПб.: Издательство «Лань», 2012-240с.
10 А.Л.Асеев. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупровод-никовой электроники. «РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ» №1, 2006
11 Г.Н. Шелованова. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники. Красноярск: ИПК СФУ, 2009.
Оглавление