Раздел 1.4. Факультативное задание: расчёт реальной вах, зависящей от

Расчет реальной ВАХ при проводится аналогично разделу 1.2.1.

1. Крутая область вах

Для крутой области ВАХ:

, где

При напряжение насыщения равно .

2. Пологая область вах

Приближенно для заданного можно считать, что ВАХ имеет вид прямой, проходящей через точку . Вычислим при В.

контактная разность потенциалов сток-подложка.

Ток стока при В:

ВЫВОДЫ:

.

Реальная выходная ВАХ с учётом неоднородности ОПЗ

Раздел 1.5. Факультативное задание: расчёт параметров эквивалентной схемы Рассчитаем малосигнальные параметры эквивалентной схемы, показанной на рисунке рис.1.1.3.

Рис.4 Эквивалентная схема МДП-тразистора

Крутизна вах:

(1.27)

Выходная проводимость:

(1.28)

Собственный коэффициент усиления по напряжению:

(1.29)

Результаты

1. Потенциал подложки = 0,359 В

2. Контактная разность потенциалов = -0,919 В

3. Удельная ёмкость диэлектрика C_S = 3*10^-13 Ф/см

4. Пороговое напряжение = 0,487 В

5. Необходимая доза подлегирования = 4,46*10¹⁰ см^-2

6. Крутизна = 211 мкА/В²

7. Коэффициент влияния подложки = 0,971 В^1/2

8. Толщина ОПЗ под затвором = 0,34 мкм

9. Толщина ОПЗ под истоком = 0,35 мкм

10. Толщина ОПЗ под стоком = 0,8 мкм

11. Пор. напряжение с учётом эфф. короткого и узкого канала

12. Крутизна ВАХ = 526 мкА/В

13. Выходная проводимость = 184,6 мкА/В

14. Коэффициент усиления по току = 2,852