- •7 Вопрос
- •1.Потенциал электростатического поля
- •20) Собственная и примесная проводимость.
- •21. Экспериментальное доказательство существования магнитного поля. Его графическое изображение.
- •43.Третье и четвертое уравнения Максвелла
- •44. Уравнения Максвелла в дифференциальной форме:
- •Вопрос 45.Колебательный процесс в контуре. Превращение энергии
- •Вопрос 46.Дифференциальное уравнение незатухающих электромагнитных колебаний в контуре. Характеристики.
- •35.Вектор намагниченности вещества
- •36. Закон полного тока для магнитного поля в веществе
- •6. Закон сохранения импульса. Реактивное движение
- •33. Закон полного тока для магнитного поля в вакууме(теорема о циркуляции вектора в).
- •47. Дефференциальное уравнение затухающих электромагнитных колебаний в контуре.
20) Собственная и примесная проводимость.
Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности.
В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.
Проводимость полупроводников, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью. Примеси бывают донорные и акцепторные.
Донорная примесь — это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются липшие электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа
Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником р-типа.
Принцип
действия большинства полупроводниковых
приборов основан на свойствах р—n-перехода.
При приведении в контакт двух
полупроводниковых приборов р-типа и
л-типа в месте контакта начинается
диффузия электронов из n-области в
р-область, а «дырок» — наоборот, из р- в
n-область. Этот процесс будет не бесконечным
во времени, так как образуется запирающий
слой, который будет препятствовать
дальнейшей диффузии электронов и
«дырок».
р—n-Контакт полупроводников, подобно
вакуумному диоду, обладает односторонней
проводимостью:
если
к р-области подключить «+» источника
тока, а к n-области «-» источника тока,
то запирающий слой разрушится и
р—л-контакт будет проводить ток,
электроны из д-области пойдут в р-область,
а «дырки» из р-области в n-область (рис.
32).
В первом случае ток не равен нулю, во
втором — ток равен нулю. Это означает,
что если кр-области подключить «-»
источника, а к л-области — «+» источника
тока, то запирающий слой расширится и
тока не будет. Полупроводниковый диод
состоит из контакта
двух
полупроводников р- и n-типа
Полупроводниковые
диоды имеют: небольшие размеры и массу,
длительный срок службы, высокую
механическую прочность, высокий
коэффициент полезного действия, их
недостатком является зависимость
сопротивления от температуры.
Если это не нравится еще 2ой вариант
Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока - электронов, занимающих уровни вблизи дна зоны, одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях, в результате чего появляются дырки
Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости описываются функцией Ферми-Дирака.
,
Примесная проводимость возникает, если некоторые атомы данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов.
