Технология 0,13 мкм

Intel утверждает, что она первой среди производителей микропроцессоров реализует план перехода на производственный процесс 0,13 мкм и уже преодолела два важных рубежа: создала образцы микросхем статической памяти и микропроцессоров Pentium III с технологической нормой 0,13 мкм. Ход освоения нового процесса P860 указывает на то, что продукция будет готова в первом полугодии 2001 года. Это должно привести к появлению более дешевых, экономичных и высокопроизводительных микропроцессоров.

По словам директора по интеграции и микропроцессорной архитектуре отделения Intel Technology and Manufacturing Group Марка Бора (Mark Bohr), процесс Р860 позволяет разместить на одном кристалле свыше 100 млн транзисторов. При этом быстродействие этих транзисторов увеличивается на 50-60%, а их потребляемая мощность примерно на 20% меньше, чем у транзисторов, выполненных по технологии P858. Кроме размеров транзисторов, новый процесс отличается использованием медных проводников и диэлектрических материалов, понижающих электрическую емкость, в результате чего сопротивление уменьшается на величину до 40%, что помогает выделять сигналы и уменьшить искажения. Новые транзисторы будут работать при напряжении 1,3 В вместо 1,5 В при изготовлении посредством процесса P858. По словам Бора, P860 позволит Intel создать малопотребляющие мобильные микрочипы, работающие от напряжения 1 В и ниже. Со временем в результате сокращения технологической нормы стоимость производства микропроцессоров также должна уменьшиться: из одной полупроводниковой пластины можно будет изготовить больше микросхем.

Первыми микропроцессорами, изготавливаемыми по технологии 0,13 мкм, станут, вероятно, мобильные Pentium III Tualatin с тактовой частотой 933 МГц и 1 ГГц. Их планируется выпустить во втором квартале будущего года.

Первый микрочип памяти gddr4 ёмкостью 512 Мбит

06 Декабря 2005 года, 12:15 Текст: Владимир Парамонов

Южнокорейская компания Hynix Semiconductor объявила о разработке первого в мире микрочипа памяти GDDR4 (Graphics Double Data Rate 4) ёмкостью в 512 Мбит.

Микрочип памяти gddr4 от Hynix

По утверждениям производителя, представленная микросхема (16M x 32) обеспечивает пропускную способность до 11,6 Гб/с и по производительности практически в два раза превосходит использующуюся в современных графических ускорителях память GDDR3.

В ближайшее время Hynix Semiconductor намерена начать поставки образцов микрочипов памяти GDDR4 разработчикам видеокарт. Массовое производство микросхем, как ожидается, будет развернуто в начале следующего года. Кроме того, во второй половине 2006 года Hynix Semiconductor намерена представить еще более высокоскоростную память GDDR4, пропускная способность которой составит 14,4 Гб/с.

Разработкой микрочипов высокопроизводительной памяти следующего поколения для графических контроллеров занимаются и другие известные компании. Например, южнокорейская Samsung Electronics в октябре нынешнего года продемонстрировала микрочип GDDR4 объёмом в 256 Мбит. Правда, разработка Samsung обладает меньшей по сравнению с микросхемой Hynix пропускной способностью, сообщает PC World. По всей видимости, массовый выпуск чипов GDDR4 компания Samsung также начнет в следующем году.

Рекомендуется выбирать конкретный тип видеоадаптера под конкретный монитор. Монитор меняется обычно раз в пять лет, а видеокарту придется менять не реже раз в год для тех, кто гонится за модой.

5