2. Порядок выполнения работы

1. Получить задание у преподавателя.

2. Ознакомиться с программой расчёта основных электрических параметров мощных транзисторов от параметров конструкции кристалла.

3. Загрузить программу расчёта параметров мощных ДМОП транзисторов на компьютере, войти в меню. Программа расчета реализована на базе “Excel”.

4. Запустить программу расчета, открыв файл “Лаборат-раб-MOSFET-60В.xls” (пароль “111”).

Ознакомиться на листе “Лаборат-я работа Вар-т-1” с таблицей 1 (список входных параметров) и с таблицей 2 (результаты расчета электропараметров кристалла).

В данном варианте лабораторной работы расчет проводится для силового ДМОП-транзистора КП742 (U_{проб с-и} ≥ 60 В, R_{си отк} ≤ 14 мОм, C_iss ≤ 5200 пФ). Требуемые уровни электропараметров для данного изделия приведены в таблице 2 в ячейках красного цвета.

Приведен исходный расчет трех вариантов конструкции кристалла КП742, которые различаются четырьмя конструктивными параметрами, приведенными в ячейках желтого цвета таблицы 1. При этом для объективности сравнения полная площадь кристалла во всех вариантах одинакова.

Провести сравнительный анализ трех предложенных исходных вариантов.

Провести варьирование (  50%) входных параметров, оценить их влияние на выходные параметры в соответствии с таблицей.

В каждом конкретном варьировании определить, какое из слагаемых (R1 кр, R2 кр, R3 кр (ОПЗ), R4 кр (ОПЗ), R5 кр, R6 кр) наиболее значимо повлияло на изменение сопротивления R кр (ОПЗ).

Таблица

Наименование параметра	Обозначение
Варьируемые входные параметры (ячейки зелено-голубого цвета Таблицы 1)
Толщина межслойного диэлектpика	Dx м/c
Толщина подзатвоpного окисла	Dx п/з
Глубина истоковой области	Xj n+
Глубина канальной области	Xj p-
Концентpация носителей в эпитаксиальной пленке	N n- эпитаксии
Толщина эпитаксиальной пленки	Dx n-
Толщина кристалла	Dx кристалла
Удельное сопpотивление подложки	pv подложки
Расчетные выходные параметры (ячейки бледно-желтого цвета Таблицы 2)
Пробивное напряжение плоского p-n пеpехода	U проб с-и (плоск.)
Входная емкость кpисталлa	Ciss кр
Входная емкость кpисталлa с учетом С4	Ciss кр (С4)
Выходная емкость кpисталла	Coss кр
Пpоходная емкость кpисталла	Crss кр
Сопротивление кpисталла без учета ОПЗ	R кр
Сопротивление кpисталла с учетом ОПЗ	R кр (ОПЗ)
Длина канала транзистора	Lкан
Суммарный активный пеpиметp (ширина канала) кристалла	W кр

Примечание: на листе “Лаборат-я работа Вар-т-1” все ячейки, кроме предлагаемых к варьированию, - заблокированы.

Проанализировать расчетные графические зависимости сопротивления, его составляющих и емкостных параметров кристалла MOSFET от величины топологического зазора между ячейками при постоянном шаге и площади кристалла, используя данные листов: Д-1 (Rси)-12, Д-2 (Rси)-8, Д-3 (Rси)-16, Д-4 (Rси)-сумм, Д-5 (Ciss) 12 (перед выполнением данного пункта обязательно вернуть все уровни варьируемых параметров на листе “Лаборат-я работа Вар-т-1” – в исходное состояние).

Выбрать и обосновать оптимальную конструкцию кристалла MOSFET, обеспечивающую следующие требуемые параметры прибора:

U_{проб с-и} > 60 В; R_{си отк} ≤ 14.0 мОм; C_iss ≤ 5200 пФ;

C_oss ≤ 2300 пФ; C_rss ≤ 650 пФ.