- •«Санкт-петербургский государственный институт кино и телевидения»
- •1.Введение
- •2. Аналитический обзор
- •2.1. Принципы спин – транспортной электроники
- •2.1.1. Об определении спинтроники
- •2.1.2. Основные направления развития спинтроники
- •2.2 Спиновые взаимодействия в полупроводниках
- •2.2.1. Общие представления о магнитных полупроводниках
- •2.2.3.Спин-орбитальное взаимодействие
- •2.2.4.Обменное взаимодействие
- •2.2.2.Диполь – дипольное взаимодействие (спин-спиновое)
- •2.2.5.Косвенное спиновое взаимодействие
- •2.3.Магнитные материалы
- •2.3.1.Основные характеристики
- •2.3.2. Пара-, Диа-, Ферро- магнетики
- •2.3.3.Магнитные полупроводники
- •2.4. Основные спиновые эффекты
- •2.4.1. Инжектирование спинов
- •2.4.2.Сверхгигантский эффект магнитосопротивления
- •2.4.3.Спиновый ток
- •2.5.Приборы спинтроники
- •2.5.1.Спиновый диод
- •2.5.2.Спиновый транзистор Датта-Даса
- •3.Заключение.
- •4.Список литературы.
2.2.5.Косвенное спиновое взаимодействие
Спиновое взаимодействие между подобными ионами осуществляется посредством возмущения состояний электронов на промежуточных атомах, общих для этих ионов. Если обобществленные электроны (электроны в молекулах, образованных ковалентной, принадлежащие не какому-то одному из атомов этой молекулы, а молекуле в целом) находятся, например, на немагнитных анионах (F-, O2- , S2-, Se2- и др.), участвуя в химической связи между одинаковыми магнитными ионами M (типа М3+—An—M3+ и М4+—An— М4+ в перовскитах (CaTiO3), LaMO3 и СaMO3 или Сr3+—F–—Cr3+ в CrF3), то возникает перекрытие орбиталей электронов, локализованных на магнитных ионах. В этом случае возможен перенос электрона от одного иона на другой с кинетической энергией t.
Оказываясь на занятой орбитали другого иона, электрон с противоположным спином приобретает дополнительную энергию электростатического отталкивания U >> t, и энергия электронной пары определяется конкуренцией между кинетической энергией переноса и энергией отталкивания электрона на одной орбитали:
E=2αt+α2U
(α – перекрывание орбиталей локализованных электронов). Минимизация дает энергию, необходимую для разупорядочения спинов:
E = –t2/U.
2.3.Магнитные материалы
Существует много приборов, основанных на магнитных материалах. В основном это устройства магнитной памяти. Магнитные материалы в других областях микро- нано- электроники не получили широкого распространения т.к. обычная электроника работает со статистическим ансамблем электронов, а следовательно работают законы статики и классической физики. Уменьшение размеров приводит к появлению размерных эффектов, начинает проявляться принцип неопределенности.
2.3.1.Основные характеристики
Все вещества в природе являются магнетиками, т. е. обладают определенными магнитными свойствами и взаимодействуют с внешним магнитным полем. Магнитные свойства различных материалов объясняются движением электронов в атомах, а также тем, что электроны и атомы имеют постоянные магнитные моменты. Вращательное движение электронов вокруг ядер атомов аналогично действию некоторого контура электрического тока и создает магнитное поле. Магнитный момент, создаваемый магнитным полем, является векторной величиной, направлен от южного полюса к северному и называется орбитальным. Электрон имеет магнитный момент, который называется спиновым. Атом представляет собой сложную магнитную систему, магнитный момент которой является результирующей всех магнитных моментов электронов, протонов и нейтронов. Так как магнитные моменты протонов и нейтронов существенно меньше магнитных моментов электронов, магнитные свойства атомов по существу определяются магнитными моментами электронов.
Магнитные свойства материалов определяются:
магнитной восприимчивостью на единицу объема χ = М/Н (где М – магнитный момент единицы объема, или намагниченность; Н – внешнее магнитное поле, А/м в СИ);
относительной магнитной проницаемостью μ = В/μ̣0Н (где В – магнитная иидукция, Тл; μ0 – магнитная постоянная, равная 4 π · 10-7 Гн/м);
температурой (точкой) Кюри, при нагреве до которой они переходят в парамагнитное состояние, т. е. теряют магнитные свойства.
Кроме того, магнитные свойства материалов характеризуются зависимостью магнитной индукции В от напряженности магнитного поля Н, называемой кривой намагничивания. Во многих случаях для получения кривой намагничивания в качестве исходного принимают размагниченное состояние вещества, при котором в отсутствие внешнего магнитного поля индукция равна нулю. При цикличном перемагничивании кривая намагничивания образует петлю гистерезиса (рис. 3).
Рис.3
Основными характеристиками петли гистерезиса являются остаточная индукция Вн, коэрцитивная сила Нк и площадь, характеризующая потери на гистерезис.
Остаточная индукция Вн – это индукция, которая остается в предварительно намагниченном образце после снятия внешнего магнитного поля.
Коэрцитивная сила Нк – это размагничивающее поле, которое должно быть приложено к предварительно намагниченному образцу, чтобы его индукция стала равной нулю.
Форма петли гистерезиса конкретного материала зависит от максимальной напряженности магнитного поля. При слабых полях она имеет форму эллипса, а с увеличением поля у нее начинают вытягиваться «носики», соответствующие точкам Вм и -Вм.
Некоторые магнитные материалы специального назначения имеют прямоугольную петлю гистерезиса (ППГ). В зависимости от магнитных свойств, все материалы можно разделить на три группы:
диамагнетики,
парамагнетики,
обладающие упорядоченной магнитной структурой.
