Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЗПЭ, ВПЭ-12.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
236 Кб
Скачать
☆

Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»

Государственный экзамен

Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»

Образовательная программа: «Промышленная электроника»

Билет № 16

1. Приведите способы подключения цифровых индикаторов к микроконтроллеру. Нарисуйте варианты схем.

2. Опишите переходные процессы в “p-n” – переходе полупроводникового диода, которые влияют на его частотные свойства.

3. Поясните работы схемы интегрирующего усилителя. Рассчитайте формулы для построения ЛАЧХ интегрирующего усилителя.

4. Рассчитайте время выключения ключа на МДП-транзисторе с активной нагрузкой.

Утверждаю:

Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов

05.05.2017

К Г Э У

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»

Государственный экзамен

Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»

Образовательная программа: «Промышленная электроника»

Билет № 17

1. Приведите классификацию резисторов.

2. Опишите переходные процессы, происходящие в четырехслойной полупроводниковой структуре тринистора и влияющие на его эксплуатационные характеристики.

3. Поясните модифицированную схему интегратора для фиксации моментов начала и конца интегрирования.

4. Проведите расчет постоянной составляющей (среднего значения) выпрямленного напряжения однофазного двухполупериодного неуправляемого выпрямителя со средней точкой при наличии коммутационных процессов.

Утверждаю:

Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов

05.05.2017

К Г Э У

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Институт Электроэнергетики и электроники Кафедра «пэс»

Государственный экзамен

Направление подготовки: 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»

Образовательная программа: «Промышленная электроника»

Билет № 18

1. Приведите классификацию конденсаторов.

2. Опишите эффекты du/dt и di/dt, реализующиеся в четырехслойной полупроводниковой структуре тринистора, и укажите влияние этих процессов на его эксплуатационные характеристики

3. Поясните импульсный режим работы тразистора. Представьте его параметры на примере транзисторного ключа.

4. Проведите расчет постоянной составляющей (среднего значения) выпрямленного напряжения трехфазного нулевого неуправляемого выпрямителя при активной нагрузке.

Утверждаю:

Председатель ГЭК, д.ф.-м.н., в.н.с ___________________________________ А.Л. Степанов

05.05.2017

К Г Э У

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»