35. Ключи на биполярных транзисторах

VD2, R2- устраняют отрицательное влияние теплового тока фототранзистора.

Ключ с оптронной развязкой.

Активное запирание за счёт Ер уменьшает время рассасывания и увеличивает надёжность,

Предыдущий вариант схемы, ню с меньшими потерями, VT1, VT2- комплиментарная пара.

Ключ без дополнительного источника. Энергия, накопленная в L1 при запирании VT1, передаётся в базовую цепь VT2,_: запирая его.

С1 -форсирует открывание VT3. При открытии VT2 С1 разряжается, ускоряя запирание VT3.

VT1 начинает открываться через R1, затем обратная связь с обмотки Wб(ПОС) открывает VT1.

При открывании VT2, происходит пассивное рассасывание избыточных зарядов. С началом спада коллекторного тока VT1 обратная связь с Wб ускорит спад коллекторного тока.

Ср- форсирующий конденсатор.

Ср заряжается при закрывании VT1 обратным напряжением с обмотки обратной связи. В следующем такте при открывании VT2 запирание VT1 ускоряется заряженным Ср.

37. Ключи на полевых транзисторах

Полевые транзисторы по максимально допустимым напряжениям и токам уступают биполярным транзисторам.

Каскадное включение транзисторов.

VT1- низковольтный

VT2- включён по схеме с общей базой.

Два VT, включённые последовательно, увеличивают

потери.

Паразитная индуктивность проводов Lпр исключена с помощью блокирующего конденсатора С. Рабочая индуктивность зашунтирована обратным диодом VD, уменьшающим ЭДС самоиндукции

Lп- паразитная индуктивность,

При перенапряжении заряд С через VD снимает напряжённость режима. При открывании VT ёмкость С разряжается через R,

В открытом состоянии ток через Rдоб_, VD невелик, при закрывании VT ток индуктивности протекает через VD и С большой ёмкости За счёт инерции VD потенциал коллектора фиксируется Uк≈Едоб. Даже при запирании VD большая часть энергии индуктивности уже рассеется.

DA1- компаратор

D1- схема "ИЛИ"

D2- усилитель.