Часть 2

1. Деформационные, резистивные, индуктивные …

2. Температуры, расхода, давления ….

3. Термоэлектрические, волоконно-оптические, влажности, освещения …

1. Мембрана, сильфон, трубка Бурдона, биметаллическая пластина, дилатоматрические устройства;

2. Мембрана, сильфон, трубка Бурдона, биметаллическая пластина, тензометрический сенсор;

3. Мембрана, сильфон, трубка Бурдона, биметаллическая пластина, пьезометрический сенсор;

1. Эффект расширения/сжатия тел при изменении температуры;

2. Эффект изменения давления газов при изменении температуры;

3. Эффект деформации пластины их двух металлов при изменении температуры.

1. Эффект расширения/сжатия тел при изменении температуры;

2. Эффект изменения давления газов при изменении температуры;

3) Эффект деформации пластины их двух металлов при изменении температуры.

1) Емкость датчика зависит от частоты питающего напряжения

2) Емкость датчика зависит от расположения окружающих предметов (емкости монтажа)

3) Емкость датчика зависит от геометрии датчика («Х» и «S») и диэлектрической проницаемости материала между пластинами

1. Изменение ёмкости на единицу изменения диэлектрической проницаемости;

2. Изменение ёмкости на единицу изменения площади перекрытия пластин;

3. Изменение ёмкости на единицу изменения расстояния между пластинами;

4. Все верно;

5. Все неверно.

1. Схема №1

2. Схема №2

1. Кондуктометрический, потенциометрический, магниторезистивный, терморезистивный, фоторезистивный, пъезометрический;

2. Кондуктометрический, потенциометрический, магниторезистивный, терморезистивный, фоторезистивный, тензометрический.

3. Кондуктометрический, потенциометрический, магниторезистивный, терморезистивный, фоторезистивный, токовихревой.

1. Перемещения, давления, уровня, вибраций:

2. Перемещения, давления, уровня, температуры;

3. Перемещения, давления, уровня, угла поворота.

1. Не могут работать на переменном токе:

2. Не могут быть реверсивными;

3. Наличие скользящего контакта, шумы.

1. Изменение сопротивления тестируемой среды в зависимости от температуры, давления, влажности …и как следствие, изменение тока в цепи преобразователя;

2. Деформация тестируемой среды в зависимости от температуры, давления, влажности … и как следствие, изменение тока в цепи преобразователя;

3. Изменение сопротивления кондуктометрического сенсора в зависимости от температуры, давления, влажности … и как следствие, изменение тока в цепи преобразователя;

1. Медь, платина, нержавеющая сталь;

2. Медь, платина, никель;

3. Медь, платина, кремний;

1. 50 Ом, 100 Ом;

2. От 100 до 1000 Ом;

3. От 1 до 100 Ом.

1. Для повышения надежности;

2. Для уменьшения влияния электромагнитных помех;

3. Для компенсации влияния соединительных проводов.

1. C повышением температуры: у термистора сопротивление убывает, у позистора – убывает;

2. C понижением температуры: у термистора сопротивление возрастает, у позистора – убывает;

3. C повышением температуры: у термистора сопротивление возрастает, у позистора – убывает;

1) В случае применения термопар

2) В случае применения металлических терморезисторов

3) В случае применения полупроводниковых терморезисторов

1) На первом графике

2) На втором графике

3) На первом и третьем графике

1. Сопротивление магниторезистора зависит от угла между вектором тока через резистор и вектором направления внешнего магнитного поля;

2. Сопротивление зависит от интенсивности внешнего магнитного поля;

3. Сопротивление магниторезистора зависит от тока через резистор и интенсивности внешнего магнитного поля;

1) Датчик изменяет свое сопротивление при изменении температуры

2) Датчик изменяет свое сопротивление при деформации детали, на которую наклеен

3) Датчик изменяет свое сопротивление при деформации или при изменении давления

1) Деформаций

2) Ускорения

3) Веса

4) Давления

1. Для измерения деформации в двух взаимно перпендикулярных направлениях;

2. Для компенсации влияния температуры;

3. И то и другое.

1. Значительное темновое сопротивление;

2. Низкое быстродействие;

3. Низкая чувствительность.

1) В первом случае

2) Во втором случае

1. Герконы;

2. Датчики Холла;

3. Магниторезисторы

1. Пермаллоевая пленка, по которой пропущен ток, изменяет свое сопротивление при воздействии магнитного поля;

2. Сопротивление пленки из пермаллоя, по которой пропущен ток, зависит от угла между вектором тока и направлением внешнего магнитного тока:

3. Пермаллоевая пленка, по котрой пропущен ток, чувствительна к направлению внешнего магнитного поля;

4. Все верно;

5. Верно 1и 2.