- •Классификация материалов.
- •Виды химической связи.
- •Особенности строения твердых тел.
- •Зонная теория твердого тела.
- •Общие свойства проводников.
- •Физическая природа электропроводности металлов.
- •Факторы, влияющие на значение удельного сопротивления проводников.
- •Алюминий.
- •Термодвижущая сила.
- •Материалы высокой проводимости. Серебро.
- •Cверхпроводники.
- •Сплавы высокого сопротивления. Манганин.
- •Константан. Хромоникелевые сплавы.
- •Сплавы для термопар.
- •Тугоплавкие металлы. Вольфрам.
- •Общие сведения и классификация полупроводников.
- •Собственные и примесные полупроводники.
- •Зависимость электропроводности полупроводников от различных факторов.
- •Фотопроводимость полупроводников.
- •Гальваномагнитные явления в полупроводниках.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Карбид кремния.
- •Полупроводниковые соединения аiiibv
- •Полупроводниковые растворы на основе соединений аiiibv
- •Полупроводниковые растворы на основе соединений аiibvi
- •Полупроводниковые растворы на основе соединений аivbvi
- •Общие сведения о диэлектриках.
- •Электропроводность диэлектриков.
- •Поляризация диэлектриков.
- •Диэлектрические потери.
- •Полимеры.
- •Пластмассы.
- •Компаунды.
- •Стекло.
- •Электрическая керамика.
- •Активные диэлектрики. Сегнетоэлектрики.
- •Пьезо- и пироэлектрики.
- •Общие сведения о магнетизме.
- •Классификация веществ по магнитным свойствам.
- •Классификация магнитных материалов.
- •Магнитомягкие материалы
- •Магнитотвердые материалы
Особенности строения твердых тел.
Большинство материалов электронной техники представляют собой твердые тела, основная масса которых имеет кристаллическую решетку, обуславливающую периодическое электростатическое поле. Периодичность структуры является характерным свойством кристаллов. В периодической решетке всегда можно выделить элементарную ячейку, транслируя которую в пространстве легко получить представление о структуре всего кристалла. Кристаллические тела могут быть в виде отдельных кристаллов, монокристаллов или состоять из совокупности большого числа меньших кристалликов, зёрен. В случае поликристалла в пределах каждого зерна, атомы расположены периодически, но при переходе от одного зерна к другому, на границах раздела, регулярное расположение частиц нарушается. Кристаллов с идеальным строением не существует, происходят отклонения из-за дефектов. Их условно подразделяют на динамические или временные, и статические или постоянные. Динамические дефекты возникают при механических, тепловых или электромагнитных воздействиях на кристалл при прохождении через него потока частиц высокой энергии. Среди статических дефектов различают атомные или точечные, протяженные дефекты. Атомные могут проявляться в виде незанятых узлов решеток, называемых вакансиями в виде смещения атома из узла в междоузлие, в виде внедрения в решетку чужеродных атомов иди ионов. К протяженным дефектам относятся дислокации, то есть смещение, поры, трещины, границы зёрен и др. Некоторые твердые вещества обладают способностью образовывать не одну, а две или более кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах, называют полиморфизмом.
Зонная теория твердого тела.
Зонная теория ТТ – это теория валентных электронов, движущихся в потенциальном периодическом поле в кристаллической решетке. Отдельные атомы могут иметь отдельный энергетический спектр, то есть электроны могут занимать лишь определенные энергетические уровни. Часть этих уровней, заполнена при нормальном невозбужденном состоянии атома, на других уровнях атомы могут находится лишь тогда, когда атом подвергается внешнему энергетическому воздействию, то есть когда он возбужден. Энергетическая диаграмма атома – эта диаграмма показывает энергетическое состояние валентных электронов в атоме и самого атома. (E – энергия валентных электронов, E0 – основной уровень энергии атома характеризующий минимально возможное значение атома, Ei – энергия ионизации) Возбужденное состояние атома – это такое состояние когда атом обладает энергией, большей по сравнению с минимально возможной. При сближении атомов, происходит перекрытие электронных оболочек, а это в свою очередь существенно изменяет характер движения электронов. Благодаря перекрытию оболочек, электроны могут без изменения энергии, посредством обмена, переходить от одного атома к другому. То есть перемещаться по кристаллу и становиться обобществленным, вследствие этого, дискретные энергетические уровни изолированного атома, расщепляются в энергетические зоны. Разрешенные энергетические зоны разделены запрещенными интервалами энергии, каждая из запрещенных энергетических зон, состоит из множества энергетических уровней, их количество определяется числом атомов, составляющих твердое тело, нижнюю заполненную валентными электронами зону, называют валентной, она соответствует энергетическим уровням валентных электронов. Валентную зону называют зоной проводимости, дно этой зоны соответствует энергии ионизации атомов, составляющих твердое тело. В запрещенной зоне, уровни энергии отсутствуют, характер энергетического спектра у проводников, полупроводников, диэлектриков существенно различаются. В проводниках валентная зона перекрывается зоной проводимости, в полупроводниках и диэлектриках, зоны проводимости и валентная зона разделены некоторым энергетическим зазором называемым запрещенной зоной. К полупроводникам относят вещества, у которых запрещенная зона меньше 3-ех ЭВ. С более широкой, относят к диэлектрикам. У реальных диэлектриков ширина ЗЗ может достигать 10 ЭВ.
В полупроводниках и диэлектриках при низких температурах, все электроны находятся в валентной зоне, а зона проводимости абсолютно свободна. Для проявления электропроводности, электроны необходимо перевести из валентной зоны в зону проводимости. Энергии электрического поля недостаточно, для осуществления такого перехода, требуется более сильное энергетическое воздействие. При переходе электронов из валентной зоны в зону проводимости в валентной зоне появляются энергетические вакансии, называемые дырками.
