Список использованных источников

1. Самые знаменитые изобретатели России / Автор-составитель С.В. Истомин. - М.: Вече, 2000 - 469с.

2. Уилсон М. Американские учёные и изобретатели / Пер. с англ. В. Рамзеса; под ред. Н. Тренёвой. – М.: Знание, 1975. – С. 27-34. – 136 с. – 100000 экз.

3. Беспроводной телеграф / Военная энциклопедия : [в 18 т.] / под ред. В. Ф. Новицкого [и др.]. – СПб.; [М.] : Тип. т-ва И. В. Сытина, 1911—1915.

4. Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. — 2-е, перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.

5. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 2. / С. Зи; пер. с англ. – 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

6. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. / С. Зи; пер. с англ. – 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

7. Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. №8. С. 10-11.

8. Тим Джексон Inside Intel. История корпорации, совершившей технологическую революцию XX века = Iside Intel. The unauthorized history of the world’s most successful chip company. – М.: Альпина Паблишер, 2013. – 328 с.

9. А. Скоробов, «Закон Мура» // Сайт математико-механического факультета УрГУ, 2005

10. Рольф Ландауэр «Необратимость и выделение тепла в процессе вычислений», Перевод И.О. Чередникова, А.Г. Холмской, опубликован в «Квантовый компьютер и квантовые вычисления. Том 2», 1999, ISBN 5-7029-0338-2, С. 9-32

11. H.Iwai Roadmap for 22 nm and beyond // Microelectronic Engineering. – Elsevier, 2009. – Vol. 86, fasc. 7-9. – P. 1520–1528

12. Алферов Ж.И., Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе, в кн.: Наука и человечество, M., 1975

13. Welch D., Joyner C., Lambert D. et al. III–V photonic integrated circuits and their impact on optical network architectures // Optical Fiber Telecommunications / Ed. by I. P. Kaminow, T. Li, A. E. Willner. – Academic Press, 2008. P. 343–379

14. Никоноров Н.В., Шандаров С.М. Волноводная фотоника / Учебное пособие, курс лекций. СПбГУ ИТМО, 2008. – 143 с.

15. Дорожная карта по развитию фотоники в Российской Федерации в 2013-2020г.г. // Пояснительная записка. – Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. 33 с.

16. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Хижняк А.И. Физика лазеров. – Киев: Вища школа, 1984. – 232 с.

17. Звелто О. Принципы лазеров. – М.: Мир, 1990. – 559 с.

18. Zhores I. Alferov The double heterostructure: concept and its applications in physics, electronics and technology / Nobel Lecture, December 8, 2000. – 29 p.

19. Душутин Н.К., Моховиков А.Ю. Из истории физики конденсированного состояния // Иркутский государственный университет, 2014. – С. 157.

20. Салех Б., Тейх М. Оптика и фотоника. Принципы и применения. Пер. с англ.: Учебное пособие. В 2 т. Т. 1 / Б. Салех, М. Тейх – Долгопрудный: Издательский дом «Интеллект», 2012. – 760 с.

21. Маркузе Д. Оптические волноводы / пер. с англ.; под ред. В.В. Шевченко. – М.: Мир, 1974. – 567 с.

22. Введение в интегральную оптику: Пер с англ. / Под ред. М. Барноски. – М.: Мир, 1977. – 367 с.

23. Интегральная оптика: Пер. с англ. / Под ред. Т. Тамира. – М.: Мир, 1978. – 344 с.

24. Хансперджер Р. Интегральная оптика: Теория и технология / Пер. с англ. – М.: Мир, 1985. – 379 с.

25. Miller S. E. Integrated Optics: An Introduction: The Bell System Technical Journal. – 1969. – Vol. 48, № 7. – P. 2059-2069.

26. Барабаненков М.Ю. Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах / Диссертационная работа на соискание учёной степени доктора физико-математических наук. – Черноголовка, 2001. – 351 с.

27. SOI Technology: IBM’s Next Advance In Chip Design – Обзорная статья о КНИ и общих принципах функционирования современных цифровых микросхем. – http://www.ibm.com.

28. M. Watanabe, A. Tooi. Formation of SiO₂ Films by Oxygen-Ion Bombardment. Jap. J. Appl. Phys., vol. 5, p. 737-8,1966.

29. P.V. Pavlov, E.V. Shitova. The Structure of Oxide Films Obtained by Oxygen Ion Bombardment of a Silicon Surface. Soviet Physics Doklady, Vol. 12, p.11, 1967.

30. Lasky J.B. Wafer bonding for silicon-on-insulator technologies / Appl. Phys. Lett. – 1986, V.48, No 1. – P. 78–80.

31. Shimbo M. et al. Silicon-to-silicon direct bonding method / J. Appl. Phys. 1986, V.60, № 8. – P. 2987–2989.

32. Bruel M. PROCESS FOR THE PRODUCTION OF THIN SEMICONDUCTOR MATERIAL FILMS/ Invention patent US5374564 (A). Application number: US19920945001 19920915. Date of publication: 20.12.1994. Classification: B28D5/00, G01L9/00, H01L21/02, H01L21/027, H01L21/205, H01L21/265, H01L21/762, H01L27/12, H01L31/04, H01L33/00, H01L21/265.

33. Rong, H. et al. Low-threshold continuous-wave Raman silicon laser, Nature Photon, 2007. – 1, P. 232–237.

34. L. Vivien et al, Modulators and photodetectors developed in the framework of the European HELIOS project, Proc. of SPIE Vol. 7606 76060S

35. Xu.Q et al., Micrometer - scale silicon electrooptic modulator, Nature,435, 325 – 327, 2005

36. The 50G Silicon Photonics Link // White Paper, July 2010. – 5 p.