Применение пзс в вычислительной технике

В устройствах ЭВМ ПЗС нашли применение в качестве запо­минающих устройств. Информация, поданная в двоичном коде, хранится в ячейках ПЗС в виде единиц и нулей. Незаполненная потенциальная яма — нуль, заполненная зарядом — единица. Для считывания подаются тактовые импульсы, и записанная ин­формация поступает на выходное устройство.

Любая информация, введенная в такое устройство, может хра­ниться значительное время. Недостаток данных запоминающих устройств заключается в том, что при отключении питания даже на доли секунды происходит полная потеря информации. В нас­тоящее время ведутся исследования по устранению этого недос­татка.

Использование пзс в устройствах связи

Во многих устройствах связи, в частности в телевизионной ап­паратуре, требуется задержать электрические импульсы на точно заданное время. Эта задача решается с помощью ПЗС, которая регулирует время переноса информации со входа на выход.

В многоканальных линиях связи ПЗС находят применение в качестве мультиплексоров — несколько входных сигналов параллельно вводятся в ПЗС - регистр и затем последовательно считываются. На этой же основе могут быть построены и обратные уст­ройства — демультиплексоры.

Выводы. 1. ПЗС строят на основе накопления, хранения и пе­реноса зарядов с помощью МДП - конденсаторов. 2. Перенос заря­дов из одной ячейки, где заряд хранится, в другую производится путем подачи повышенного напряжения на ячейку, куда требуется перенести заряд. 3. Основные параметры ПЗС — эффективность передачи зарядов, уровень шума, диапазон тактовых частот. 4. Широкое применение ПЗС находят в устройствах связи и вычислительной технике.

Общие сведения об электронных лампах

Электровакуумный прибор – это приборы, в которых рабочее пространство изолированно газонепроницаемой оболочкой и имеет высокую степень разряжения, или заполнен специальной средой и действие которого основано на использовании электрических явлений в вакууме и газах.

ЭВП делятся на:

- электронные лампы– в лампах протекает только электронный ток;

• ионные приборы – в лампах существует электрический разряд;

• безразрядные приборы – работа основана на действие электрического тока на твердый материал в вакууме.

Существуют лампы для приема и отображения видеоинформации – электронно-лучевые трубки.

Электронные лампы

Электронная лампа – униполярный прибор, в котором создается поток электронов. Электронная лампа содержит катод (источник электронов) и анод (собирает электроны). Для дополнительного управления потоком электронов между катодом и анодом помещена сетка. Электроны, совершающие хаотическое тепловое движение в металле в катоде подходят к самой поверхности, при сообщении им дополнительной энергии они выходят с поверхности в окружающее пространство. Процесс испускания катодом электронов называется электронная эмиссия.

В зависимости от источника дополнительной энергии, сообщаемой электрону различают:

Термоэлектронная эмиссия – дополнительная энергия сообщается электрону путем нагрева катода.

Фотоэлектронная эмиссия – дополнительная энергия сообщается светом.

Вторичная электронная эмиссия – возникает за счет бомбардировки и выбивания из анода электронов потоком электронов из катода.

Катод с термоэлектронной эмиссией

Катоды с термоэлектронной эмиссией делятся на катоды прямого и косвенного накала.

В катодах прямого накала ток протекает непосредственно через катод, вызывая его нагрев. В катодах косвенного накала подогрев катода осуществляется путем нагрева катода нити, находящейся под катодом. Катод косвенного накала представляет собой никелевую трубку, внутрь вставлен подогреватель, свернутый петлей. Для изоляции катода нить покрывается керамической массой из окиси дюралюминия.

Катод может быть выполнен в виде невысокого цилиндра с верхним основанием.

Рисунок 122 – Структура катода

Катоды бывают простые и сложные. Простые изготавливаются из вольфрама или тантала. Сложный катод – на поверхность чистого металла наносится активный слой, который обеспечивает инжекцию при сравнительно низких температурах.

Сложные катоды могут быть пленочные и полупроводниковые. Пленочные – вольфрамовая проволока, на поверхность которой наносится пленка тория с примесью углерода. Полупроводниковые – оксидные, на катод, выполненный из никеля или вольфрама, наносится слой смеси бария, кальция и стронция.

Ламповый диод

Диод состоит из анода и катода, помещенных в баллон, выполненный из стекла или керамики, внутри баллона вакуум.

Рисунок 123 – Структура лампового диода

Схема включения

Рисунок 124- Схема включения лампового диода

Катод разогревается напряжением Е_Н, при этом происходит эмиссия электронов (из катода вылетают электроны). В отсутствии напряжения между анодом и катодом эти электроны заполняют пространство между анодом и катодом. Образуется объемный пространственный заряд. Поле объемного заряда препятствует движению электронов от катода к аноду.

При подаче положительного напряжения (Е_А) в пространстве между катодом и анодом возникает ускоряющее поле для электронов. В цепи начинает протекать ток анода.

При подаче на анод отрицательного напряжения, по отношению к катоду, для электронов создается тормозящее электрическое поле, электронный ток отсутствует.

Таким образом, ламповый диод обладает односторонней проводимостью. Может использоваться как выпрямительный диод.

Анодная характеристика – зависимость тока анода от напряжения на аноде, при постоянном напряжении нити накала.

I_А = f(U_А), при U_НАК = const

Рисунок 125 – Анодная характеристика лампового диода

Участок ОА – режим пространственного заряда, ток увеличивается пропорционально увеличению напряжения. Количество электронов, долетевших до анода, пропорционально увеличивается.

Участок АВ – режим насыщения, характеристика почти не увеличивается. Все электроны, исходящие из катода, долетят до анода.

Триоды. Тетроды. Пентоды

Триод

Состоит из анода и катода, между ними находится сетка. Сетка служит для управления потоком электронов в лампе. Сетка представляет собой спираль, либо сетку из переплетенных проводов и выполняется из вольфрамового или никелевого провода.

Рисунок 126 – Структура лампового триода

Рисунок 127 – Схема включения лампового триода

Изменяя напряженгие между сеткой и катодом, меняется пространственный заряд в лампе.

При положительном потенциале на сетке и подачи напряжения на анод для электронов создается ускоряющее поле и ток анода увеличивается. При этом часть электронов перемещается сеткой, создается сеточный ток, он аналогичен току базы и является вредным.

При отрцательном потенциале на сетке создается тормозящее поле и ток анода уменьшается (электроны не долетают до анода).

Достоинство: позволяет усилить сигналы.

Недостатки: низкое внутреннее сопротивление, малый коэффициент усиления, двухсторонняя анодносеточная харакеристика.

I_А = f (U_С), при U_А = const

Рисунок 128 – Анодно- сеточная характеристика триода

Тетроды

Для уменьшения недостатков диода используют тетроды, в которой добавляются еще одна сетка экранирующая.

Анод от катода закрыт двумя сетками, следовательно, влияние поля на катод уменьшается. На сетку подается положительное напряжение, что позволяет выполнить сетку в роли анода и сделать характеристику тетрода так, чтобы она начиналась с нуля.

Рисунок 129 – УГО тетрода

При положительном потенциале на сетке С₁ пропекает ток

I_К = I_С1 + I_С2 + I_А

При отрицательной полуволне на сетке С1 протекает ток

I_К = I_С2 + I_А,

ток при этом значительно меньше.

Анодная характеристика имеет недостатки.

Зависимость тока анода от напряжения анода при напряжении сетки С₁ и С₂ постоянны. При отсутствии напряжения на катоде электроны, вылетевшие с катода, возвращаются опять на катод под действием электрического поля экранирующей сетки (С₂).

Рисунок 130 – Анодно – сеточная характеристика тетрода

На участке ОА с ростом напряжения увеличивается поле, созданное на аноде, увеличивается анодный ток. При дальнейшем увеличении напряжения (участок АВ) анодный ток уменьшается, возникает выбывание электронов из анода они попадают под действие сильного электрического поля С₂ (экранирующая сетка). Этот процесс называется динатронным эффектом. На участке АВ тетрод обладает отрицательным сопротивлением, что приводит к искажению формы сигнала.

Пентоды

Пентоды позволяют устранить динатронный эффект с помощью специальной сетки получили название защитной. Действие защитной сетки основано на том, что между ней и анодом создается тормозящее поле, возвращающие электроны на анод. Напряжение этой сетки не влияет на поток электронов. Кроме этого сетка С₃ является дополнительным экраном между анодом и катодом, что повышает внутреннее сопротивление, а значит и коэффициент усиления. Также сетка уменьшает емкость между анодом и катодом, что позволяет применять пентод на высоких частотах.

Рисунок 131 – УГО пентода

Анодная характеристика.

I_А = f (U_А), при I₁, I₂, I₃ = const.

Рисунок 132 – Анодная характеристика пентода

ЭЛТ с электростатическим управлением

Электронно-лучевые трубки

Общие сведения о ЭЛТ

Электронно-лучевые приборы – электровакуумные приборы, в которых формируется в виде луча электронный ток, управляемый электрическими лучами.

По видам преобразования электронно-лучевые трубки делятся на:

• приборы, преобразующие видимый сигнал в видимое изображение (приемные телевизионные трубки, осциллографические трубки).

• приборы, преобразующие видимое изображение в электрический сигнал (передающая телевизионная трубка).

• приборы, преобразующие невидимое глазом изображение в видимое изображение (электронные микроскопы).

Электронно-лучевая трубка со статической фокусировкой и системой отклонения луча

Устройство ЭЛТ

ЭЛТ состоит из: электронного прожектора, системы отклонения луча и экрана.

Электронный прожектор служит для формирования электронного луча и его фокусировки, а также для создания сильного ускоряющего поля для электронного луча.

Фокусировка – сведение точки с максимальной яркостью на минимально возможной поверхности.

Электронный прожектор содержит обычный оксидный подогревательный катод, предназначен для электронной эмиссии. Катод помещен внутрь другого цилиндра, который называется модулятор. Модулятор содержит отверстие для управления плотностью электронного тока и для предварительной фокусировки. На модулятор подается отрицательное напряжение, при его изменении меняется ток луча и яркость свечения экрана.

Рисунок 133 – Устройство ЭЛТ с электростатической фокусировкой луча

Прожектор содержит еще два анода А1 и А2. На один анод подается большое напряжение, на А1 – сотни вольт, служит для фокусировки электронов, А2 единицы киловольт, создает сильное ускоряющее поле для электронного луча, с тем, чтобы сообщить электронам достаточную кинетическую энергию.

Экран с внутренней стороны покрыт люминофором. Свечение люминесцентного экрана объясняется возбуждением атомов вещества экрана. Электроны, ударяя в экран, передают свою энергию атомам экрана, в атоме люминофора один из электронов уходит на более удаленную орбиту, возвращаясь назад в пространство, выделяется световая энергия (фотон).

При бомбардировке экрана лучом возникает вторичная эмиссия электронов, в результате чего создается электрическое поле, уменьшающее скорость движения электронов. Для отвода вторичных электронов на внутреннюю поверхность колбы наносится графитовый проводящий слой, называемый аквадаг.

Электростатическая фокусировка

Электрическая фокусировка обеспечивается двумя анодами А₁ и А₂. На оба подаются большие напряжения.

В фокусировке участвуют все электроды прожектора: катод, модулятор, и аноды. Вследствие различия потенциала на этих элементах в пространстве между ними создается электрическое поле, воздействующее на электронный луч. Под действием силы поля электронный луч изменяет направление своего движения, подобно лучу света при прохождении оптических линз. Система фокусировки луча получила название электронной линзы

Рисунок 134- Принцип электронной линзы

Электростатическая система отклонения луча

На пути электронного луча поставлены под прямым углом друг к другу две пары отклоняющих пластины П_У и П_Х. П_У осуществляет вертикальное отклонение, П_Х – горизонтальное. В отсутствии потенциалов на пластинах сформированный луч создает неподвижную светящуюся точку в центре экрана. Если потенциалы пластины не одинаковы, то между ними создается электрическое поле и электронный луч, имеющий отрицательный заряд, отклоняется в строну положительно заряженной пластины, прочертив на экране соответствующую линию. Обе пары взаимно перпендикулярных пластины под действием приложенного к ним напряжения позволяют перемещать луч в любую точку экрана.

ЭЛТ с магнитной фокусировкой и отклонением луча

Устройство ЭЛТ

ЭЛТ состоит из электронного прожектора, фокусирующего магнита, отклоняющих магнитов и экрана.

Прожектор имеет катод, модулятор и анод. Анода А₁ является ускоряющий анод, он находится возле модулятора. Вторым анодом является проводящий слой, нанесенный на внутреннюю сторону стеклянной колбы.

Рисунок 135 – Устройство ЭЛТ с магнитной фокусировкой луча

Магнитная фокусировка

Расходящийся поток электронов попадает из прожектора в магнитное поле фокусирующей катушки ФК. На фокусирующую катушку подается постоянное напряжение. Вместо фокусирующей катушки может применяться постоянный магнит в виде кольца с регулировкой фокусировки путем перемещения магнита вдоль трубки или нескольких магнитных колец, настройка фокусировки производится путем перемещения колец вокруг трубки.

Система магнитной фокусировки основана на взаимодействии магнитного поля фокусирующей катушки с ускоряющим электронным полем анода. Электроны, вылетевшие под различным углом из модулятора в магнитном поле фокусирующей катушки, прижимаются к оси и на экране они взаимно пересекаются.

Рисунок 136 – Система магнитной фокусировки

Недостаток магнитной фокусировки – больная потребляемая мощность, требуется постоянная подстройка в ФК. Однородное магнитное поле можно получить только в длинной катушке, из-за чего увеличивается горловина ЭЛТ.

Магнитная система отклонения

Магнитная отклоняющая система имеет две пары отклоняющих катушек, расположенных под прямым углом друг к другу. Пара катушек L_X имеет вертикальное направление магнитного поля. Это поле отклоняет электронный луч по горизонтали. Другая пара катушек L_Y имеет горизонтальное направление магнитного поля и отклоняет электронный луч по вертикали. Электроны в магнитном поле отклоняющей катушки движутся по дуговой окружности и вылетев из этого поля движутся по прямой, касательной к этой окружности.

Рисунок 137 – Магнитная система отклонения

Сравнительная оценка различных ЭЛТ

Магнитная система отклонения позволяет получить большую яркость свечения, дает возможность отклонять луч на больший угол. Магнитная система отклонения не может применяться для работы на высоких частотах.

Шумы и надежность электронных приборов

ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

Общие положения

Если на выход усилителя, выполненного на электронных при­борах, подключить телефон, то можно услышать характерный шум, который дает усилитель. Этот шум будет наблюдаться даже в том случае, когда усилитель питается от идеального источника постоянного тока, а входные зажимы усилителя закорочены. Шу­мы на выходе усилителя можно наблюдать с помощью осцилло­графа или вольтметра переменного тока, который покажет на вы­ходе некоторое напряжение.

Основными источниками шумов являются шумы полупроводни­ковых приборов, электронных ламп и сопротивлений, обусловлен­ные происходящим в этих приборах процессом движения дискрет­ных электрических зарядов. Изменение количества электронов в единицу времени создают непрерывные колебания тока около ка­кой-то постоянной средней величины. Эти колебания называются флуктуациями тока, которые обусловлены дискретной природой электричества.

Рисунок 138 - Временная зависимость выходного тока (напряжения) при закорочен­ных входных зажимах усилителя

Таким образом, шумы усилительных элементов представляют собой малые беспорядочные колебания (флуктуа­ции) выходного тока около своего среднего значения (рис. 138), Собственные шумы электронных ламп и транзисторов ограничи­вают предел возможного усиления малых сигналов.

Шумовые свойства транзисторов и ламп определяются следу­ющими составляющими: так называемым дробовым шумом; шу­мом, обусловленным перераспределением тока между электродами усилительного элемента; шумом, вызванным эффектом мерцания эмиттирующих электродов (фликкер-эффект); тепловым шумом. Напряжение собственных шумов усилительного устройства изме­ряют при закороченных по переменному току входных зажимах, т. е. при U_вх = 0.

Шумы транзисторов

Основными составляющими собственных шумов транзисторов являются тепловые, дробовые и избыточные шумы.

Тепловые шумы определяются хаотическим тепловым движением носителей заряда в объеме полупроводника или проводника. В результате на концах проводника, обладающего определенным сопротивлением, действует случайная флуктуационная ЭДС, которая называется ЭДС теплового шума Е_шт. Тепловые шумы имеют равномерный частотный спектр (белый шум) и оцениваются среднеквадратичной ЭДС шума: ^ ;

(1)

где k= 1,37*10^-23 Дж/К — постоянная Больцмана; Т — абсолют­ная температура; R_ш — эквивалентное «шумовое» сопротивление; П_ш — полоса частот, в которой рассчитывается ЭДС шума.

В транзисторах тепловые шумы в основном определяются объемным сопротивлением базы, так как объемное сопротивление эмиттера и коллектора мало за счет большой концентрации носи­телей в них.

Среднеквадратическая ЭДС теплового шума транзистора

(2)

где r_б — объемное сопротивление базы.

Дробовые шумы определяются неравномерностью во времени плотности потока носителей заряда коллекторного, эмиттерного и ^базового токов. ЭДС дробовых шумов складывается из шумов, вносимых переходами эмиттер — база и коллектор — база;

(3)

где q — заряд электрона, r_э — дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода; I_э —ток эмиттера; I_ЭБ0 —обратный ток эмиттера.

На коллекторном переходе ЕДС дробовых шумов в основном зависит от обратного тока коллектора I_КБо

(4)

где r_к — дифференциальное сопротивление коллекторного пере­хода.

Шумовые свойства транзисторов характеризуются коэффициен­том шума K_ш. Коэффициентом шума называется отношение полной мощности шумов в выходном нагрузочном сопротивлении к той его части, которая вызвана тепловыми шумами внутреннего сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума показывает, во сколько раз ухудшается отношение сигнала к шуму при прохождении сигнала через транзистор:

(5)

где Рвх и Рвых — входная и выходная мощности полезного сигнала; Р_шт — мощность тепловых шумов на входе, которая определяется термическими шумами сопротивления источника сигнала Rг; Р_{ш полн} — полная мощность шума на выходе. При согласованной нагрузке по входу, когда R_г = R_вх мощность тепловых шумов на входе Р_шт=Е²_штR_г/(R_г+R_вх)² или Р_шт=Е²_шт/4R_г . Так как Е²_шт=4kTR_гП_ш, то Р_шт= kTП_ш. Тогда

(6)

где Кр — коэффициент усиления по мощности.

Коэффициент шума обычно выражают в децибелах

(7)

Расчет и измерения показывают, что коэффициент шума остается практически неизменным в трех типовых схемах (с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором). Он не зависит от сопротивления нагрузки, но зависит от частоты и сопротивления источника сигнала R_r. Наименьшее значение шума биполярных транзисторов получается при R_г=0,5 2,0кОм. Характерная зависимость коэффициента шума германиевых и кремниевых транзисторов от частоты приведена на рис. 139. На низких частотах наибольшую роль играют избыточные шумы, которые сильнее всего проявляются в диапазоне звуковых и инфразвуковых частот. С увеличением температуры избыточные шумы возрастают. Для снижения уровня шумов целесообразно использовать транзистор в рабочем режиме с низким напряжением коллектора и не большими токами. Низкочастотные транзисторы с коэффициентом шума К_ш[дб]≤5…6 дб на частоте f= 1 кГц выделяют в малошумящую группу.

Рисунок 139- Зависимость коэффициента шума от частоты

Для высокочастотных транзисторов коэффициент шума являет­ся одним из основных параметров; его значение приводится в справочниках для комнатной температуры (25° С) и определенно­го значения сопротивления генератора (для биполярных транзи­сторов обычно при R_г = 600 Ом). Так, например, транзисторы ти­па КТ3102Д и КТ3102Е имеют коэффициент шума на частоте 1 кГц, равный 4 дБ, при сопротивлении источника сигнала R_г = 2 кОм. Транзисторы КТ382А имеют коэффициент шума на час­тоте 400 МГц меньше или равный 3 дБ при R_г =750 Ом.

В области равномерного спектра шума шумы транзистора складываются из тепловых шумов сопротивления базы и дробо­вых шумов эмиттерного перехода. Рост уровня шумов транзистора на высоких частотах в основном определяется шумами токораспределения (падением коэффициента передачи по току h_21б уве­личением тока базы и связанными с этим рекомбинаиионными флуктуациями).

Шумы в полевых транзисторах включают в себя все три со­ставляющие: тепловой, дробовой и избыточный. Тепловой шум вы­зывается колебаниями носителей в проводящей среде в условиях теплового равновесия и по своей природе аналогичен шуму омиче­ского сопротивления. Дробовой шум является следствием дис­кретности носителей заряда и хаотичности их образования. На низких частотах наиболее важной составляющей является избы­точный шум, удельная мощность которого обратно пропорциональ­на частоте. Чаще всего избыточный шум связан с изменением электрических свойств материала, возникающего из-за определен­ных физико-механических явлений. Избыточный шум имеет су­щественное значение только на очень низких частотах. Как пра­вило, эти шумы гораздо меньше, чем у биполярных транзисторов. Кроме того, у полевых транзисторов отсутствует составляющая шума, связанная с генерационно-рекомбинационными процессами» поэтому основной составляющей являются тепловые шумы в токопроводящем канале.

Коэффициент шума полевых транзисторов зависит от сопро­тивления источника сигнала R_г и частоты. Зависимости коэффи­циента шума от этих параметров для некоторых типов транзисто­ров приведены на рис. 140 и 141.

Рисунок 140- Зависимость коэффициента шума от частоты низкочастотных по­левых транзисторов

Рисунок 141- Зависимости коэффициента шума транзисторов от сопротивления генератора

Коэффициент шума полевых транзисторов зависит от режима работы. С увеличением напряже­ния смещения на затворе он увеличивается, что обусловлено уменьшением крутизны полевого транзистора. Оптимальным ре­жимом для полевых транзисторов является режим малых напря­жений на затворе и стоке. Коэффициент шума имеет значитель­ную зависимость от температуры, он резко возрастает с увеличе­нием температуры выше 300 К (27°.С).

Шумы электронных ламп

Причинами флуктуации анодного тока электронных ламп являются следующие. Неравномерность во времени выходов электронов с поверхности катода (дробовой эффект). Неравномерность эмиссионной способности отдельных участков катода (эффект мерцания катода или фликкер-эффект). Неравномерность во времени выхода электронов вторичной эмиссии и непостоянство токораспределения между сетками. Появление положительных ионов. Собственное движение электронов в пространственном заряде.

Дробовый шум имеет равномерный спектр частот, в то время как эффект мерцания катода создает шум только в области инфранизких и низких частот.

Наличие пространственного заряда в лампе снижает действие дробового эффекта и эффекта мерцания. Собственный шум лампы возрастает с увеличением числа сеток, и поэтому многосеточ чые лампы обычно обладают большим шумом. Величину шума лампы можно оценивать эквивалентным напряжением шума, приложенного к управляющей сетке лампы. Для триодов величина шума, измеренного на управляющей сетке лампы, при полосе пропускания 1 кГц составляет около 0,1 ...0,25 мкВ/кГц^1/2, для пентодов 0,65 ... 0,7 мкВ/кГц¹'². |

Практически удобно шум лампы оценивать эквивалентным тепловым шумом сопротивления R_шэ как бы включенного между управляющей сеткой и катодом. Сопротивление зависит от пара­метров лампы и режима работы. Для триодов справедливо соот­ношение R_шэ= (2,5... 3)/S, т. е. напряжение шума обратно пропор­ционально крутизне лампы. Шум, создаваемый пентодом и тет­родом, зависит как от крутизны лампы, так и от постоянных со­ставляющих анодного тока и тока экранной сетки. Для триодов P_шэ = 0,5 ... 2 кОм, для пентодов 5 ... 10 кОм.

Выводы. 1. Шумы транзисторов складываются из тепловых, дробовых и избыточных. Характеристикой шумовых свойств яв­ляется коэффициент шума, который показывает, во сколько раз ухудшается соотношение сигнала и шума при прохождении сиг­нала через усилительный элемент.

2. Наибольшее значение шума имеют электронные лампы, наименьшее — полевые транзисторы. Наименьший коэффициент шума биполярных транзисторов получается при сопротивлении генератора R_г=0,5 ...2,0 кОм. Коэффициент шума биполярных транзисторов составляет 3...20 дБ, полевых 0,2... 5 дБ.

3. Шум транзисторов зависит от режима работы и температу­ры. Наименьшее значение шума биполярных транзисторов полу­чается при малых напряжениях на коллекторе и малом коллектор­ном токе I_к = 0,5... 1 мА. Наименьшее значение шума полевых транзисторов оказывается при работе с большой крутизной (ма­лым смещением на затворе) и небольшом напряжении на стоке. Увеличение температуры приводит к увеличению шума.