Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Билеты КИПиА - копия.doc
Скачиваний:
4
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
4 Мб
Скачать
☆

Вопрос 2. Законы регулирования: п, пи, пид. Принцип работы автоматического регулятора на примере ирт-5501.

Ответ. Нет ответа.

Вопрос 3. Схема включения термопар. Факторы, влияющие на величину погрешности.

Ответ. Перед тем, как осуществить монтаж датчика температуры следует проверить: правильно ли подобран тип датчика, его градуировочная характеристика, монтажная длина чувствительного элемента, а также учтены другие особенности его конструкции, подходящие к месту и условиям работы. После этого датчик температуры проверяется на отсутствие видимых повреждений самого датчика и его защитной арматуры; на отсутствие обрывов и замыканий обмотки датчика; сопротивление изоляции.

На погрешность измерений температуры могут оказывать влияние следующие факторы:

монтажные - неправильный выбор места установки датчика, неправильный выбор монтажной длины датчика, плохое качество уплотнения датчика (утечка среды из отбора), отсутствие теплоизоляции на оборудовании или трубопроводе;

электрические - плохой контакт в соединениях датчика и прибора, попадание влаги и конденсата в обмотку термометра сопротивления или термопары, витковое замыкание части обмотки, неправильно выбрана схема соединения датчика и прибора (без подгонки сопротивления линии, без компенсационного провода), градуировка датчика не соответствует градуировке регистрирующего прибора.

Основные ошибки возникающие при монтаже датчиков температуры:

  • Неправильно выбран отбор для измерения температуры (без теплоизоляции трубопровода, приводящей к повышенной потере теплоты).

  • Неправильно установлен сам датчик в рабочем потоке измеряемой среды (малая или большая монтажная длина датчика; датчик устаиовлеи не по оси потока и не навстречу потока).

  • Установлен датчик несоответствующей градуировки, регламентируемой монтажной схемой объекта.

  • Нарушены требования компенсации влияния изменения температуры окружающей среды (датчик подключен к регистрирующему прибору по двухпроводной схеме; не используется компенсационный провод и компенсационные коробки).

  • Неправильно выбраи датчик без учета повышенной вибрации, агрессивности и влажности среды и ее высокого давления.

  • Плохой контакт на блоке зажимов датчика (плохая пайка; в местах повышенной влажности не выполнена герметизация проводки от попадания влаги внутрь датчика).

Вопрос 4. Требования безопасности при обслуживании приборов расхода кислорода.

Ответ. Нет ответа.

Билет 10.

Вопрос 1. Принцип работы полупроводникового триода.

Ответ. Транзи́стор (от англ. transfer — переносить и resistance — сопротивление или transconductance — активная межэлектродная проводимость и varistor — переменное сопротивление) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).

В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). 

Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм[источник не указан 222 дня]. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см²) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров, снижению энергопотребления и тепловыделения.

Устройство и работа триода

Триоды имеют третий электрод — управляющую сетку, называемую обычно просто сеткой и расположенную между анодом и катодом. Она служит для электростатического управления анодным током. Если изменять потенциал сетки, то изменяется электрическое поле и вследствие этого изменяется катодный ток лампы.

Катод и анод у триодов такие же, как у диодов. Сетка в большинстве ламп выполняется из проволоки. Катод, сетка и анод электровакуумного триода аналогичны соответственно эмиттеру, базе и коллектору биполярного транзистора или истоку, затвору и стоку полевого транзистора.

Все, что относится к сетке, обозначается символами с индексом g (от английского слова grid — сетка).

Триод имеет цепи накала и анода, подобные таким же цепям диода, и цепь сетки (рис. 15.4), состоящую из промежутка катод — сетка внутри лампы и источника сеточного напряжения Еg. В практических схемах в цепь сетки включают еще и другие элементы.

Разность потенциалов между сеткой и катодом называется сеточным напряжением (напряжением сетки) и обозначается Ug или иg. При положительном напряжении сетки часть электронов попадает на сетку и в ее цепи возникает сеточный ток (ток сетки), обозначаемый 1g или ig. Часть триода, состоящая из катода, сетки и пространства между ними, подобна диоду.

 

Рис. 15.4. Токи в цепях триода

 Основной и полезный ток в триоде — анодный. Он аналогичен коллекторному току биполярного транзистора или току стока полевого транзистора. Сеточный ток, аналогичный току базы транзистора, бесполезен и даже вреден. Во многих случаях сеточный ток уничтожают. Для этого напряжение сетки должно быть отрицательным. Тогда сетка отталкивает электроны. Возможность уничтожения вредного сеточного тока существенно отличает триод от биполярного транзистора, который всегда работает с током базы.

В проводе катода протекает суммарный ток, который называется катодным током:

iк = ia + ig. (15.4)

Катодный ток аналогичен эмиттер-ному току биполярного транзистора или току истока полевого транзистора. В триоде катодный и анодный токи равны только при иg < 0, так как в этом случае ig = 0.

Подобно диодам триоды обладают односторонней проводимостью. Но для выпрямления переменного тока их применять нет смысла, так как диоды проще по конструкции. Возможность управления анодным током с помощью сетки определяет основное назначение триодов — усиление электрических колебаний. Триоды применяются также для генерации электрических колебаний различной частоты.