3.1.3. Контакты Шоттки (Au, Pt) / ntt
В этой работе были исследованы характеристики чувствительности NO2 датчиков на основе контактов Шоттки между металлическими электродами (Au, Pt) и титанатаминанотрубок (NaxH2-xTi3O7) для работы при комнатной температуре. Титанатынанотрубок (NTT) диаметром 10 нм были синтезированы типичным гидротермальным методом. Датчики были изготовлены с различными конфигурациями Pt / NTT / Pt, Au / NTT / Au и Au / NTT / Pt для анализа влияния контактов Шоттки (Au, Pt) / NTT на характеристики измерения газа. Результаты измерения NO2 датчиков показали, что синтезированные титанатынанотрубок представляют собой полупроводники p-типа, а интерфейс Au/NTT имеет большую чувствительность к NO2 по сравнению с интерфейсом Pt/NTT. Высокая селективность датчика Au/NTT/Pt к газу NO2 была также представлена исследованием для некоторых газов, таких как NO, NH3, H2, CO и C3H8. Кроме того, было обнаружено, что датчик Au/NTT/Pt демонстрирует высокую чувствительность и быстрое время отклика / восстановления в диапазоне низких концентраций газа NO2 (0-10 ppm) при комнатной температуре. Конструкция датчика и электрическая измерительная схема проиллюстрирована на рис. 3.
Рис.3. Структура металлического электрода а) поперечного сечения конструкции датчика b) и электрической измерительной схемы
Датчики, основанные на нанотитанатах (NTT) и металлических электродах (Au, Pt), демонстрировали быстрый отклик/восстановление и высокую селективность для газа NO2 в диапазоне низких концентраций (0-10 ppm) при комнатной температуре. Структура датчика (+) Au/NTT/Pt (-) показала самую высокую чувствительность к газу NO2 при комнатной температуре, а наименьшая чувствительность для структуры (+) Pt/NTT/Pt(-) [3].
3.1.4. Аллюминиевые контакты во влагочувствительном устройстве
В работе[4] сообщается об особенностях ощущения влажности нановолокон CdTiO3, подготовленных электро-вращением. Нановолокна имели пористое наличием средний диаметр и длина 50-200 нм и 100 мм, соответственно. Датчик влажности нановолокна был изготовлен, используя алюминиевые электроды сверху нановолокондепонированые на стеклянном основании. Разделение между двумя электрическими контактами составляло 25 мм. Более одного нановолокна присутствуют между металлическими контактами. Алюминий использовали в качестве металла для формирования контактов к нановолоконам [4]. Рис. 4. показана схема CdSiO3нановолокнавлагочувствительных устройства.
Рис.4. Схематическое изображение устройства
3.1.5. Pd-контакты и нагреватель Pt, расположенный на задней стороне подложки
CdO-гексагональные листы были получены простым химическимметодом, которым способствовало микроволновое облучение. Были приняты две различные процедуры получения и характеризовались присутствием мочевины в качестве направляющего агента и поливинилпирролидона (ПВП) в качестве поверхностно-активного вещества. Схематическое представление получения наноструктурCdO различными способами показано на рис. 5 а).
Датчики изготавливались с помощью печатных пленок (толщиной 1-10 мкм) нанопорошков, диспергированных в воде на подложках из оксида алюминия (6 мм × 3 мм) с Pd- электродами и нагревателем Pt, расположенным на задней стороне. Схематическое изображение архитектуры датчика и фотографии изготовленного сенсорного устройства показано на рис.5b).
Э
лектрические
измерения проводились в диапазоне
температур от RT
до 350 °C
под синтетическим сухим воздухом общим
потоком. Концентрация целевого газа
варьировалась от 5 до 50 ppm.
Рис. 5. (b) Схематическое изображение архитектуры датчика и фотографии изготовленного сенсорного устройства
Датчики, основанные на обоих отожженных образцах, были чувствительны к низким концентрациям СО в диапазоне концентраций от 0 до 75 ppm. Сначала были проведены испытания, направленные на поиск оптимальной рабочей температуры для обнаружения СО. Когда температура увеличивается, чувствительность датчика уменьшается. Разработанные сенсорные устройства проявляют высокую чувствительность к низким концентрациям СО. Датчики характеризуются хорошим отношением сигнала/шума и коротким временем отклика/восстановления для низких концентраций СО в результате уникальной структуры чувствительного слоя [5].