Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
пр. запису і відтворення інформації .docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
112 Кб
Скачать
☆

Класифікація

За типом виконання: Масив даних суміщений із пристроєм вибірки (зчитувальним пристроєм), у цьому випадку масив даних називають прошивкою:

  • мікросхема ЗСД (ПЗП);

  • Один із внутрішніх ресурсів однокристальної мікроЕОМ (мікроконтролера), як правило FlashROM.

Масив даних існує самостійно:

  • Компакт-диск;

  • перфокарта;

  • Перфострічка;

  • монтажні «1» та монтажні «0».

За різновидами мікросхем ЗСД (ПЗП): За технологією виготовлення кристалу:

  • ROM — (англ. read-only memory, захищене сховище даних), рамковий ПЗП, виготовляється фабричним методом. У подальшому немає можливості змінити записані дані.

  • PROM — (англ. programmable read-only memory, програмований ПЗП (ППЗП)) — ПЗП, однократно «прошиване» користувачем.

  • EPROM — (англ. erasable programmable read-only memory, перепрограмовний/репрограмовний ПЗП (ПППЗП/РПЗП)). Наприклад, вміст мікросхеми К537РФ1 витиралося за допомогою ультрафіолетової лампи. Для проходження ультрафіолетових променів до кристалу в корпусі мікросхеми було передбачене віконце з кварцовим склом.

  • EEPROM — (англ. electrically erasable programmable read-only memory, перепрограмовний ПЗП з витиранням електричним способом). Пам'ять такого типу може витиратись і заповнюватись даними декілька десятків тисяч разів. Використовується в твердотільних накопичувачах. Одним із різновидів EEPROM є флеш-пам'ять (англ. flash memory).

  • ПЗП на магнітних доменах, наприклад, К1602РЦ5, мав складний пристрій вибірки і зберігав досить великий обсяг даних у вигляді намагнічених ділянок кристалу, при цьому не маючи рухомих частин (див.Комп'ютерна пам'ять). Забезпечувалась необмежена кількість циклів перезапису.

  • NVRAM, non-volatile memory — «пам'ять, що не руйнується», строго кажучи, не є ПЗП. Це ОЗП невеликого обсягу, конструктивно суміщений із батарейкою. В СРСР такі пристрої часто називались «Dallas» за іменем фірми, що випустила їх на ринок. В NVRAM сучасних ЕОМ батарейка вже конструктивно не пов'язана з ОЗП і може бути замінена.

За видом доступу:

  • З паралельним доступом (parallel mode або random access): такий ПЗП може бути доступний у системі в адресному просторі ОЗП. Наприклад, К573РФ5;

  • З послідовним доступом: такі ПЗП часто використовуються для однократного завантаження констант або прошивки в процесор або ПЛІС, використовуються для зберігання налаштувань каналів телевізора та ін. Наприклад, 93С46, AT17LV512A.

За способом програмування мікросхем (запису в них прошивки):

  • Непрограмовні ПЗП, інформація до яких записується на етапі виготовлення кристалу мікросхеми та не може бути змінена або стерта пізніше;

  • ПЗП, програмовні лише за допомогою спеціального пристрою — програматора ПЗП (як однократно, так і багатократно програмовані). Використання програматора необхідне, зокрема, для подачі нестандартних і відносно високих напруг (до +/- 27 В) на спеціальні виводи.

  • Внутрішньосхемно (пере)програмовні ПЗП (ISP, in-system programming) — такі мікросхеми мають всередині генератор усіх необхідних високих напруг, і можуть бути перепрошиті без програматора і навіть без випайки з друкованої плати, програмним способом.