- •Конспект лекций
- •Оглавление
- •1. Полупроводниковые диоды
- •1.1. Конструктивно-технологические виды диодов
- •1 2 4 3 N Ge 1 - металлическая игла2 - кристалл полупроводника3 - металлизация
- •1.2. Выпрямительные диоды
- •1.3. Импульсные и высокочастотные диоды
- •1.4. Стабилитроны
- •1.5. Туннельные диоды
- •1.6. Варикапы
- •1.7. Свч диоды
- •1.8. Диоды Ганна
- •1.9. Лавинно-пролетные диоды
- •1.11. Варисторы
- •1.12. Термисторы, термоэлектрические приборы
- •1.13. Тиристоры, фототиристоры, оптопары
- •2. Биполярные транзисторы Общие сведения
- •2.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
- •2.2. Схемы включения транзисторов
- •2.3 Коэффициенты передачи тока
- •2.4. Зависимость коэффициентов усиления транзисторов от режима и температуры
- •2.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •2.6. Модель Эбберса-Молла
- •2.7. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •2.8. Конструкции биполярных транзисторов
- •2.9. Биполярные транзисторы с гетеропереходами
- •3. Усилители на транзисторах
- •3.1. Классификация Режимы работы
- •3.2. Выбор рабочей точки
- •3.3 Стабильность рабочей точки
- •3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с оэ по постоянному току
- •3.5 Транзисторный усилитель переменного напряжения
- •3.6 Амплитудно-частотная характеристика усилителя
- •3.7. Порядок расчета транзисторных усилителей
- •3.8. Эмиттерный повторитель
- •3.9. Усилители постоянного тока
- •3.10. Дифференциальный усилитель
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевые транзисторы. Общие сведения
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Основные параметры мдп-транзисторов
- •4.6. Полевые транзисторы с управляющим
- •4.7. Приборы с зарядовой связью
- •4.8. Полевые свч транзисторы на основе арсенида галлия
- •4.9. Полевые свч-транзисторы на гетероструктурах
- •5. Электронные приборы свч Общие сведения
- •5.1. Клистроны
- •5.2. Лампы бегущей и обратной волны
- •5.3. Магнетроны
- •6. Интегральные операционные усилители
- •6.1. Основные параметры оу
- •6.2. Обратные связи
- •6.3. Идеальный оу. Виртуальный ноль
- •6.4. Инвертированный усилитель
- •6.5. Неинвертирующий усилитель
- •6.6 Аналоговые интеграторы и дифференциатор
- •6.7. Инвертирующий сумматор и вычитатель
- •6.8. Логарифмический усилитель, компараторы
- •6.9. Избирательные усилители
- •Литература
3.2. Выбор рабочей точки
Для выбора рабочей точки транзисторного усилителя используется семейство выходных вольт-амперных характеристик. Выбор точки покоя сводится к выбору тока коллектора IКПи напряжения UКПв режиме покоя, когда на вход усилителя не подается входной сигнал.
Для определения точки покоя используют нагрузочную прямую постоянного тока, описываемую уравнением (для схемы с ОЭ):
UКЭ=E-IКR=, (3.2.1)
где Е- напряжение питания, R=- сопротивление постоянному току, включенное в выходную цепь R==RК+RЭ.


Для построения нагрузочной прямой постоянного тока на горизонтальной оси откладывают напряжение питания, а на вертикальной оси- ток равный E/R=и соединяют эти две точки.(рис. 3.4).
Точки пересечения нагрузочной прямой постоянного тока со статической выходной характеристикой для заданного тока или напряжения базы называется точкой покоя.
Нагрузочная прямая переменного тока описывается уравнением:
UКЭ=UКП-IКR~ , (3.2.2)
где IК- изменение тока коллектора, R~- сопротивление переменного тока, включенное в выходную цепь. При R~<R= нагрузочная прямая идет более круто по сравнению с нагрузочной прямой постоянного тока. Нагрузочные прямые переменного тока используют для расчета каскадов, работающих при большой амплитуде сигнала.
Для усилителей напряжения точка покоя
выбирается исходя из амплитуды
напряжения на коллекторе UKMи амплитуды тока коллектора IKM=UKM/
,
где
-сопротивление
нагрузки переменному току
(
=RКRН).
Рабочая точка усилителя не должна попадать в область насыщения и в область отсечки, поэтому точка покоя должна удовлетворять условиям: UКП>UКМ+UКЭmin , (3.2.3)
IKП7
,
(3.2.4)
где UКЭmin-
напряжение на коллекторе, соответствующее
началу прямолинейного участка выходных
характеристик UКЭmin=1-2В,
0.7-0.95-
коэффициент запаса. При больших значениях
могут возникать нелинейные искажения,
а при меньших ухудшается К.П.Д.
Положение рабочей точки должно также удовлетворять условиям: UКП+UКМ<UКЭmax , (3.2.5)
UКПIКП<PКmax . (3.2.6)
В случае малого выходного сигнала выбор рабочей точки производят с учетом зависимостей параметров транзистора от режима и из соображений экономичности. Выбирают такие IКПи UКПпри которых коэффициент передачи тока h21Эи предельная частота усиления будут максимальны. Большим значениям UКПбудет соответствовать малая емкость коллектора, влияющая на частотные свойства. Для повышения экономичности выбирают IКПи UКПкак можно меньше. При этом необходимо, чтобы мгновенные значения тока коллектора не были меньше IКmin=0,6-0,8 мА, так как при меньших токах возрастают нелинейные искажения.
IКП>IКМ+IКmin. (3.2.7)
В усилителях мощности точка покоя выбирается с учетом максимально допустимого напряжения коллектора и максимально допустимой мощности:
UКП
(3.2.8)
IKП=
.
(7.2.9)
Выбрав точку покоя усилителя определяют соответствующий ей ток базы IБПи по входным характеристикам получают напряжение базы в режиме покоя UБП.(рис. 3.5).
Полученные режимы IКП, UКП, IБПи UБПобеспечиваются соответствующими источниками и резисторами.
