6. Содержание отчета

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

1. Титульный лист.

2. Цель выполнения лабораторной работы.

3. Схему экспериментальных исследований полевого транзистора.

4. Паспортные данные и схему расположения выводов исследуемого

полевого транзистора.

5. Таблицы экспериментальных данных.

6. Расчет статических параметров исследованного полевого транзистора.

7. Семейство выходных характеристик исследованного полевого транзистора при комнатной и повышенной температурах.

8. Семейство сток-затворных характеристик исследованного полевого транзистора с обозначением термостабильной точки (области).

9. Таблицу расчетных значений и график зависимости S = f (U_ЗИ) при напряжении стока U_СИ = U_{СИ НОМ} .

10. Анализ полученных результатов.

7. Вопросы для подготовки

1. Дайте определение полевого транзистора.

2. На чем основано управление током в полевом транзисторе?

3. Объясните устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

4. Как зависит сопротивление канала от электропроводности полупроводника, площади и длины канала?

5. Какую роль в полевых транзисторах выполняет затвор?

6. Как влияет сечение канала на ток полевого транзистора?

7. Какой полярности напряжение должно подаваться на затвор для эффективного управления током транзистора?

8. Как зависит сечение канала от величины напряжения, приложенного к стоку?

9. Нарисуйте выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом и объясните их ход.

10. Нарисуйте сток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом и объясните их ход.

11. Как влияет температура окружающей среды на ход сток-затворных и выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом?

12. Что называется напряжением отсечки?

13. Какой электрический режим полевого транзистора называется режимом насыщения?

14. Какое напряжение стока носит название напряжения насыщения?

15. Какие основные отличия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом от биполярных транзисторов Вы знаете?

16. В чем преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными?

17. Назовите основные статические параметры полевых транзисторов.

18. Поясните методы определения статических параметров полевых транзисторов.

19. Нарисуйте эквивалентные схемы полевого транзистора для постоянного тока, для переменного тока. Поясните состав каждой эквивалентной схемы и различия между ними.

20. Нарисуйте схему замещения полевого транзистора. Почему эта схема использует Y-параметры?

8. Список использованных источников

1. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов/Под ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с.

2. Электронные приборы: Учебник для вузов/В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.

3. Пасынков В.В., Чиркин А.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Высш.шк., 1987. 479 с.

4. Батушев В.А. Электронные приборы.: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш.шк., 1980. 383 с.

5. Денискин Ю.Д., Жигарев А.А., Смирнов Л.П. Электронные приборы: Учебное пособие для вузов/Под ред. Р.А. Нилендера. М.: Энергия, 1980. 280 с.

6. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник/ Под ред.А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, 1994. 384 с.

7. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/Под ред. А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, 1994. 640 с.

8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы: Справочник/ Под общ.ред. Н.Н. Горюнова. 2-е изд., перераб. М.: Энергоатомиздат, 1985.904 с.

9. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/

Под ред. А.В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1985. 560 с.

Приложения

Приложение 1

Образец оформления титульного листа отчета по лабораторной работе

Государственный комитет Российской Федерации по связи и информатизации

Екатеринбургский филиал Сибирского государственного университета телекоммуникаций и информатики

ОТЧЕТ

по лабораторной работе

"Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом" по дисциплине "Электронные твердо- тельные приборы и микроэлектроника"

Студент: Павлов И.П.

Группа: АЕ-81

Преподаватель: Елфимов В.И.

Екатеринбург 1998

Приложение 2

Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа (маломощные)

Параметры	КП 302А	КП 302Б	КП 302В	2П 303А	2П 303В	2П 303Е	2П 307А
Крутизна х-ки, mA/B (Uси, В; Uзи, В)	5 (7; 0)	7 (7; 0)	57 (7; 0)	14 (10; 0)	25 (10; 0)	4 (10; 0)	49 (10; 0)
Напряжение отсечки, В (Uси, В; Iс, мкА)	5 (7;10)	7 (7;10)	10 (7;10)	3 (10;10)	4 (10;10)	8 (10;10)	(0,53) (10;10)
Нач-ный ток стока, mА (Uси,В; Uзи,В)	3÷24 (7;10)	18÷43 (7;10)	33 (10;0)	0,5÷2,5 (10;0)	1,5÷5 (10;0)	5÷20 (10;0)	3÷9 (10;0)
Ток утечки затвора, нА (Uси, В; Uзи, В)	10 (0;-10)	10 (0;-10)	10 (0;-10)	1 (0;-10)	1 (0;-10)	1 (0;-10)	1 (0;-10)
Коэффициент шума, 1 –дБ, 2 – нВ/Гц (Uси,В; Ic,mA;f, кГц)	0,6÷3 1 (8;-;1)	0,6÷3 1 (8;-;1)	0,6÷31 (8;-;1)	30 2 (10;-;1)	20 2 (10;-;1)	4 дБ (10;-; 105 )	6 дБ (10;5; 4·105)
Входная емкость, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц)	20 (10;3)	20 (10;18)	20 (10;33)	6 (10; -;10)	6 (10; -;10)	6 (10;-;10)	5 (10;-;10)
Проходная ем-ть, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц)	8 (10;3)	8 (10;18)	8 (10;33)	2 (10;-; 10)	2 (10;-; 10)	2 (10;-;10)	1,5 (10;-;10)
Сопрот. сток-исток, Ом (Uси, В; Uзи, В)	100÷150 (0;2;0)	150 (0,2;0)	100 (0,2;0)	-	-	-	-
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напря-жение сток-исток, В	20	20	20	25	25	25	25
Постоянное напря-жение затвор-сток, В	20	20	20	30	30	30	30
Постоянное напря-жение затвор-исток, В	10	10	12	30	30	30	30
Постоянный ток стока, mА	24	43	33	20	20	20	30
Постоянный ток затвора, mА	6	6	6	5	5	5	5
Постоянная рас-сеиваемая мощность, mВт (Т)	300	300	300	200	200	200	250

Приложение 2 (продолжение)