- •Курс Твердотельной электроники
- •1. Физические основы твердотельной электроники
- •1.1. Диффузионный и дрейфовый ток в полупроводниках
- •1.2. Зависимость подвижности от концентрации примесей,
- •1.3. Фундаментальная система уравнений
- •1.4. Обеднение, обогащение и инверсия
- •1.5. Потенциальный барьер
- •1.6. Область пространственного заряда p-n перехода
- •1.8. Рекомбинация неравновесных носителей заряда
- •1.9. Условия на контактах и поверхностная рекомбинация
- •1.7. Зависимость концентраций неосновных неравновесных носителей зарядов на границах от напряжения на переходе
- •1.10. Распределение неосновных носителей заряда вблизи p-n-перехода
- •2. Элементы и процессы твердотельной электроники
- •2.1. Распределение носителей и коэффициент передачи тока в транзисторной структуре
- •2.2. Физическая структура биполярного транзистора
- •2.3. Биполярные транзисторы интегральных схем
- •2.4. Кремниевые транзисторы свч диапазона
- •2.5. Энергетическая диаграмма контакта металл-полупроводник
- •2.6. Токи в контакте металл-полупроводник
- •2.7. Гетеропереходы
- •2.8. Туннелирование в p-n-переходе
- •2.9. Лавинное умножение
- •2.10. Структура металл-диэлектрик-полупроводник
- •2.11. Пороговое напряжение мдп транзистора
- •2.12. Вольт-амперная характеристика мдп транзистора
- •2.13. Конструктивные разновидности мдп транзисторов
- •2.13.1. Мощные моп транзисторы
- •2.13.2. Элементы сбис
- •2.14. Элементы зу на мдп транзисторах
- •2.14.1. Мноп транзистор
- •2.14.2. Транзисторы с плавающим затвором
- •2.15. Приборы с зарядовой связью
- •2.15.1. Передача заряда между затворами
- •2.15.2. Накопление заряда в моп структурах
- •2.15.3. Связь между зарядом и поверхностным потенциалом
- •2.15.4. Перенос заряда под затвором
- •3. Основные технологические процессы микроэлектроники
- •3.1. Диффузия
- •3.2. Окисление
- •3.3. Ионное легирование
- •3.3.1. Распределение Гаусса
- •3.3.2. Другие распределения
- •3.3.3. Боковое уширение распределения ионов
- •3.4. Эпитаксия
- •4. Курсовое проектирование
- •4.2. Резкий p-n-переход
- •4.3. Диффузионные переходы
- •4.4. Токи диффузионных переходов
- •4.5. Биполярный транзистор интегральных схем
- •4.6. Малосигнальные параметры биполярных транзисторов
- •4.7. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •4.8. Полевой транзистор с изолированным затвором
2.8. Туннелирование в p-n-переходе
Туннелирование
в p-n-переходе
представляет собой туннельные междузонные
переходы электронов между валентной
зоной (ВЗ) и зоной проводимости (ЗП)
внутри области пространственного заряда
(ОПЗ) перехода. Под действием электрического
поля все зонные состояния наклоняются
на величину
.
Ширина запрещенной зоны
,
как и все другие энергетические зазоры,
еще остаются неизменными. На рис.22
представлена энергетическая зонная
диаграммаp-n-перехода
при приложении обратного напряжения
, такого, что
.
На рисунке упрощенно показана постоянная
напряженность поля
и соответственно постоянны величины
и
по всей ОПЗ. Видно, что заполненные
состояния ВЗ отделены от свободных
состояний ЗП с одинаковым значением
энергии барьером высотой
и шириной
.
Рис.
22.Зонная диаграммаp-nперехода при обратном напряжении
.

Выражение отличается от упрощенного приближения для прямоугольного барьера
,
лишь множителем 4/3 вместо 2, поскольку
прозрачность треугольного барьера
больше, чем прямоугольного из-за зауженной
вершины.
Туннельный ток при обратном напряжении представляет собой поток электронов из ВЗ р-стороны в ЗП n-стороны. Выражение для плотности туннельного тока может быть построено аналогично обычному току в виде произведения заряда электрона на скорость и объемную концентрацию в потоке.
Здесь
- полное число состояний ЗП и ВЗ в полосе
перекрытия, т.е. в полосе состояний с
одинаковыми энергиями ЗП и ВЗ. На рис.22
потолок этой полосы совпадает с потолком
ВЗ на р-стороне, а дно полосы с дном ЗП
наn-стороне. Вне этой
полосы нет исходных электронов с энергией
выше потолка ВЗ и нет свободных конечных
состояний для переходов ниже дна ЗП.
Скорость
туннелирования
,
при туннельном переходе сохраняется
энергия электрона и волновой вектор
в направлении туннелирования, в отличии
от лавинного пробоя электрон не
рассеивается при туннелировании и
поэтому не изменяет свою энергию и
импульс.
Пороговым
значением напряжения
,
при котором начинается туннелирование,
будет напряжение
,
здесь
и
- расстояния от уровня Ферми соответственно
до дна ЗП наn-стороне и
до потолка ВЗ на p-стороне. Для
сильнолегированных вырожденных
материалов
и
могут быть выше дна ЗП и ниже потолка
ВЗ, тогда
будет положительной величиной. В
туннельном диоде туннелирование
прекращается уже при прямом напряжении
на переходе, рис. 23.

Рис. 23.Туннельные токи вp-nпереходе:
1
- невырожденные n- иp-
материалы,
и
внутри запрещенной зоны,
;
2
- вырожденные n- иp-
материалы,
в зоне проводимости и
в валентной зоне,
;
2.9. Лавинное умножение
Лавинное
умножение является результатом разрыва
валентных связей свободными носителями,
набравшими в электрическом поле
кинетическую энергию больше ширины
запрещенной зоны. Максимальная энергия,
набираемая носителями в поле
на средней длине свободного пробега
,
будет равна
,
и только в том случае, если поле совпадает
с направлением движения носителя. Длина
свободного пробега вдоль поля, достаточная
для набора энергии, равной ширине
запрещенной зоны
,
составит уже
,
а вероятность того, что носитель имеет столь большую длину свободного пробега, очевидно не превышает
.
В уравнении непрерывности вклад лавинного умножения выступает в качестве члена, пропорционального току, а точнее, проекции тока на направление электрического поля. Поперечная компонента поля, естественно, не меняет энергию движущегося носителя. В одномерном случае
. (2.6)
Коэффициент
ионизации
представляет собой обратное расстояние,
на котором
,
точнее, в (15)
— расстояние, на котором ток увеличивается
в
раз. По порядку величин
,
действительно
в столь сильном поле, что
,
акты рождения новых электронно-дырочных
пар будут происходить на каждой длине
свободного пробега и
.Приведенные соображения вполне достаточны
для понимания аппроксимирующих
зависимостей коэффициентов ионизации
от электрического поля.
Дифференциальное уравнение с учетом различных коэффициентов умножения для электронов и дырок имеет вид
(2.7)
Коэффициент
умножения для электронов
представляет собой отношение электронных
токов с учетом и без учета лавинного
умножения
.
Коэффициент
умножения может быть получен интегрированием
(2.7) по всей области сильного поля, пусть
для определенности это будет вся область
пространственного заряда перехода
.
Общее соотношение (2.7) допускает два
предельных случая лавинного умножения;
монополярное и биполярное. При монополярном
умножении один из коэффициентов, обычноan, намного
превышает другой.
Тогда,
пренебрегая
,
,
,
.
Монополярное умножение характеризуется
сравнительно медленным экспоненциальным
нарастанием тока с напряжением.
Противоположному случаю биполярного
умножения соответствует
,
,
теперь уже все носители, и электроны и
дырки, участвуют в лавинном умножении.
Тогда
и
при

.
Величина
имеет размерность и физический смысл
объемной скорости генерации
электронно-дырочных пар. Даже при
лавинных токах
она достигает величин
,
поскольку
в узких областях генерации порядка
.
На рис. 24 показана схема размножения электронно-дырочных пар из одного первичного электрона. Каждый из носителей внутри ОПЗ рождает новую электронно-дырочную пару прежде, чем он улетит в свою область, т.е. электроны на n-, дырки наp-сторону материала.
Рис.
24. Схема
размножения электронно-дырочных пар
при биполярном умножении
в ОПЗ p-n
перехода. Первичный
электрон 1, пролетая ОПЗ шириной ,
создает новую пару. Электроны 1 и 2
покидают ОПЗ, а дырка движется в сторону
p-области
и создает новую пару в точке 0. Электрон
3 повторяет путь электрона 1. Из одного
электрона рождается сколько угодно
новых электронно-дырочных пар.
