- •Электронная оже-спектроскопия
- •Физические основы метода
- •2.1. Спектры Оже-электронов
- •2.2. Вероятность Оже-перехода
- •2.3. Глубина выхода
- •2.4. Химические сдвиги
- •2.5. Тонкая структура Оже-спектров
- •1.1.7 Качественный анализ методом электронной Оже-спектроскопии
- •2.6.1. Метод внешних эталонов
- •2.6. Количественный анализ методом электронной Оже-спектроскопии
- •2.6.2. Метод коэффициентов элементной чувствительности
- •2.6.3. Метод учета коэффициентов выхода
- •2.7. Послойный анализ методом электронной Оже-спектроскопии
- •3. Описание установки
- •2.2 Обоснование необходимости наличия сверх высокого вакуума
- •2.3 Турбомолекулярный насос
- •2.4 Ионно-адсорбционный насос
- •2.5 Электронная пушка
- •2.6 Энергоанализатор
- •2.7 Требования к энергетическому разрешению
- •2.8 Ионная пушка
- •4. Указания по технике безопасности
- •5. Порядок выполнения работы
- •6. Обработка результатов эксперимента
- •7. Контрольные вопросы
- •Литература
2.6.2. Метод коэффициентов элементной чувствительности
Совершенно очевидно, что расчет всех параметров, приведенных в уравнении (4), довольно сложен и сопряжен с большими ошибками. Поэтому, на практике пытаются осуществить замену возможно большого числа переменных константами и калибруют сигналы от атомов различного сорта для известных (стандартных) поверхностей. Наиболее простой и наиболее распространенный приближенный метод количественного анализа в ЭОС - метод коэффициентов элементной чувствительности.
Отправной точкой метода коэффициентов элементной чувствительности является допущение, что интенсивность Оже-сигнала Ii элемента i просто пропорциональна его концентрации на поверхности Xi. Это соответствует замене всех сомножителей в уравнении (4), кроме Xi , константой Si:
|
|
(7) |
Коэффициент Si определяет чувствительность метода к данному элементу и поэтому называют коэффициентом элементной чувствительности. Коэффициенты элементной чувствительности можно определить из атласов эталонных спектров чистых элементов. Коэффициенты элементной чувствительности Si и энергии Оже-пиков Ei некоторых элементов приведены в таблице 1.
Таблица 1 - Коэффициенты элементной чувствительности Si и энергии Оже-пиков Ei некоторых элементов (Ep = 3 кэВ)
|
Элемент |
Ei, эВ |
Si |
Элемент |
Ei, эВ |
Si |
|
C |
272 |
0,18 |
S |
152 |
0,80 |
|
N |
- |
0,11 |
Ba |
584 |
0,12 |
|
O |
503 |
0,51 |
In |
404 |
0,96 |
|
Si |
92 |
0,35 |
Sb |
454 |
0,60 |
|
P |
120 |
0,24 |
Fe |
703 |
0,23 |
|
Cl |
181 |
1,15 |
Be |
104 |
0,13 |
|
Ca |
291 |
0,48 |
Ag |
351 |
1,00 |
Все спектры в этом атласе сняты в идентичных условиях и перед записью каждого спектра производилась калибровка по сигналу серебра с энергией 351 эВ (возможна калибровка и по сигналу других химических элементов, например – меди). Для каждого спектра указана чувствительность спектрометра. В этом случае коэффициент элементной чувствительности определяется по формуле:
|
|
(8) |
где
- амплитуда Оже-пика элемента i
в атласе,
- амплитуда Оже-пика Ag
(351 эВ) в этом же атласе,
ki - чувствительность спектрометра, указанная в атласе (kAg = 1).
Сумма всех концентраций
всех элементов в системе равна
,
где n
- число элементов в исследуемой системе,
то из уравнения (7) получим рабочую
формулу для вычисления концентраций
элементов на поверхности.
|
|
(9) |
где Si, Sj – коэффициенты относительной чувствительности к элементу i и j, соответственно.
Очевидно, что, вводя коэффициенты чувствительности, не зависящие от матрицы, мы пренебрегаем изменением обратного рассеяния и глубины выхода в зависимости от материала, и, следовательно, метод, в общем, является полуколичественным. Два важных преимущества такого метода – отсутствие эталонов и нечувствительность к шероховатости поверхности. Последнее объясняется тем, что все Оже-пики одинаковым образом зависят от топографии поверхности [1].
2.6.3. Метод учета коэффициентов выхода
Интенсивность линии интересующего элемента в этом методе относится не к суммарной интенсивности всех линий, наблюдаемых в Оже-спектре, а к интенсивности линии эталона. Для каждого элемента можно ввести определенный коэффициент выхода D (зависящий от энергии первичного пучка и от матрицы).
Коэффициентом выхода называется количество эмитированных Оже-электронов в расчете на один первичный электрон. Атомная концентрация элемента Х рассчитывается путем сравнения интенсивности его линии Iх с интенсивностью линии эталона Iet, измеренной в тех же условиях:
|
|
(10) |
где Dх и Det – коэффициенты выхода Оже-электронов для исследуемого и эталона, соответственно.
В качестве эталона в методе ЭОС обычно используется серебро (линия MVV, Em = 354 эВ). Значения коэффициентов выхода для каждого элемента для разных значенийEp(энергии первичного пучка) приведены в справочниках.

