Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторная_работа_5.pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
03.05.2015
Размер:
716 Кб
Скачать
☆

СЗМ NanoEducator. Учебное пособие

4.10.Если получаемое изображение содержит артефакты сканирования (соседние линии на скане не повторяются, имеются вылеты зонда из обратной связи вследствие неустойчивого туннельного контакта), то остановите сканирование и попробуйте стабилизировать контакт путем изменения значения параметров:

Усиление ОС

1 –

3;

Рабочая точка

0.2

– 1 нA;

Напряжение

-2 ÷ -1 В.

Если величина Z на индикаторе Сканер начнет уменьшаться, увеличьте один из параметров Усиление ОС или Рабочая точка пока величина Z не восстановится.

Осуществите измерение рельефа поверхности в режиме постоянного туннельного тока. Сохраните полученные результаты.

4.11.После окончания эксперимента закройте окно сканирования и осуществите отвод зонда от образца.

2.7.Контрольные вопросы

1.Назовите основные компоненты СТМ и их назначение. Объясните принцип работы СТМ на примере туннельного контакта двух проводников.

2.Поясните устройство и принцип действия туннельного сенсора. Опишите основные параметры, которые вы будете определять в работе.

3. Что такое режим постоянного тока и постоянной высоты? Что такое V- и Z-модуляция? Для чего они применяются?

4.Туннельная спектроскопия. Объясните влияние направления туннелирования электронов на изображение поверхности кремния.

5.Назовите факторы, определяющие качество изображения в СТМ. Какие требования предъявляются к СТМ-зонду?

2.8.Литература

Лит. 2-1. Г. Бинниг, Г. Рорер. Сканирующая туннельная микроскопия – от рождения к юности – Нобелевские лекции по физике – 1996. УФН, т. 154 (1988), вып.2, с. 261.

Лит. 2-2. J.A. Kubby, J.J. Boland. Scanning Tunneling Microscopy of Semiconductor Surfaces. Eslevier, 1996 (Surface Science Reports, 26 (1996) 61-204).

2-18