- •Интегральные устройства радиоэлектроники
- •Тонкопленочной имс частного применения
- •Оглавление
- •Анализ задания
- •Исходные данные
- •Поверочный расчёт пленочных конденсаторов.
- •Анализ предназначения устройства
- •Анализ элементов схемы
- •Поверочные расчёты
- •1. Поверочный расчет пленочных резисторов.
- •Выбор резистивного материала
- •Проверка соответствия выбранного материала.
- •Вычисление коэффициентов формы резисторов.
- •Расчет геометрических размеров.
- •Расчет толстопленочных резисторов.
- •1.Разбивка резисторов на группы.
- •2. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы.
- •3. Выбор резистивной пасты для каждой группы.
- •4. Определение коэффициентов формы резисторов.
- •Группа 1
- •5.1. Определение ширины.
- •5.2. Определение длины.
- •6.1. Расчет длины.
- •6.2. Определение ширины.
- •7. Определение длин резисторов с учетом перекрытия.
- •Расчет тонкопленочных конденсаторов. Исходные Данные
- •Выбор диэлектрика
- •Определение минимальной толщины диэлектрика.
- •Расчёт максимальной удельной емкости из условия обеспечения электрической прочности.
- •Определение максимально допустимой относительной погрешности активной площади конденсатора.
- •Определение расчетной емкости конденсатора.
Расчет тонкопленочных конденсаторов. Исходные Данные
|
№ |
Ci, пФ |
Gc, % |
|
1 |
1000 |
10 |
|
2 |
1600 |
2 |
|
3 |
3300 |
10 |
|
4 |
150 |
10 |
|
5 |
2200 |
10 |
|
Параметр |
Величина |
|
UP ,В |
12 |
|
Tmax ,°C |
90 |
|
Tmin ,°C |
-60 |
Технология изготовления – масочная.
Примечание:С2- точный конденсатор и выполняется в виде навесного элемента и из расчёта исключается.
Выбор диэлектрика
По рабочему напряжению (12В), из справочной таблицы выбираем материал диэлектрика.
В таблице ниже указан выбранный материал диэлектрика, материал обкладок конденсатора и параметры, необходимые для расчета.
|
Материал |
Параметры | ||||||||
|
Резистивной пленки |
Обкладок |
Удельное поверхностное сопротивление обкладок |
Удельная емкость |
Рабочее напряжение |
Диэлектрическая проницаемость на f=1 кГц |
tgδ x103 на f=1 кГц |
Электрическая прочность |
Рабочая частота |
ТКЕx104, При Т=60…125 0С |
|
Ом/кв |
пФ/мм2 |
В |
МВ/см |
МГц |
град-1 | ||||
|
Моноокись германия (ГОСТ 19602-74) |
Алюминий А99 (ГОСТ 11069-64) |
0,2 |
50 |
10 |
12 |
5…7 |
1 |
300 |
3 |
Определение минимальной толщины диэлектрика.
Минимальное значение толщины диэлектрика определяется по формуле:
,
Где
КЗ– коэффициент запаса электрической прочности, для пленочных конденсаторов составляет 2-3.
Епр– электрическая прочность материала диэлектрика



Расчёт максимальной удельной емкости из условия обеспечения электрической прочности.
Удельная емкость определяется по формуле:


Определение максимально допустимой относительной погрешности активной площади конденсатора.
Этот параметр находится из условия:
,
Тогда:

Где
- относительная погрешность конденсатора,
обусловленная технологическими и
конструктивными факторами;
- относительная погрешность удельной
емкости, зависящая от воспроизводимости
свойств;
- относительная погрешность старения
пленок конденсатора
-
относительная температурная погрешность.

Для всех конденсаторов кроме С2, имеем:

Определим из условия обеспечения точности емкости конденсатора
С=36 пФ – емкость наименьшего по номиналу конденсатора
Δ=0,001 см

Определим значение удельной емкости из условия обеспечения минимальной площади, занимаемой конденсатором.
Этот параметр определяется по формуле:
,
где
С=150 пФ – емкость наименьшего по номиналу конденсатора
S=0,01 см2– минимально допустимый размер обкладок конденсатора.
Имеем:

Определение расчетной емкости конденсатора.
Расчетная емкость конденсатора выбирается как наименьшее из трех значений рассчитанных выше, т.е.:

|
пФ/см2 |
пФ/см2 |
пФ/см2 |
|
29513 |
2709,325 |
1223,76 |


4.8. Определение активной площади пленочного конденсатора.
Площадь конденсатора вычисляется по формуле:

где

|
№ |
Сi, пФ |
|
K |
Sсм2 |
|
1 |
1000 |
12230,76 |
1 |
0,82 |
|
3 |
3300 |
1 |
2.70 | |
|
4 |
150 |
0.56 |
0,12 | |
|
5 |
2200 |
1 |
1.80 | |
|
|
|
|
|
4.9. Определение размеров верхней обкладки конденсатора.




4.10. Определение размеров нижней обкладки конденсатора.




4.11. Определение размера диэлектрического слоя.




4.12. Определение площади, занимаемой конденсатором на подложке.




4.13 Поверочный расчет.










Определим
напряжённость электрического поля в
диэлектрике
,
и полученное значение сравним с
:

Расчет конструкции конденсатора проведен правильно.
4.14 Таблица результатов.
|
|
C1 |
C2 |
C4 |
C5 |
|
L |
9,04 |
16,42 |
3,50 |
13,41 |
|
Lн |
9,44 |
16,82 |
3,90 |
13,81 |
|
Lg1 |
9,64 |
17,02 |
4,10 |
14,01 |
|
Lg1округ |
9,70 |
17,10 |
4,10 |
14,10 |
|
S |
94,09 |
292,41 |
16,81 |
198,81 |
|
Номинал (пФ) |
1000 |
3300 |
150 |
2200 |
Расчет толстопленочных конденсаторов.
6.1. Выбор диэлектрической и проводящей паст.
По диапазону номинальных значений (150…3300) выбираем диэлектрическую пасту по таблице электрофизических характеристик:
|
Марка пасты |
Толщина пленки |
Минимальный размер |
Отклонение емкости от номинала |
Удельная емкость |
tgδx102 при f=1,5 МГц |
ТКЕх104 При Т=60…125 0С |
Пробивное напряжение |
|
|
мкм |
мм |
% |
пФ/мм2 |
|
град-1 |
В |
|
ПК-12 |
40…60 |
1х1 |
±15 |
100 |
3,5 |
- |
500 |
Выберем проводящую пасту для обкладок конденсатора:
|
Марка пасты |
Толщина пленки |
Удельное поверхностное сопротивление |
Прочность сцепления с керамикой |
Растекаемость |
Шероховатость поверхности пленки |
|
|
мкм |
Ом/кв. |
Па |
мкм |
мкм |
|
ПП-1 |
10…20 |
0,05 |
5*106 |
50 |
5 |
6.2. Определение площади верхней обкладки конденсатора.
Этот параметр определяется по формуле:

Конденсаторы С3 и С5 заменим конденсаторами с меньшей емкостью соединенными параллельно С2, С3 и С6, С7 соответственно.
|
Ci |
С, пФ |
S,мм2 |
|
1 |
1000 |
10.0 |
|
3 |
1650 |
16,5 |
|
4 |
1650 |
16.5 |
|
5 |
150 |
1,5 |
|
6 |
1100 |
11.0 |
|
7 |
1100 |
11.0 |
6.3. Определение геометрических размеров верхней обкладки конденсатора.
Для обкладок квадратной формы:

|
Ci |
L,B, мм |
|
1 |
3.162 |
|
3 |
2.873 |
|
4 |
2.873 |
|
5 |
1.825 |
|
6 |
2.645 |
|
7 |
2.645 |
6.4. Определение геометрических размеров верхней обкладки конденсатора.
Размеры верхней обкладки вычисляются по формуле:
,
Где p=0,3мм – перекрытие между нижней и верхней обкладками
|
Ci |
Lн,Bн, мм |
|
1 |
3.762 |
|
3 |
3.183 |
|
4 |
3.183 |
|
5 |
1.825 |
|
6 |
2.645 |
|
7 |
2.645 |
6.5. Определение геометрических размеров диэлектрика.
Размеры диэлектрика вычисляются по формуле:
,
Где f=0,2мм – перекрытие между нижней обкладкой и диэлектриком.
|
Ci |
Lg,Bg, мм |
|
1 |
4.162 |
|
3 |
3.383 |
|
4 |
3.383 |
|
5 |
2.225 |
|
6 |
2.845 |
|
7 |
2.845 |
6.6. Определение площади, занимаемой конденсатором на плате.
Габаритная площадь конденсатора вычисляется по формуле:

|
Ci |
Sg, мм2 |
|
1 |
17.325 |
|
2 |
22,742 |
|
3 |
22.742 |
|
4 |
4.949 |
|
5 |
16.191 |
|
6 |
16.191 |
6.7 Подбор навесного конденсатора С2 = 1600 пФ




пФ/см2