- •Содержание
- •1 Требования к оформлению курсового проекта 7
- •2 Основные положения проектирования 17
- •Введение
- •1 Требования к оформлению курсового проекта
- •1.1 Титульный лист
- •1.2 Реферат
- •1.3 Техническое задание на проектирование
- •1.5 Введение
- •1.6 Основная часть
- •1.7 Заключение
- •1.8 Список использованных источников
- •1.4 Содержание проекта
- •1.9 Приложения
- •1.10 Требования к тексту расчетно-пояснительной записки
- •1.11 Требования к оформлению графической части проекта
- •2 Основные положения проектирования
- •Б) дополнительные:
- •2.1 Назначение основных блоков сгэп и их реализация
- •2.2 Описание работы сгэп по структурной схеме
- •2.3 Расчет основных блоков сгэп
- •2.3.1 Расчет входного выпрямителя и фильтра
- •2.3.2 Выбор и расчет схемы силового инвертора
- •Суммарные потери в ключе:
- •Суммарные потери в ключе с формированием траектории переключения:
- •Суммарные потери в ключе:
- •Суммарные потери в ключе:
- •2.3.3 Расчет силового трансформатора
- •Число витков в первичной обмотке:
- •2.3.4 Расчет выходного фильтра
- •2.3.5 Расчет параметров аккумуляторной батареи
- •2.3.6 Расчет разрядного устройства
- •2.3.7 Расчет зарядного устройства
- •2.3.8 Расчет усилителей мощности
- •Сопротивление резистора r3:
- •Выбираем резистор с2-13-05 — 43Ом±10 % [Приложение г].
- •2.3.9 Схема управления сгэп
- •2.3.10 Блок обратной связи
- •2.3.11 Блок защиты
- •2.3.12 Устройство контроля напряжения питающей сети
- •2.3.13 Блок питания собственных нужд
- •Заключение
- •Список использованных источников
- •П риложение д (справочное) Резисторы переменные
- •П риложение е (справочное) Конденсаторы керамические
- •Конденсаторы к73-16
- •Конденсаторы к78-2
- •Конденсаторы к50-6 и к50-15
- •Конденсаторы к50-20 и к50-29
- •П риложение ж (справочное) Дроссели на рабочие частоты до 5 кГц
- •Дроссели на рабочие частоты до 100 кГц (1 мГц)
- •П риложение к (справочное) Данные обмоточных проводов круглого поперечного сечения
- •П риложение л (справочное)
- •Характеристики электротехнической стали
- •Магнитная индукция электротехнической
- •Листовой стали на частоте 50 Гц
- •Магнитная индукция электротехнической ленточной стали на частоте 400 Гц
- •П риложение м (справочное) Магнитопроводы из электротехнической стали шл
- •Конструкция магнитопровода броневого типа (шл)
- •Магнитопроводы из электротехнической стали пл
- •Конструкция магнитопровода стержневого типа (пл)
- •П риложение н (справочное)
- •Кольцевые сердечники наружным диаметром свыше 31 мм
- •Конструкция магнитопровода тороидального типа (к)
- •Размерный ряд ш-образных сердечников типа ш, мм
- •Конструкция магнитопровода ш-образного типа
- •Броневые сердечники типа чашек
- •Конструкция магнитопровода типа чашка
- •П риложение п (справочное)
- •Параметры маломощных биполярных n-p-n-транзисторов
- •Параметры мощных биполярных p-n-p-транзисторов
- •Параметры мощных биполярных n-p-n-транзисторов
- •П риложение р (справочное) Параметры полевых транзисторов
- •П риложение с (справочное)
- •Параметры выпрямительных столбов
- •Диодные сборки
- •П риложение т (справочное) Характеристики стабилитронов и стабисторов
- •П риложение у (справочное) Характеристики тиристоров
- •П риложение ф (справочное) Микросхемы аналоговые Характеристики операционных усилителей типа к140уд
- •Характеристики операционных усилителей типа к153уд
- •П риложение х (справочное) Интегральные стабилизаторы напряжения 142ен
- •П риложение э (справочное) Микросхемы цифровые х stu арактеристики микросхем серии 1533
- •П риложение ю (справочное) Аккумуляторы кислотные и щелочные Характеристики свинцово-кислотных герметичных
- •З арядная характеристика кислотных аб Характеристики никель-кадмиевых герметичных аккумуляторов
- •Р азрядные характеристики никель-кадмиевых аб
- •Зарядная характеристика никель-кадмиевых
- •Г ерметичных аккумуляторов
- •П риложение я (обязательное)
П риложение ф (справочное) Микросхемы аналоговые Характеристики операционных усилителей типа к140уд
Тип микросхемы |
К140 УД1 А/Б |
К140 УД2 |
К140 УД5 А/Б |
К140 УД6 |
К140 УД7 |
К140 УД8 |
К140 УД9 |
К, тыс. |
0,9/2 |
30 |
1,5/2,5 |
50 |
50 |
30 |
30 |
± Uпит, В |
6,3/12.6 |
9–18 |
6/13 |
5–20 |
5–20 |
15 |
9–18 |
Iпот, мА |
6/12 |
8 |
10 |
3 |
3 |
5 |
8 |
± есм, мВ |
7 |
5 |
8/ 7 |
8 |
4 |
50 |
5 |
iвх, нА |
5×103 8× 103 |
700
|
1×103 6×103 |
50
|
200
|
0,2
|
300
|
∆iвх,нА |
1,5×103 |
200 |
300 1000 |
15 |
50 |
0,1 |
100 |
± Uдф, В |
1,5 |
4 |
3 |
30 |
20 |
6 |
4 |
±Ucф, В |
3/6 |
6 |
6 |
11 |
15 |
10 |
7 |
f, MГц |
3/8 |
1 |
5/10 |
1 |
0,8 |
1 |
1 |
±Uвых, В |
2,8/5,7 |
10 |
5 |
12 |
11 |
10 |
10 |
Rн, кОм |
5 |
1 |
5 |
1 |
2 |
2 |
1 |
Зарубежный аналог |
μ А702 |
– |
– |
– |
МС 1456 |
μ А741 |
μ А740 |
Кос R, кОм С, нФ Кос R1,Ом С1, нФ С2, нФ С3, нФ
1 0,02 10 1 470 15 2,2 15
10 0,2 1 10 470 6,8 1 15
100 2 0,1 100 470 6,8 0,47 6,8
Тип микросхемы |
К140 УД10 |
К140 УД11 |
К140 УД14 |
К140 УД17 |
К140 УД20 |
|
К, тыс. |
50 |
30 |
50 |
150 |
50 |
|
±Uпит, В |
5–18 |
5–18 |
5–20 |
5–18 |
5–20 |
|
Iпот, мА |
10 |
8 |
1 |
5 |
3 |
|
± есм, мВ |
5 |
10 |
5 |
0,25 |
5 |
|
iвх,нА |
500 |
500 |
5 |
10 |
100 |
|
∆iвх,нА |
150 |
200 |
1 |
5 |
30 |
|
±Uдф, В |
4 |
10 |
13 |
15 |
10 |
|
±Ucф, В |
6 |
11 |
13 |
13 |
12 |
|
f, MГц |
15 |
15 |
0,5 |
0,4 |
0,5 |
|
±Uвых, В |
12 |
12 |
12 |
12 |
11 |
|
Rн, кОм |
2 |
2 |
1 |
2 |
1 |
|
Зарубежный аналог |
– |
LМ 318 |
LМ 108 |
ОР 07Е |
А 747 |
|
