- •1.Рентгеновское исследование нанообъектов
- •2.Компьютерное моделирование нанообъектов
- •3. Основные узлы и варианты наноиндентора
- •4. Сканирующая туннельная микроскопия
- •5. Атомно-силовая микроскопия
- •6. Системы защиты микроскопа.Узлы зондового микроскопа???
- •7. Электросиловая микроскопия
- •8. Магнитно-силовая микроскопия
- •9. Ближнепольная оптическая микроскопия
- •10. Управление перемещением зонда микроскопа. Определение смещения кантиливера
6. Системы защиты микроскопа.Узлы зондового микроскопа???
При наноиндентировании, как и при любом другом методе измерений может возникать ряд погрешностей. Их источниками являются измерительная техника, методика расчетов или сам образец. Всего набирается более десятка причин появления погрешностей в определении глубины отпечатка к. наличие "начального отпечатка", тепловой дрейф, конечная жесткость силовой рамы, несовершенная геометрия индентора, образование навалов ("pile up") и провалов ("sink in") по контуру отпечатка, масштабный эффект в твердости, шероховатость поверхности, остаточные напряжения, негомогенность тестируемой поверхности. По отношению ко всем выработаны способы учета и снижения их влияния на результат…
7. Электросиловая микроскопия
электросиловая микроскопия, в которой зонд и исследуемая поверхность образуют конденсатор ёмкостью С. На зонд наносится проводящее покрытие и подаётся переменное напряжение различной частоты. На поверхности возникает потенциал, зависящий от диэлектрических характеристик поверхности, что позволяет изучать состояние поверхности с высоким разрешением.
Электросиловая микроскопия. В электросиловой микроскопии для получения информации о свойствах поверхности используется электрическое взаимодействие между зондом и образцом. Рассмотрим систему, состоящую из зондового датчика, у которого зонд имеет проводящее покрытие, и образца, представляющего собой тонкий слой материала на хорошо проводящей подложке.
Пусть между зондом и образцом подано постоянное напряжение U0 и переменное напряжение U~ = U1 ·Sin(ωt). Если тонкий слой на подложке представляет собой полупроводник или диэлектрик, то он может содержать поверхностный заряд, так что на поверхности образца существует распределение потенциала φ(x,y) . Напряжение между зондом и поверхностью образца можно представить в виде
.

Схема измерения электрического взаимодействия зонда с образцом.
Система
зонд – образец обладает некоторой
электрической емкостью С,
так что энергия такой системы может
быть представлена в следующем виде:
.
Тогда электрическая сила взаимодействия
зонда и образца равна
.
А ее Z-компонента может быть представлена
в виде
.
Детектирование
амплитуды колебаний кантилевера на
частоте 2ω позволяет исследовать
распределение вдоль поверхности величины
-
производной от емкости по координате
z. С помощью этого метода можно изучать
локальные диэлектрические свойства
приповерхностных слоев образцов. Для
получения высокого разрешения в данной
методике необходимо, чтобы электрическая
сила в системе зондовый датчик - образец
определялась, в основном, взаимодействием
между зондом и поверхностью.
Поскольку
сама величина
зависит
от расстояния зонд-образец, для
исследования диэлектрических свойств
образцов применяется двухпроходная
методика. В каждой строке сканирования
производится следующая процедура. На
первом проходе с помощью пьезовибратора
возбуждаются колебания кантилевера на
частоте, близкой к резонансной частоте
,
и снимается АСМ изображение рельефа в
"полуконтактном" режиме. Затем
зондовый датчик отводится от поверхности
на расстояние
,
между зондом и образцом подается
переменное (на частоте
)
напряжение, и осуществляется повторное
сканирование. На втором проходе датчик
движется над поверхностью по траектории,
повторяющей рельеф образца. Поскольку
в процессе сканирования локальное
расстояние между зондовым датчиком и
поверхностью в каждой точке постоянно,
изменения амплитуды колебаний кантилевера
на частоте 2ω будут связаны с изменением
емкости системы зонд-образец вследствие
изменения диэлектрических свойств
образца.

Двухпроходная методика ЭСМ.
Таким
образом, итоговый ЭСМ кадр представляет
собой двумерную функцию
,
характеризующую локальные диэлектрические
свойства образца.
Детектирование
сигнала на частоте
позволяет
изучать распределение поверхностного
потенциала
(так
называемый метод Кельвина).
Для
этого при сканировании образца на втором
проходе в каждой точке производится
следующая процедура. С помощью
перестраиваемого источника постоянного
напряжения подбирается величина U0
таким
образом, чтобы амплитуда колебаний
кантилевера на частоте
становилась
равной нулю. Это происходит в том случае,
если U0
=
в
данной точке поверхности.
