Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Методичка 71-72 2012.doc
X
- •Министерство образования и науки российской федерации
- •«Тюменский государственный нефтегазовый университет»
- •Физика твёрдого тела, часть 1
- •К лабораторным работам по дисциплине «Физика»
- •Теоретическое введение к лабораторным работам по физике твёрдого тела
- •1. Образование энергетических зон в кристалле
- •2. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •3. Собственная и примесная проводимость полупроводников
- •4. Примесная проводимость полупроводников
- •Вопросы к теоретическому введению
- •6. Литература
- •Лабораторная работа №7-1 Исследование температурной зависимости сопротивления металлов и полупроводников
- •1. Постановка задачи
- •1.1. Сопротивление, концентрация носителей заряда, подвижность.
- •1.2. Электропроводность металлов
- •1.3. Электропроводность полупроводников
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Обработка результатов измерений
- •5. Требования к отчёту
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •Лабораторная работа №7-2 Исследование электронно-дырочных переходов в полупроводниках
- •1. Постановка задачи
- •1.1. Проводимость полупроводников
- •1.2. Электронно-дырочный переход
- •1.3. Вольт-амперная характеристика
- •1.4. Применение полупроводниковых диодов
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •3.1. Исследование вольт-амперной характеристики p-n-перехода при комнатной температуре.
- •3.2. Измерение температурной зависимости обратного тока p-n-перехода
- •4. Обработка результатов
- •5. Требования к отчёту
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •Дополнительное задание к лабораторной работе №7-2
- •625036, Г.Тюмень, ул. Володарского, 38.
- •625039, Г.Тюмень, ул. Киевская, 52
625036, Г.Тюмень, ул. Володарского, 38.
Типография библиотечно-издательского комплекса
625039, Г.Тюмень, ул. Киевская, 52
1)
Инжекционный ток
часто называют диффузионным током,
т.к. он вызван диффузией основных
носителей заряда через понизившийся
потенциальный барьер.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
