Система - параметрів

Оберемо в якості незалежних змінних вхідні та вихідні напруги. Тоді рівняння чотириполюсника будуть мати вигляд:

(1)

де - вхідна провідність при .

Неважко бачити, що y₁₁ є величиною зворотною h₁₁: , - провідність зворотної передачі (зворотного зв’язку ) при .

Параметр y₁₂ вказує, яка змінна струму I₁ отримується за рахунок зворотного зв’язку при зміні вхідної напруги U₂ на 1В.

- провідність прямої передачі при , або провідність керування (крутизна). Величина y₂₁ характеризує керуючу дію вхідної напруги U₁ на вихідний струм I₂ і показує зміну I₂ при зміні U₁ на 1В; значення y₂₁ - десятки та сотні міліампер на вольт (мілісименс). – вихідна провідність при .

Відмітити слід, що y₂₂ та h₂₂ в різними величинами, т.д. вони визначаються при різних умовах ( U₁=const і i₁ =const ).

Параметр y₂₁ пов’язаний із h - параметрами простим співвідношенням.

(2)

В систему y - параметрів іноді додають ще статичний коефіцієнт підсилення за напругою:

, при I₂=const (3)

Параметр пов’язаний з іншими y - параметрами співвідношенням:

(4)

і складає у транзисторів тисячі.

Звернемо увагу на рівняння ( 1). Ці рівняння вказують, що вхідний струм I₁ складається із струму, як створюється вхідною напругою U₁ в елементі y₁₁ схеми, і струму, виникаючого у вхідному колі від напруги U₂ за рахунок зворотного зв’язку. А вихідний струм I₂ складається із підсиленого струму y₂₁U₁ і струму, що створюється в елементі y₂₂ напругою U₂ .

Д ля системи y - параметрів може бути використана еквівалентна схема, що зображена на мал.1 і відповідає рівнянням (1). В такій схемі генератор струму y₂₁U₁ враховує підсилення, що створюється транзистором, а генератор струму y₁₂U₂ - внутрішній зворотній зв’язок в транзисторі.

Іноді транзистор уявляють в вигляді еквівалентної П-подібної схеми з провідностями (мал. 2), які пов‘язані із у-параметрами слідуючими співвідношеннями:

у₁ = у₁₁ + у₁₂;

у₂ = у₂₂ + у₂₁;

у₀ = - y₁₂;

у = у₂₁- у₁₂

Генератор струму уU₁ в даній схемі враховує підсилення струму.

На низьких частотах у-параметри є дійсними величинами та являють собою диференціальні провідності при заданих сталих складових вхідної U₁ та вихідної U₂ напруг. Оскільки струми в транзисторі різко (експоненціально) залежать від напруги U,а значить і від U₁, навіть невелика похибка встановлення U₁ при вимірюваннях призводить до великої похибки при визначенні y-параметрів. Тому на низьких частотах вимірюють та наводять в довідниках на y-, та h–параметри. На високих частотах точність вимірювання h–параметрів знижується і простіше вимірювати y-параметри. Вони більш зручні для опису високочастотних властивостей транзистора та аналізу підсилювальних схем.

Переваги у-параметрів – їх подібність до параметрів електронних ламп. Недолік полягає в тому, що практично дуже важко, вимірюючи у₁₂ та у₂₂, забезпечити режим короткого замикання для змінного струму на вході, так як вхідний опір самого транзистора малий, а опір приладу, що вмикається для вимірювання вхідного струму (мікроамперметра або міліамперметра), не може створювати коротке замикання на вході.