- •2.5. Содержание и выполнение курсового проекта
- •2.6. Содержание самостоятельной работы студента
- •3. Рекомендуемая литература
- •Статика процессов
- •2. Материальный баланс
- •3. Энергетический /тепловой/ баланс
- •4. Кинетика процессов
- •5. Основной размер аппарата
- •6. Технико-экономический анализ
- •1/ Физическое моделирование
- •2/ Математическое моделирование
- •3/ Элементное моделирование
- •1/ Разделение газовых неоднородных систем
- •2/ Разделение жидких неоднородных систем
- •Часть 4
- •3/ Псевдоожижение
- •4/ Перемешивание
- •1. Перемешивание газов.
- •2. Перемешивание ньютоновских жидкостей.
- •3. Перемешивание неньютоновских жидкостей
- •4. Перемешивание твердых сыпучих материалов.
- •Испытание элементного теплообменника
- •Конденсатор
- •Кипятильник
- •1. Тепловая нагрузка аппарата.
- •2. Средняя разность температур.
- •3. Расчётный коэффициент теплопередачи.
- •Выпаривание
- •Схемы выпаривания
- •Выпаривание
- •Некоторые свойства растворов при выпаривании
- •1. Растворимость.
- •2. Движущая сила и температурные депрессии.
- •3. Теплота растворения.
- •Многократное выпаривание
- •1. Материальный баланс.
- •2. Тепловой баланс.
- •Баланс тепла:
- •3. Полезная разность температур.
- •Распределение полезной разности температур.
- •4. Поверхность теплопередачи.
- •Оптимальное число корпусов выпарной установки.
- •5. Конструкции выпарных аппаратов.
- •Особенности расчёта коэффициента теплопередачи.
- •Перегонка Простая, периодического действия.
- •Непрерывная перегонка.
- •Перегонка с водяным паром.
- •Молекулярная перегонка.
- •Ректификация
- •Материальный баланс
- •Тепловой баланс
- •Уравнения линий рабочих концентраций
- •Оптимальное число флегмы
- •Ректификационные аппараты
- •См. Следующую страницу
- •Расчёт основных размеров колонного аппарата.
- •1. Диаметр колонны.
- •2. Высота колонны.
- •Расчёт тарельчатой ректификационной колонны.
- •Физические свойства компонентов.
- •Расчёты
- •1. Материальный баланс.
- •2. Флегмовое число.
- •3. Высота колонны.
- •4. Диаметр колонны.
- •5. Тепловой баланс.
- •Формы связи влаги с материалом
- •Параметры влажного материала.
- •Конвективная сушка. Параметры влажного воздуха.
- •Диаграмма состояния воздуха.
- •Статика сушки.
- •Материальный баланс.
- •Тепловой баланс. Теоретическая сушилка.
- •Действительная сушилка.
- •Варианты конвективной сушки с представлением на энтальпийной диаграмме.
- •Первый период сушки
- •Второй период сушки
- •1. Прямоток.
- •2. Противоток
- •3. Схема абсорбции с рециркуляцией жидкости.
- •1.Опорная тарелка. 2. Шаровая насадка. 3.Ограничительная тарелка. 4.Оросительное устройство. 5.Брызгоотбойник.
- •Принципиальные схемы экстракции.
- •1. Однократная экстракция для частично растворимых жидкостей.
- •2. Многократная экстракция для частично растворимых жидкостей.
- •Материальный баланс.
- •3. Противоточная экстракция для частично растворимых жидкостей.
- •Адсорбция
- •Краткая история.
- •Адсорбенты.
- •Теории адсорбции.
- •Равновесие в процессе адсорбции.
- •Принципиальные схемы адсорбции
- •Адсорбция с неподвижным зернистым адсорбентом.
- •Частные случаи.
- •Резюме.
- •Адсорбция с псевдоожиженным стационарным слоем адсорбента
- •Адсорбция с движущимся зернистым адсорбентом
- •Расчёт адсорбера.
- •Кристаллизация
- •Методы кристаллизации
- •Статика
- •Кинетика
- •Образование центров кристаллизации.
- •Рост кристаллов.
- •Конструкции кристаллизаторов
- •Расчёт кристаллизаторов.
- •1. Материальный баланс.
- •2. Тепловой баланс.
- •3. Расчёт основных размеров.
- •Содержание
- •Приложения
Методы кристаллизации
1. Изогидрическая или кристаллизация охлаждением – охлаждение раствора в теплообменниках: поверхностных или смешения.
2. Вакуум-кристаллизация – охлаждение раствора под вакуумом с частичным удалением растворителя.
3. Кристаллизация выпариванием – удаление части растворителя при кипении раствора.
4. Кристаллизация нагреванием – нагрев раствора в теплообменниках.
5. Кристаллизация
высаливанием
– добавление к раствору вещества,
понижающего растворимость выделяемой
соли. Например, высаливание NaCl
за счёт добавления
или
.
6. Кристаллизация
вымораживанием
– охлаждение растворов до температуры
ниже 0 0С.
Например, выделение
при охлаждении рапы соляных озёр,
из травильных растворов и др.
7. Кристаллизация в результате химической реакции – создание пересыщения в результате химической реакции, например, получение сульфата аммония при нейтрализации растворов серной кислоты аммиаком:
Статика
Статика включает растворимость чистого вещества, равновесные формы кристаллов и их состав. Применяется для определения начальной и конечной концентраций вещества в растворе (материальный баланс), его температуры (тепловой баланс), движущей силы процесса (кинетика).
Статику обычно
представляют в виде кривой насыщения
(растворимости) на графике
''концентрация-температура'', который
рассматривался для процессов выпаривания
(рис.102).
Форма кривой насыщения определяет наиболее целесообразный метод кристаллизации. Различают четыре формы кривой насыщения, которые представлены на рис.304.
Р
ис.304.
Типичные формы кривой насыщения и
целесообразные методы кристаллизации.
1-крутая (
),
кристаллизация охлаждением, 2-средняя
(
),
вакуум-кристаллизация, 3-пологая (NaCl),
кристаллизация выпариванием,
4-обратная (
),
кристаллизация нагреванием.
Растворение твёрдых веществ обычно сопровождается тепловым эффектом
где
- теплота разрушения кристаллической
решётки (меньше нуля),
- теплота сольватации
(больше нуля).
Если
,
например, для
Если
,
например, для
.
При отсутствии
опытных данных по теплоте кристаллизации
в практических расчётах принимают
ориентировочно
.
Кинетика
Процесс кристаллизации из растворов включает две стадии:
1. образование центров кристаллизации,
2. рост кристаллов.
Образование центров кристаллизации.
Обозначим:
N – число образовавшихся центров,
- скорость образования
центров кристаллизации.
Скорость образования центров кристаллизации зависит от пересыщения
Эту зависимость
часто представляют в виде
.
Существуют теории:
1. гомогенного образования центров (Гиббс, Тамман), согласно которой центрами кристаллизации становятся сиботаксические группы (блоки) вещества в растворе;
2. гетерогенного образования центров (современные авторы), согласно которой центрами кристаллизации могут быть примеси (пылинки) и инородная поверхность.
Рост кристаллов.
Для стадии роста кристаллов применимо основное уравнение массопередачи
(177)
Коэффициент
массопередачи
Коэффициенты массоотдачи:
- учитывает стадию
диффузии вещества к поверхности
кристалла.
Для растворов этот коэффициент определяется из критериального уравнения:
(178)
В уравнении (178)
L – характерный линейный размер кристалла.
Часто полагают
.
- учитывает стадию
поверхностной реакции (миграция молекул
или блоков вещества по поверхности
кристалла до присоединения), надёжных
формул для определения не существует.
При росте кристалла его поверхность переменна F=var.
Поэтому полагают
.
От уравнения (177) переходят к уравнению (179)
(179)
Когда
,
правило Мак-Кэба.
Когда
.
Следовательно
зависимость
отражает преимущество той или иной
стадии роста кристаллов.
Кинетика применяется для определения фракционного состава кристаллов в процессе кристаллизации. Это предсказание приближенно, т.к. трудно учитывать другие факторы (природа кристаллизующейся соли, температура, примеси и др.).
