Вопрос 30 – Полевой транзистор с изолированным затвором, принцип работы, характеристики.

Принцип работы. При отсутствии управляющего напряжения через канал между н областями протекает ток сток. При увеличении напряжения, пн переход между подложкой и каналом смещается в обратном направлении, причем большее обратное напряжение получается вблизи стока. При обратном смещении расширяется электрический слой объединенный подвижными носителями проводящий ток. По мере роста напряжении сток-исток увеличивается сопротивление канала. Рост тока-стока замедляется. При положении положительного заряда к затвору электрическое поле притягивает электроны из подложки. Они скапливаются в области канала сопротивление канала уменьшается, ток стока растет(режим обогащения) при отрицательном напряжении на затворе электрическое поле выталкивает электроны из канала в подложку (режим обеднение). Таким образом . поскольку затвор изолирован от остальной части цепи то мощность цепи транзистора мдм цепи практически равна 0.

Вопрос 31 – Полупроводниковые стабилитроны, вольтамперная характеристика, основные параметры, применение.

Полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).

Обозначение стабилитрона на принципиальных схемах

Параметры

• Напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации. Пробивное напряжение диода, а значит, напряжение стабилизации стабилитрона зависит от толщины p-n-перехода или от удельного сопротивления базы диода. Поэтому разные стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации (от 3 до 400 В).

• Температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации. Значения этого параметра у различных стабилитронов различны. Коэффициент может иметь как положительные так и отрицательные значения для высоковольтных и низковольтных стабилитронов соответственно. Изменение знака соответствует напряжению стабилизации порядка 6В.

• Дифференциальное сопротивление — величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот.

• Максимально допустимая рассеиваемая мощность — максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.

• Минимально допустимый ток стабилизации - минимальный ток, при котором гарантируется ввод p-n-перехода стабилитрона в режим устойчивого пробоя и, как следствие, стабильное значение напряжения стабилизации. При малых обратных токах стабилитрон работает на начальном участке вольт-амперной характеристики, где значение обратного напряжения неустойчиво и может колебаться в пределах от нуля до напряжения стабилизации.