Визначення hб-параметрів за статичними характеристиками транзистора

Для визначення h_б-параметрів транзистора використовують метод характеристичного трикутника. Як приклад розглянемо рис.4 і рис.5.

На вхідних характеристиках транзистора будують характеристичний трикутник аbс (рис.4), з якого знаходимо h_11б  вхідний опір транзистора в схемі з спільною базою

при

де , а

Отже,

З цього ж трикутника визначаємо h_12б  коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при

,

де , а

Підставляємо значеня і у вираз для h_12б і отримуємо

Параметри h_21б і h_22б визначають за вихідними характеристиками, які зображені на рис.5. Побудувавши характеристичний трикутник fnk знаходимо h_21б  коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою.

при

де ; а

З цього ж характеристичного трикутника fnk на вихідній характеристиці визначаємо h_22б  вихідну провідність транзистора в схемі з спільною базою

при

де а

Вказівки до оформлення звіту

Звіт повинен містити:

1. Точне найменування і мету роботи.

2. Значення основних параметрів досліджуваного транзистора.

3. Схему для зняття статичних характеристик транзистора з коротким описом параметрів її елементів.

4. Таблиці спостережень.

5. Вхідні статичні характеристики І_е=f (U_е) при U_кб=сonst.

6. Вихідні статичні характеристики І_к=f (U_кб) при І_е=сonst.

7. Розрахунок значень h_б-параметрів транзистора, визначених за статичними характеристиками.

8. Короткі висновки по роботі.

Література:

1. Жеребцов И.П. Основы электроники.  Л.: Энергоатомиздат, 1989.

2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.  М.: Энергия, 1973.

3. Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники.  М.: Энергия, 1972.

4. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы.  М.: Высшая школа, 1987.

5. Скаржепа В.А., Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. Ч.1. Электронные устройства информационной автоматики.  К.: Выща шк., 1989.