Зняття вихідних статичних характеристик транзистора

І_к=f₁ (U_ке) при І_б=const

Дані спостережень записують у заздалегідь підготовану таблицю спостережень (табл.2).

Таблиця 2

І_к=f ( U_ке ) при І_б=const.

Транзистор типу ________

Іб =…, мкА		Іб =…, мкА		Іб =…, мкА		Іб=…, мкА
Uке, В	Ік, мА	Uке, В	Ік, мА	Uке, В	Ік, мА	Uке, В	Ік, мА

Вихідні статичні характеристики знімають для чотирьох значень струму бази І_б, І_б', І_б" і І_б"', які встановлюють потенціометром R₁ і підтримують у процесі спостережень незмінними. Значення струмів бази залежать від типу транзистора, що досліджується. Наприклад, для малопотужних транзисторів значення І_б, І_б', І_б" і І_б"'' можуть складати відповідно (10, 20, 30, 40) мкА. Напругу U_ке, змінюють потенціометром R₁ від 0 до (1015) В (для малопотужних транзисторів) з інтервалом (23) В.

Побудова статичних характеристик транзистора

На основі результатів табл.1 і табл.2, в прямокутній системі координат будують сімейства вихідних (а) і вхідних (б) статичних характеристик транзистора. Приблизний вигляд цих характеристик наведений на рис.4.

В изначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору транзистора

Користуючись сімейством вихідних характеристик транзистора (див. рис.4.а), можна визначити значення коефіцієнта підсилення за струмом. Припустимо, що транзистор працює при напрузі між колектором і емітером U_ке=5 В, а струм бази складає І_б=40 мкА. Цьому режиму в сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка А. Взявши прирости І_б=40 мкА і І_к =1 мА між точками В і С при сталій напрузі U_ке=5 В, визначаємо

Визначення необхідно проводити для напруги U_ке,, яка становить приблизно 50% від максимального значення цієї напруги для даного типу транзистора.

Вхідний опір транзистора R_вх можна знайти з вхідних характеристик (див. рис.4.б). Точка А відповідає тому ж режиму, що і на вихідній характеристиці. За приростами І_б = 30 мкА і U_бе = 60 мВ між точками В і С при сталій напрузі U_ке =5 В, знаходимо

Ом.

Вказівки до оформлення звіту

Звіт повинен містити:

1. Точну назву і мету роботи.

2. Значення основних параметрів досліджуваного транзистора.

3. Схему для зняття характеристик транзистора з коротким описом параметрів елементів, що входять у цю схему.

4. Таблиці спостережень.

5. Вхідні статичні характеристики І_б=f (U_бе) при U_ке=const.

6. Вихідні статичні характеристики І_к=f (U_ке) при І_б=const.

7. Розрахунок коефіцієнта підсилення за струмом  і вхідного опору транзистора R_вх.

8. Короткі висновки по роботі.

Література:

1. Жеребцов И.П. Основы электроники.  Л.: Энергоатомиздат, 1989.

2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.  М.: Энергия, 1973.

3. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы.  М.: Высшая школа, 1987.

4. Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники.  М.: Энергия, 1972.

5. Скаржепа В.А., Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. Ч.1. Электронные устройства информационной автоматики.  К.: Выща шк., 1989.

2