- •Вопрос 1. Электрические сигналы и информационная электроника
- •Вопрос 2. Характеристики и параметры электронных устройств. Анализ и расчёт электронных устройств
- •- Эквивалентные схемы
- •- Моделирование электронных устройств
- •Определение задач моделирования;
- •Анализ моделируемой схемы, разложение ее на функциональные узлы и выбор упрощающих допущений;
- •Построение модели анализируемого устройства с учетом упрощающих допущений;
- •Проведение расчета по построенной модели и анализ полученных результатов;
- •Вопрос 3. Измерение параметров электронных устройств, методы и средства общего назначения
- •Вопрос 4.
- •Вопрос 5. Классификация усилителей по виду ачх.
- •Вопрос 6. Амплитудная характеристика rc–усилителя.
- •Вопрос 7. Ос в усилителях
- •Вопрос 8. Влияние ос на параметры усилителей
- •1) Влияние ос на коэффициент усиления усилителя
- •2) Влияние ос на стабильность коэффициента усиления
- •3) Влияние ос на входное сопротивление усилителя.
- •С другой стороны у можно определить через входную величину и Аоос:
- •Входное сопротивление будем по-прежнему определять, как и тогда
- •Выходное сопротивление возрастает в глубину ос раз.
- •Вопрос 9.
- •Вопрос 10. Операционные усилители. Структура оу:
- •Упрощенная схема двухкаскадного
- •Вопрос 11.
- •Вопрос 12. Основные характеристики и параметры операционного усилителя:
- •Вопрос 13.
- •Принцип виртуального нуля.
- •Нулевые входные токи
- •Вопрос 14. Линейные схемы на операционном усилителе.
- •Вопрос 15. Нелинейные схемы на базе оу
- •Инвертирующий триггер Шмитта
- •Переходная характеристика компаратора имеет гистерезис, ширина которого равна удвоенному пороговому напряжению 2Uп, причем для схемы на рис. 32а
- •Симметричный мультивибратор на оу.
- •Выпрямитель на оу.
- •Вопрос 16. Компараторы аналоговых сигналов. Структура. Основные характеристики и параметры. Виды. Включение.
- •Вопрос 17. Ключи
- •Вопрос 18. Ключи на биполярных транзисторах. Схемы включения. Ключ с оэ.
- •Режим насыщения
- •Вопрос 19. Ключ на биполярном транзисторе как логический элемент – инвертор. Передаточная характеристика
- •Вопрос 20. Повышение быстродействия ключа
- •Вопрос 21. Ключ на полевом транзисторе с резистивной нагрузкой
- •Вопрос 22. Ключ на полевом транзисторе с нелинейной нагрузкой Статические характеристики
- •Динамические характеристики
- •Коммутаторов в разомкнутом состоянии
- •Вопрос 23. Кмдп инвертор.
- •Вопрос 24. Аналоговые ключи и коммутаторы
- •Ключи на мдп-транзисторах
- •Вопрос 25.
- •Вопрос 26. Логические интегральные схемы: классификация и основные параметры.
- •Вопрос 27. Ттл логический элемент с простым инвертором
- •Вопрос 28 ттл логический элемент со сложным инвертором. Статический режим, назначение элементов.
- •Вопрос 29. Основные характеристики ттл элемента со сложным инвертором.
- •См 28 вопрос Вопрос 30. Выходные характеристики.
- •31 Схема ттл с повышенной помехоустойчивостью
- •32. Быстродействующая схема ттлш
- •33. Схема ттл с открытым коллектором
- •34. Схема ттл с тремя состояниями
- •35. Кмоп логические схемы и-не
- •36 Кмоп логические схемы или-не
- •37. Кмоп логическая схема с тремя состояниями
- •38 Формирователи импульсов на основе логических схем
- •39. Формирователь коротких импульсов на дифференцирующей rc-цепи.
- •40. Формирователь коротких импульсов на интегрирующей rc-цепи.
- •Вопрос 41. Формирователь длинных импульсов (одновибратор)
- •Вопрос 42. Генератор прямоугольных импульсов (мультивибратор).
- •Вопрос 43. Генераторы линейно изменяющегося напряжения (глин)
- •Вопрос 44. Аналоговый и цифровой способ представления информации
- •3.2 Цифровой способ представления информации
- •Вопрос 45. Цап ,принципы построения
- •Цап с широтно-импульсной модуляцией
- •Цап с cуммированием весовых токов
- •Цап на источниках тока
- •Цап с переключателями и матрицей постоянного импеданса
- •Вопрос 46. Аналого-цифровые преобразователи (ацп). Методы построения.
- •Параллельные ацп
- •Последовательно-параллельные ацп
- •Ацп последовательного приближения
- •Интегрирующие(равертывающего) ацп
- •Следящие ацп:
- •Сигма-дельта ацп
- •Вопрос 47. Структурные схемы источников вторичного электропитания. Особенности и области применения.
- •Структура построения ивэп.
- •Вопрос 48. Выпрямители.
- •Основные характеристики выпрямителей:
- •Вопрос 49. Ёмкостные и индуктивные фильтры.
- •Вопрос 50. Понижающий импульсный преобразователь.
- •Вопрос 51. Повышающий импульсный преобразователь.
- •Вопрос 52. Однотактные трансформаторные инверторы с прямым и обратным включением диода
- •Однотактный транзисторный инвертор с обратным включением выпрямительного диода
- •Из приведенных соотношений видно, что величины токов в преобразователях отличаются практически в два раза.
- •Вопрос 53. Двухтактные управляемые инверторы.
Вопрос 21. Ключ на полевом транзисторе с резистивной нагрузкой
Ключи на МДП транзисторах
Ключ на p-канальном транзисторе
Недостатки:
Напряжение на выходе значительно меньше напряжения питания. Uвых 1= Uпит * Rс /(Rc + rк) = 10 /(10 + 1) * Uпит ≈ 0.9 Uпит. Rc = 10 кОм.
Рассеивание мощности на истоке. Экономичность мала.
Ключ на n-канальном транзисторе
Если транзистор отрыт, то на выходе должен быть низкий потенциал.
Н
едостаток
с точки зрения помехоустойчивости.
Uвых0
= Uпит
* rк
/ (Rc
+ rк)
Невысокое быстродействие. Изменение
заряда на емкости нагрузки происходит
через пассивное сопротивление Rс
(стока) в обоих ключах . Емкости
затворов, паразитные емкости монтажа.
Могут достигать десятков пФ. Rc
= 10 кОм Сн
= Свх
+ См
= 30пФ. Tф01 = 2.2 * Rc
* Cн
= 2.2 * 10 * 103
* 30 * 10-12
= 0.66 мкс (fmax = 1.5 МГц); В микросхемотехнике
не используются.
Принцип действия КМДП ключа
На входе высокий уровень. Uвх = Uвх1. VT2 открыт, VT1 закрыт. На выходе низкий уровень. Uвых практически равно нулю I ≈ 10 пА. Uвых ≈ 10мкВ.
Uвх = Uвх0. На входе низкий уровень. VT2 закрыт. Транзистор отсчитывает напряжение на затворе относительно потенциала подложки. На затворе Uзvt - Uп = -5 В. Поэтому VT1 открыт. Его характеристики в этом режиме симметричны. Uвых = +5. U ≈ 10 мкВ (из-за токов утечки).
КМДП ключ обеспечивает близкие к идеальному статические уровни на выходе.
Вопрос 22. Ключ на полевом транзисторе с нелинейной нагрузкой Статические характеристики
Сопротивление в открытом (включенном) состоянии. Ключи КМОП, работающие от относительно высокого напряжения питания (например, +15 В), будут иметь малые значения Ro во всем диапазоне значений входного сигнала, так как всегда тот или другой проводящий транзистор будет иметь прямое смещение затвора, равное, по крайней мере, половине напряжения питания. Но при меньшем напряжении питания сопротивление ключа Ro будет расти, и максимум его имеет место при среднем уровне сигнала между высоким и низким напряжениями питания.
На рис. 6 приведены зависимости Ro ключа микросхемы коммутатора MAX312 от напряжения входного сигнала при однополярном питании. При уменьшении Uпит сопротивление полевого транзистора во включенном состоянии значительно увеличивается (особенно вблизи точки Uвх = Uпит/2). Это объясняется тем, что для полевого транзистора обогащенного типа пороговое напряжение составляет несколько вольт. Пр этом для достижения малых значений Ro требуется напряжение затвор-исток не меньше, чем 5...10 В. Как видно из рис 6, сопротивление открытого ключа при номинальном напряжении питания, близкое к 10 Ом, при Uпит=2,7 В достигает 700 Ом.
Имеются различные приемы, которые разработчики ИМС аналоговых коммутаторов применяют, чтобы сохранить значение Ro малым и примерно постоянным во всем диапазоне изменения входных сигналов. Это нужно для уменьшения нелинейных искажений входного сигнала. Для этого схему управления ключом выполняют таким образом, чтобы напряжение n-подложки "следило" за напряжением входного сигнала. Применение транзисторов с малым напряжением отсечки и повышенной крутизной позволяет построить коммутаторы с весьма малым Ro при низком питающем напряжении. Так например, одноканальный ключ ADG701 при однополярном питании +5 В имеет сопротивление Ro не более 2,5 Ом. На рис. 7 приведены зависимости сопротивления открытого ключа низковольтной микросхемы МАХ391 от напряжения входного сигнала для различных питающих напряжений при однополярном (а) и разнополярном (б) питании.
(a) |
б) |
Рис. 7. Графики зависимостей Ro ключа ИМС MAX391 от входного напряжения при однополярном (а) и разнополярном (б) включении для различных значений питающего напряжения |
|
Применение КМОП логики для управления транзисторами ключей дает еще один важный положительный эффект - в покое эти микросхемы практически не потребляют энергии.
Ток утечки канала. В закрытом состоянии канал МОП-ключа обладает очень высоким динамическим сопротивлением (до сотен ГОм) при напряжении сток-исток более 0,1 В. Поэтому его принимают источником тока с током Iут. Направление протекания тока утечки через закрытый КМОП-ключ определяется полярностью приложенного напряжения. Типичное значение Iут для широкой номенклатуры аналоговых ключей и мультиплексоров составляет величину порядка 1 нА. Однако выпускаются и ключи с пониженным током утечки. Например у одноканального ADG431 типичный ток утечки - 0,05 нА. При очень низких напряжениях на закрытом ключе сопротивление канала уменьшается, но остается все-таки весьма высоким.
