16 Статические вах биполярного транзистора с общим эмиттером.

Вх-ые и вых-ые статич-ие хар-ки пред-ют собой зависимости: I_б=f(U_бэ) при U_к=const; I_к=f(U_к) при I_б=const и они имеют вид:

П ри U_к=0 нулевая вх-ая хар-ка пред-ет собой суммарную хар-ку Э и К переходов, соединенных паралл-но и подключенных к источнику питания в прямом направлении, т.е. I_б=I_э+I_к. Отключение К не сущ-но влияет на вх-ую хар-ку, т.к. I_б в основном опр-ся r_б, т.е. при I_к=0. При небольшом отриц-ом напр-нии на К I_к меняет свое направл на обычное и I_б становится разностным I_б=I_э-I_к. В рез-те I_б резко умен-ся, а вх-ая хар-ка располагается значительно ниже нулевой. При дальнейшем увел-ии по модулю U_к вх-ая хар-ка незначительно смещается вправо и практически сливается с хар-ми, снятыми при дальнейшем увел-ии U_к.

В ых-ые хар-ки – это зависимости I_к от U_к, при различных знач-ях i_б=const. Нулевая вых-ая хар-ка, т.е. обратный ток К-Э проходит ч/з начало координат и в рабочей области, т.е. |U_к|≥1 В располагается на уровне β_U∙I_кбо. При увел-ии I_б вых-ые статич-ие хар-ки сдвигаются вверх и по сравнению с общей Б имеют примерно в β раз больший наклон и более разковыраженное сближение при значительных I_б. Статич-ая ВАХ тр-ра с ОЭ и ОК примерно одинаковы.

17 Динамические характеристики биполярного транзистора с общим эмиттером

Динамическая характеристика – зависимость между токами и напряжениями транзистора при включении его во входную цепь источника переменного напряжения, а в выходную цепь – сопротивление нагрузки, равное сопротивлению коллектора.

1) - холостой ход,

2) - короткое замыкание, ,

Прохождение синусоиды через биполярный транзистор с общим эмиттером.

Чтобы синусоидальный сигнал проходил через транзистор без исключений необходимо чтобы его или рабочая точка транзистора всегда находились на линейном участке входной-выходной характеристики.

Холостой ход: ,

Короткое замыкание: ,

18 Основные параметры, рабочая область и режимы работы биполярного транзистора.

Основные параметры:

1. Коэффициент передачи по току

2. Входное сопротивление

3. Выходная проводимость

4. Обратный ток коллектор-эмиттер

5. Время включения

6. Предельная частота коэффициента передачи тока базы

7. Обратный ток коллектора

8. Максимально допустимый ток

9. Граничная частота коэффициента передачи по схеме с общим эмиттером

Режимы работы биполярного транзистора

Нормальный активный режим:

Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт) U_ЭБ>0;U_КБ<0;

Инверсный активный режим:

Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.

Режим насыщения:

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).

Режим отсечки:

В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).

Барьерный режим:

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам транзисторов.