- •7. Детекторы
- •7.1.Общие сведения
- •7.2. Амплитудные детекторы
- •7.2.1 Диодные детекторы ам.
- •7.2.2 Эквивалентная схема ад
- •7.2.3 Режим слабого сигнала
- •7.2.4 Режим сильного сигнала
- •7.2.5 Нелинейные искажения
- •7.2.6 Транзисторные детекторы
- •7.2.7 Синхронный ам детектор
- •7.3. Фазовые детекторы
- •7.4. Частотные детекторы
7.2.6 Транзисторные детекторы
Среди транзисторных детекторов различают базовый, коллекторный и эмиттерный детекторы, получившие свое название по месту включения нагрузки.
Базовый детектор аналогичен по принципу действия последовательному детектору. Он имеет наибольший коэффициент усиления и наименьшую перегрузочную способность. В современных РПУ обычно обеспечивается возможность работы детектора в режиме сильных сигналов, и поэтому базовые детекторы используются редко.
В коллекторном
детекторе (рис.7.21) транзистор включен
по схеме с общим эмиттером, а детекторный
эффект определяется нелинейностью
проходной характеристики
при Uкэ=const
. Этот детектор позволяет осуществлять
детектирование сигнала с его усилением
Кд >
1 и обеспечивает существенно большее
входное сопротивление, чем диодные
детекторы.
Рис.7.21
Эффективность
детектирования в коллекторном детекторе
оказывается наибольшей при малых
положительных напряжениях на базе, т.е.
Uбэ
≈ 0,01 - 0,05 В, которые, как и в усилителях,
устанавливаются базовым делителем Rб1,
Rб2.
При детектировании входного сигнала в
коллекторном детекторе возможно
использование базового детектора за
счет нелинейности входной характеристики
при Uкэ=const.
Из-за
нелинейных свойств базовой цепи при
этом на резисторе Rб1
создается также
дополнительное постоянное напряжение.
Если в коллекторном детекторе емкость
Cбл
выбрать из условия
,
(7.75)
то при базовом детектировании модулированного сигнала на резисторе Rб1 образуется переменное напряжение с частотой модуляции входного сигнала. Указанные напряжения действуют как дополнительное смещение и тем самым оказывают дополнительное влияние на изменение величины коллекторного тока. Детекторные эффекты в базовой и коллекторной цепях противоположны, поэтому детектирование базовой цепи приводит к понижению коэффициента передачи.
Однако дополнительное детектирование позволяет повышать амплитуду входного сигнала, при которой еще не наступает режим ограничения в коллекторной цепи, а также снижать нелинейные искажения детектора. Такой режим детектирования называется коллекторно-базовым.
В случаях когда обратное детектирование нежелательно уменьшают Rб1, а емкость Сбл выбирают из условия
.
(7.76)
Нелинейные искажения при коллекторном детектировании можно уменьшить, вводя в цепь эмиттера резистор обратной связи Roc (на рис.7.21 показан пунктиром).
Эмиттерный детектор (рис.7.22) обладает коэффициентом передачи, меньшим единицы, но имеет по сравнению с коллекторным высокое входное сопротивление. Кроме того, при низкоомной нагрузке R облегчается согласование с последующими цепями РПУ, а резистор нагрузки дополнительно осуществляет температурную стабилизацию коллекторного тока в рабочей точке.
Рис.7.22
Рис.7.23
Детектор на операционном усилителе DA представляет собой усилитель постоянного тока, охваченный обратной связью (рис.7.23). Сигнал промежуточной частоты подается на неинвертирующий вход дифференциального усилителя, усиливается и поступает к диоду. Одновременно часть выпрямленного напряжения подается на инвертирующий вход усилителя. В результате к диоду прикладываются усиленные входное и часть выпрямленного напряжения.
Напряжение на выходе ОУ равно
,
(7.77)
где
– коэффициент передачи ОУ.
Напряжение на диоде представляет собой разность
,
(7.78)
которую с учетом (7.77) при К>>1 можно записать в следующем виде:
.
Последнее соотношение отличается от (7.38) наличием сомножителя в виде К, а это означает, что диод в детекторе с ОУ при тех же уровнях сигналов всегда работает в режиме сильного сигнала. Граница между режимами слабого и сильного сигналов при этом
смещается в сторону слабых сигналов. Последнее означает расширение динамического диапазона детектора.
Рассчитать внутренние параметры детектора можно с помощью графов, представленных на рис.7.24,а. Из сигнального графа (рис.7.24,б) с дополнительным источником тока следует, что выходное сопротивление детектора
,
(7.79)
откуда
.
(7.80)
Внутреннее сопротивление детектора оказывается очень маленьким, что важно с точки зрения уменьшения линейных искажений сигнала и увеличения нагрузочной способности.
Рис.7.24
Внутренний коэффициент усиления определяется без учета нагрузки, поэтому
.
(7.81)
С учетом (7.80) получаем, что
.
(7.82)
Как следует из (7.34) коэффициент передачи детектора с ОУ с учетом (7.79) стремится к внутреннему коэффициенту усиления, который в соответствии с (7.81) примерно равен единице. Коэффициент передачи детектора может быть больше единицы за счет введения делителя в цепь обратной связи (на рис.7.23 показан пунктиром):
(7.83)
Наличие очень глубокой отрицательной обратной связи приводит к линеаризации характеристик и значительному снижению нелинейных искажений сигнала. Входное сопротивление детектора определяется входным сопротивлением ОУ.
Максимальное напряжение детектируемого сигнала
где β
- глубина обратной связи, равная
,
K
- собственный коэффициент передачи
операционного усилителя, Uд.-
напряжение на детекторе в рабочей точке.
Можно провести некоторые аналогии между детектором на ОУ и транзисторным эмиттерным детектором. Это оказывается возможным. Дело в том, что транзистор, включенный по схеме с ОК, представляет собой усилительный элемент со 100%-ой последовательной отрицательной обратной связью по напряжению. А это означает рост входного сопротивления, уменьшение выходного сопротивления и линеаризацию характеристик транзисторного детектора в целом. Разница лишь в относительно небольшом петлевом усиления транзисторной схемы, которое в соответствии с выражением
,
ограничено значениями от нескольких десятков до нескольких сотен единиц.
