- •Технологія одержання і застосування плівКових матеріалів
- •Проценко і.Ю., Шумакова н.І.
- •© І.Ю.Проценко, н.І Шумакова, 2008
- •Передмова...................................................................................... 7
- •Конструкції термовипарників та їх застосування……… 19
- •Передмова
- •1 Основи термодинаміки та кінетичної теорії газів
- •Рівноважний тиск пари
- •1.3 Механізми випаровування рідин та твердих тіл
- •1.2 Розподіл атомів пари за швидкостями
- •2 Конструкції термовипарників та їх застосування
- •2.1 Загальна інформація
- •2.2 Випаровування із дротів та металевої фольги
- •2.3 Випаровування із тиглів, матеріали тиглів
- •2.4 Випаровування матеріалів електронно-променевими методами
- •3 Вакуумно-плазмова технологія
- •4 Плазмові випарники
- •4.1 Випарники з випаровуванням матеріалу катода
- •4.2 Вакуумно-дугові випарники
- •4.3 Випарники з випаровуванням матеріалу анода
- •4.4 Електронно-променеві випарники
- •5 Метод іонного та реактивного розпилення
- •5.1 Іонне розпилення
- •5.2 Реактивне розпилення
- •6 Особливості випаровування сплавів та хімічних сполук
- •7 Методи контролю товщини плівок
- •7.1 Мікрозважування
- •7.2 Метод кварцового резонатора
- •7.3 Оптичні методи
- •7.4 Інші методи
- •8 Характеристика елемента карбону
- •9 Класифікація алотропів карбону
- •10 Фізичні властивості алотропів карбону
- •11 “Метастабільність алмазу” та шляхи його одержання
- •12 Хімічний синтез алмазу
- •13 До історії розвитку хімічного синтезу алмазу
- •14 Методи одержання алмазоподібних плівок
- •14.1 Термохімічні методи осадження
- •14.2 Електророзрядні методи
- •14.3 Комбіновані розряди
- •14.4 Методи одержання апп на атмосфері
- •15 Методи одержання гідрогенезованих
- •16 Методи одержання ультрадисперсних алмазів (уда) і наноалмазів (на)
- •17 Методи одержання
- •18 Хімічний склад і кристалічна структура
- •18.1 Нітрид титану
- •18.2 Карбід вольфраму
- •Задачі та вправи
- •19 Уявлення про адатом, кластер та критичний зародок
- •20 Залежність розміру критичного зародка від матеріалу плівки та підкладки
- •21 Механізми конденсації плівок, їх узагальнена діаграма
- •22 Чотири стадії росту плівки
- •22.1 Утворення острівців
- •22.2 Коалесценція острівців
- •22.3 Утворення каналів
- •22.4 Утворення суцільної плівки
- •23 Критична товщина і критична температура конденсації
- •24 Утворення дефектів у процесі росту плівки
- •24.1 Дислокації
- •24.2 Межі зерен
- •24.3 Шорсткість та пористість конденсатів
- •25 Епітаксіальний ріст плівок
- •25.1 Зародження епітаксіальних частинок
- •25.2 Механізми епітаксіального росту
- •26 Змінювання параметра решітки, псевдоморфний ріст плівок
- •27 Види спряжень кристалів при епітаксіальному рості
- •28 Субструктура полікристалічних плівок
- •29 Нанокристалічні та аморфні матеріали
- •30 Внутрішні макронапруження в конденсатах
- •30.1 Вплив температури підкладки
- •30.2 Причина виникнення макронапружень у
- •30.3 Вплив товщини плівок, швидкості конденсації та термообробки
- •30.4 Розрахунок величини st
- •30.5 Методи вимірювання s
- •Вплив іонного бомбардування підкладки на властивості плівок
- •32 Процес старіння в тонких плівках
- •Датчики температури із платини та нікелю
- •Термопари
- •Терморезистори із від’ємним і додатним
- •Кремнієві датчики
- •37 Датчики на основі металевої плівки
- •38 Термокондуктометричні та термохімічні
- •39 Тонкоплівкові газові датчики
- •40 Датчики вологості
- •41 Уявлення про тензоефект
- •42 Перетворення деформації тензорезистором
- •43 Передача деформації чутливому елементу
- •44 Металеві тензодатчики
- •45 Напівпровідникові та полімерні тензорезистори
- •46 Магніторезистивні датчики
- •47 Датчики Холла
- •Технологія одержання і застосування плівкових матеріалів
22 Чотири стадії росту плівки
Теоретичні розробки та електронно-мікроскопічні дослідження свідчать про таку послідовність утворення плівки:
утворення адатомів на підкладці;
утворення кластерів із декількох адатомів;
утворення зародків критичного розміру;
ріст цих зародків до надкритичних розмірів зі збідненням адатомами зон захоплення навколо зародка;
утворення критичних зародків на не збіднених адатомами місцях;
зрощення зародків і утворення острівців, що займають площу меншу, ніж сумарна площа, яку займали зародки;
вторинний процес утворення зародків на звільнених ділянках підкладки;
зрощення великих острівців з утворенням каналів на підкладці;
заростання каналів у результаті процесу вторинного зародкоутворювання.
Перелічені дев'ять етапів утворення плівки Д.Пешлі узагальнив у вигляді чотирьох стадій росту плівки:
утворення зародків та острівців;
зростання (коалесценція) острівців;
утворення каналів;
перехід до структурно суцільної плівки.
Розглянемо більш детально ці чотири стадії.
22.1 Утворення острівців
Якщо спостерігати за процесом конденсації плівки в електронному мікроскопі, то вдається зафіксувати лише стадію раптового утворення критичного зародка, оскільки адатоми і навіть кластери мають такі розміри, що не спостерігаються на екрані мікроскопа. Якщо матеріалом плівки є нетугоплавкий метал, то характерний розмір критичного зародка 2-3 нм. Вони ростуть у трьох вимірах, але в площині підкладки з більшою швидкістю, ніж у напрямку нормалі до неї (рис. 2.3 а). Це пов'язано з тим, що ріст зародка відбувається за рахунок поверхневої дифузії адатомів, а не внаслідок прямого потрапляння. Для плівок, наприклад, срібла та золота, при Тп 670 К концентрація критичних зародків складає величину 51014 м-2, а мінімальна довжина дифузійного пробігу приблизно 50 нм.
22.2 Коалесценція острівців
На рисунку 2.3 проілюстровано процес коалесценції двох зародків сферичної форми (б, г) та з вираженою
Рисунок 2.3 - Мікроструктура та схема зміни острівців у процесі росту плівки: а – утворення острівців; б, в – різні стадії коалесценції острівців; г, д – схема зміни острівців у процесі їх коалесценції; е – утворення каналів
кристалографічною формою (в, д). В останньому випадку острівець, який утворився, набуває кристалографічної форми лише в тому випадку, коли він довгий час (для прикладу зазначимо, що коалесценція відбувається упродовж 10-1 с) не взаємодіє із сусідніми острівцями. Процес коалесценції дуже нагадує процес злиття крапель у рідкому стані, що приводить до збільшення вільної поверхні підкладки й до утворення вторинних зародків між острівцями (рис. 2.3 б). Вторинний зародок росте до того часу, поки не зіткнеться із сусіднім. Якщо останній більших розмірів, то вторинний зародок дуже швидко зливається з ним і повністю входить у великий острівець.
Можливими механізмами перенесення у процесі коалесценції можуть бути об'ємна та поверхнева дифузії атомів. Експериментальні факти свідчать, що основним механізмом є поверхнева дифузія. Чим менший розмір частинки, тим помітніша ця дифузія. Рушійною силою коалесценції є результуюче зменшення поверхневої енергії острівців.
