- •Глава 1. Основные теории электрических цепей и сигналов.
- •§1. Основные понятия теории электрических цепей.
- •§ 2. Элементы электрических цепей и их уравнения. Классификация цепей по признаку линейности.
- •§ 3. Зависимые (управляемые) источники.
- •§ 4.Топологические параметры. Электрическая цепь и уравнение соединений.
- •Глава 2. Электрические цепи при гармоническом воздействии.
- •§1. Основные понятия линейных цепей. Среднее и действующее значение синусоидального тока.
- •§2. Гармонические колебания. Изображение синусоидальных токов векторами и комплексными числами.
- •§3.1. Цепь переменного тока с резистором, активная мощность.
- •§3.2. Цепь переменного тока с индуктивностью, реактивная мощность.
- •§3. Комплексная форма уравнений элементов.
- •§3.3. Цепь переменного тока с емкостью.
- •§3.4. Расчет цепи с реальной индуктивностью.
- •§3.5. Расчет активно-емкостной цепи, треугольники напряжений, сопротивлений; мощность.
- •§4. Колебательные контуры и их частотные характеристики.
- •§4.1. Последовательный колебательный контур.
- •§4.2. Резонанс напряжения.
- •§4.3. Свободные колебания в реальном lc - контуре.
- •§4.4. Уравнение резонансной кривой последовательного контура.
- •§4.5. Вынужденные колебания в параллельном колебательном контуре. Резонанс токов.
- •§4.6. Связанные контуры как полосовой фильтр.
- •Глава 5. Электронные приборы.
- •§1. Классификация электронных приборов.
- •В газоразрядных (или ионных) приборах движение электронов происходит в атмосфере инертных газов. Электрические процессы в них представляют собой разряд в газе.
- •§2. Полупроводниковые приборы.
- •§2.1. Собственная электропроводность.
- •§2.2. Примесные полупроводники.
- •§2.3. Электронно-дырочный переход.
- •§3. Полупроводниковые диоды, их свойства и назначение.
- •§3.1. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •§3.2. Полупроводниковые стабилитроны.
- •§3.3. Варикапы.
- •§3.4. Тиристор.
- •§3.5. Оптоэлектронные устройства.
- •§3.6. Фотодиоды.
- •§4. Полевые транзисторы.
- •§4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •§4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •§4.3. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
- •§ 5. Биполярные транзисторы.
- •§ 5.1. Статические характеристики. Дифференциальные параметры транзистора.
- •§ 5.2. Определение н-параметров транзисторов по характеристикам.
- •Глава 6. Усилители.
- •§1. Основные показатели.
- •§2. Резисторный усилитель напряжения.
- •Из последней формулы следует, что для расширения полосы пропускания усилителя в сторону верхних частот необходимо уменьшать с0Rэ.
- •§3. Дифференциальный усилитель.
- •§4. Операционные усилители.
- •§5. Основные схемы включения операционных усилителей.
- •§6. Обратная связь в усилительных устройствах.
- •Коэффициент передачи усилителя с обратной связью:
- •§7. Диаграмма Найквиста
- •§8. Повышение стабильности усиления и расширение полосы
- •§9. Частотно-зависимая обратная связь
- •При малых относительных расстройках .
§4.5. Вынужденные колебания в параллельном колебательном контуре. Резонанс токов.
Контур называется параллельным, если индуктивность, емкость и источник тока включены параллельно. На рис. 21 представлена одна из схем замещения параллельного контура. В этой схеме сопротивления R1 и R2 учитывают потери энергии в L и С соответственно.
К
омплексные
полные сопротивления параллельных
цепей Z1
и Z2 равны:
Проводимости этих ветвей:
где
,
- активные проводимости ветвей,
и
- реактивные проводимости ветвей.
Полная проводимость всей цепи:
При равенстве реактивных проводимостей bL=bC в цепи наблюдается резонанс токов.
Определим резонансную частоту ωр из равенства реактивных проводимостей:
(1)
Из уравнения (1) находим:
Часто потери энергии в конденсаторе малы R2<<ρ, в этом случае
.
Е
сли,
кроме того, и R1<<ρ,
то ωр ≈ ω0.
Амплитуда колебаний тока в индуктивности ImL(ω) описывает резонансную кривую (рис. 22).
, при ω = 0 ImL
= Im.
При резонансе ωр≈ω0 (R1<<ρ)
.
Для действующих значений токов: IL = QI.
По аналогии: IC = QI.
При резонансе ток, текущий по катушке IL (или по конденсатору IC) в Q раз больше тока I в общей цепи.
Токи IL и IC равны, но противоположны по фазе.
§4.6. Связанные контуры как полосовой фильтр.
И
деальный
фильтр должен иметь П-образную частотную
характеристику и линейную фазовую
характеристику в полосе пропускания.
Для решения многих радиотехнических
задач необходимы фильтры, частотная
характеристика которых приближается
к идеальной. Для создания таких фильтров
используется система контуров, связанных
между собой или общим магнитным полем
(индуктивная связь), или общим электрическим
полем (ёмкостная связь).
Рассмотрим два одинаковых контура (R1=R2=R, L1=L2=L, C1=C2=C) с индуктивной связью (рис. 1).
Коэффициент передачи такой схемы:
(1)
где
- комплексные амплитуды э.д.с., силы тока
во втором контуре и напряжения на
конденсаторе.
Для нахождения амплитуды силы тока в контурах запишем систему уравнений Кирхгофа:
(2)
М – коэффициент взаимной индукции.
Воспользовавшись методом комплексных
амплитуд, запишем в комплексной форме:
,
,
.
Подставив эти значения в систему (2)
получим систему уравнений:
(3)
где
-
сопротивления связи.
Решая систему уравнений (3), находим
(4)
Из первого соотношения (4) можно заключить, что связь первого контура со вторым контуром в электрическом отношении эквивалентна включению в первый контур дополнительно вносимого сопротивления Zвн:
,
(5)
где:
.
С энергетической точки зрения наличие
объясняется тем, что часть энергии
источника поступает во второй контур
и поглощается в его активном сопротивлении.
Наличие
связано с тем, что ток I2
наводит э.д.с. взаимной индукции в первом
контуре. Таким образом, влияние второго
контура на первый приводит к увеличению
эквивалентного активного сопротивления
первого контура на
и изменению его эквивалентного реактивного
сопротивления на
.
Следовательно, эквивалентное сопротивление
симметричной системы двух связанных
контуров, измеренное на входных зажимах
«11» можно представить в виде:
,
.
На собственной частоте
:
(6)
и
зависят от частоты сигнала (от расстройки
).
При
,
,
а
,
имеет максимальное значение. В зависимости
от М
может быть как больше, так и меньше
собственного активного сопротивления
R первого контура.
Если
,
связь называется критической.
Если
,
связь слабая.
Если
,
связь больше критической.
При критической связи
.
Умножив числитель и знаменатель левой части на L2, получим:
Количественно связь между контурами
характеризуется коэффициентом связи
.
При одинаковых контурах L1=L2=L,
определяет, какая доля собственного
магнитного потока катушки первого
контура проходит через катушку второго.
При критической связи
.
Найдём резонансные частоты системы из
условия равенства нулю её реактивного
сопротивления
.
В последнее уравнение подставим (6),
учтём, что
,
а
,
получим:
(7)
Получили уравнение (7) третьей степени относительно . Корни этого уравнения
.
При связи меньше критической (
)
корни
мнимые и не имеют физического смысла.
Следовательно, при
система имеет одну резонансную частоту
,
определяемую действительным корнем
(
).
При
все три корня равны 0, система в этом
случае имеет одну резонансную частоту
.
При
все три корня уравнения (7) действительны
и, значит, система имеет три резонансных
частоты, одна из которых
,
а две другие
.
Частоты
называют частотами связи, или нормальными
частотами системы.
Для связанных контуров при
можно получить фильтр с более широкой
полосой пропускания по сравнению с
одиночным контуром и амплитудно-частотную
характеристику, близкую к идеальной
П-образной.
Определим значение коэффициента передачи. Для этого подставим Im2 из (4) в (1), получим:
(8)
Преобразуем знаменатель (8), учитывая,
что расстройка
и
,
тогда:
Подставим последнее выражение в (8):
.
Откуда
(9)
Н
а
рис. 24 приведено семейство зависимостей
K(
),
описываемых уравнением (9) для различных
значений
.
При
.
Ширина полосы пропускания связанных контуров определяется также, как и для одиночного:
или
.
Отсюда
.
Тогда относительная полоса пропускания
при критической связи (кривая 2, рис. 24)
в
раз больше, чем у одиночного контура.
При
амплитудно-частотная характеристика
не имеет провала при
(кривая 1, рис. 24). При слабой связи (
)
.
Отсюда
.
Таким образом, при слабой связи полоса пропускания связанных контуров уже, чем у одиночного контура.
При
амплитудно-частотная характеристика
становится двугорбой, с провалом при
(кривая 3, рис. 24). Оптимальным считается
такое значение
,
при котором коэффициент передачи в
минимуме К(0) в
раза меньше, чем в максимуме Kmax.
В этом случае можно составить два уравнения:
(10а)
(10б)
Учитывая, что при
модуль коэффициента передачи К на
частотах связи
не зависит от
и равен модулю коэффициента передачи
при критической связи и
,
получим:
.
Откуда
(11)
Подставим (11) в (9), и учитывая (10а), получим:
.
Отсюда
.
Следовательно, в оптимальном случае
,
а полоса пропускания фильтра связанных
контуров примерно втрое шире, чем у
одиночного контура-фильтра.
