- •2.4. Залежність напруженості поля і електростатичного потенціалу від віддалі в запірному шарі і від концентрації електронів в об`ємі напівпровідника
- •2.5. Зміна зонної схеми контакту напівпровідник-метал при накладенні постійного зовнішнього поля
- •2.6. Товщина запірного шару
- •2.3. Теорія випрямлення на контакті напівпровідник-метал
- •1.Фізичні процеси в затемненому р-n-переході
- •Розподіл густини об’ємного заряду та концентрації носіїв заряду в р-n-переході
- •1.2 Зонна схема рівноважного стану р-n переходу. Контактна різниця потенціалів в р-n-переході
- •1.3 Розподіл напруженості поля і електростатичного потенціалу в р-n-переході
- •1.4 Вольт-амперна характеристика тонкого р-n переходу
- •1.5 Генерація і рекомбінація носіїв в області об’ємного заряду
- •2.1 Фотовольтаїчний ефект в напівпровідниках з електронною неоднорідністю. Струм короткого замикання і напруга холостого ходу
- •2.2 Вах освітленого фотоелемента.
- •2.3 Вплив послідовного і шунтуючого опору на вольт-амперну характеристику сонячного елемента
- •1.9. Ефективність роботи фотоперетворювача
1.3 Розподіл напруженості поля і електростатичного потенціалу в р-n-переході
Контактна різниця потенціалів цілком відноситься до р-n-переходу. В умовах рівноваги поле відмінне від нуля лише безпосередньо в р-n-переході і рівне
нулю за його межами. При накладанні зовнішнього поля на напівпровідник з р-n-переходом падіння напруги поширюється по всій довжині. Однак, більша частина зовнішньої напруги розподілена на р-n-переході. Тому за межами запірного шару вважаємо поле рівним нулю, а електростатичний потенціал постійним для кожної із областей. Для визначення залежності потенціалу і напруженості поля від відстані в р-n-переході потрібно розв’язати рівняння Пуассона. Різкий р-n-перехід можна розглядати як своєрідну сукупність двох шарів Шотткі. Дійсно, в електронній частині р-n-переходу величина ρ = еnn0, а в дірковій частині ρ = - ерр0.
Виберемо координати наступним чином: xn відраховуємо в електронній області р-n-переходу до границі розділу, як показано на рис. 1.6, а; xр – аналогічним шляхом в дірковій області. Маємо
.
(1.16)
Проінтегрувавши (1.16), отримуємо
.
(1.17)
Оскільки
при xn
= 0 величина
,
очевидно С1
= 0. Тоді
;
(1.18)
.
(1.19)
Далі отримуємо
.
(1.20)
Якщо прийняти за початок відліку електростатичного потенціалу його значення в n-області, то С2 = 0. Таким чином,
.
(1.21)
Максимальне значення абсолютної величини
.
(1.22)
На рис. 1.6, б ліва вітка параболи (1.21) і представляє собою залежність електростатичного потенціалу від відстані в електронній частині р-n-переходу. Формально математично парабола (1.21) має і другу вітку (пунктир на рис. 1.6, б), яку враховувати не потрібно, оскільки задача розв’язується лише для шару, де існує об’ємний заряд.
На рис. 1.6, в зображена функція (1.18), при чому вектор Е напрямлений в сторону зменшення електростатичного потенціалу. В дірковій області різкого р-n-переходу
;
(1.23)
.
(1.24)
Але
оскільки при xр
= 0 маємо
,
то С1
= 0. Тоді
;
(1.25)
.
(1.26)
Напрямок
поля в дірковій області р-n
переходу таке ж, як і в електронній
області, зміна функції
зображена на рис. 1.6, в. Інтегруючи другий
раз, маємо
.
(1.27)
Якщо прийняти за початок відліку φ його значення в р-області, то С2 = 0. Таким чином
.
(1.28)
Максимальне значення величини φ в дірковій області р-n-переходу
.
(1.29)
На рис. 6, б зображена права вітка параболи, яка відповідає формулі (1.28). В площині xp = dp чи xn = dn, тобто на границі розділу областей, параболи (1.28) і (1.21) мають спільну точку, так як електростатичний потенціал є неперервною функцією координат. Теж саме в даному випадку відноситься до напруженості електричного поля, так що
;
(1.30)
.
(1.31)
Error: Reference source not found
Рис. 1.6 Вибір координат (а), зміна потенціалу (б) і напруженості поля (в) в різкому симетричному р-n-переході
