2.2.5. Предельно допустимые уровни напряженности импульсного магнитного поля 50 Гц

2.2.5.1. Для условий воздействия импульсных магнитных полей 50 Гц (таблица 3) предельно допустимые уровни амплитудного значения напряженности поля (Н_пду) дифференцированы в зависимости от общей продолжительности воздействия за рабочую смену (Т) и характеристики импульсных режимов генерации:

Режим I - импульсное с t_И ³ 0,02 с, t_П £ 2 с,

Режим II - импульсное с 60 с ³ t_И ³ 1 с, t_П > 2 с,

Режим III - импульсное 0,02 с £ t_И < 1 с, t_П > 2 с,

где t_И - длительность импульса, сек.,

t_П - длительность паузы между импульсами, сек.

Таблица 3

ПДУ воздействия импульсных магнитных полей частотой 50 Гц в зависимости от режима генерации

Т, ч	Нпду [А/м]
	Режим I	Режим II	Режим III
£ 1,0	6000	8000	10000
£ 1,5	5000	7500	9500
£ 2,0	4900	6900	8900
£ 2,5	4500	6500	8500
£ 3,0	4000	6000	8000
£ 3,5	3600	5600	7600
£ 4,0	3200	5200	7200
£ 4,5	2900	4900	6900
£ 5,0	2500	4500	6500
£ 5,5	2300	4300	6300
£ 6,0	2000	4000	6000
£ 6,5	1800	3800	5800
£ 7,0	1600	3600	5600
£ 7,5	1500	3500	5500
£ 8,0	1400	3400	5400

2.2.6. Предельно допустимые уровни электромагнитных полей диапазона частот ³ 10 - 30 кГц

2.2.6.1. Оценка и нормирование ЭМП осуществляется раздельно по напряженности электрического (Е), в В/м, и магнитного (Н), в А/м, полей в зависимости от времени воздействия.

2.2.6.2. ПДУ напряженности электрического и магнитного поля при воздействии в течение всей смены составляет 500 В/м и 50 А/м, соответственно.

ПДУ напряженности электрического и магнитного поля при продолжительности воздействия до 2-х часов за смену составляет 1000 В/м и 100 А/м, соответственно.

2.2.7. Предельно допустимые уровни электромагнитных полей диапазона частот ³ 30 кГц - 300 гГц

2.2.7.1. Оценка и нормирование ЭМП диапазона частот ³ 30 кГц - 300 ГГц осуществляется по величине энергетической экспозиции (ЭЭ).

2.2.7.2. Энергетическая экспозиция в диапазоне частот ³ 30 кГц - 300 МГц рассчитывается по формулам:

ЭЭе = Е² ∙Т, (В/м)²·ч,

ЭЭн = Н² ∙ Т, (А/м)²·ч,

где Е - напряженность электрического поля (В/м),

Н - напряженность магнитного поля (А/м), плотности потока энергии (ППЭ, Вт/м², мкВт/см²),

Т - время воздействия за смену (час.).

2.2.7.3. Энергетическая экспозиция в диапазоне частот ³ 300 МГц - 300 ГГц рассчитывается по формуле:

ЭЭппэ = ППЭ ∙Т, (Вт/м²)·ч, (мкВт/см²)·ч,

где ППЭ - плотность потока энергии (Вт/м², мк Вт/см²).

2.2.7.4. ПДУ энергетических экспозиций (ЭЭпду) на рабочих местах за смену представлены в таблице 4.

Таблица 4

ПДУ энергетических экспозиций ЭМП диапазона частот ³ 30 кГц - 300 ГГц

Параметр	ЭЭпду в диапазонах частот (МГц)
	³ 0,03 - 3,0	³ 3,0 - 30,0	³ 30,0 - 50,0	³ 50,0 - 300,0	³ 300,0 - 300000,0
ЭЭе, (В/м)2·ч	20000	7000	800	800	-
ЭЭн, (А/м)2·ч	200	-	0,72	-	-
ЭЭппэ, (мкВт/см2)·ч	-	-	-	-	200

2.2.7.5. Максимальные допустимые уровни напряженности электрического и магнитного полей, плотности потока энергии ЭМП не должны превышать значений, представленных в таблице 5.

Таблица 5

Максимальные ПДУ напряженности и плотности потока энергии ЭМП диапазона частот ³ 30 кГц - 300 ГГц

Параметр	Максимально допустимые уровни в диапазонах частот (МГц)
	³ 0,03 - 3,0	³ 3,0 - 30,0	³ 30,0 - 50,0	³ 50,0 - 300,0	³ 300,0 - 300000,0
Е, В/м	500	300	80	80	-
Н, А/м	50	-	3,0	-	-
ППЭ, мкВт/см2	-	-		-	1000 5000*

______________

* Для условий локального облучения кистей рук.

2.2.7.6. Для случаев облучения от устройств с перемещающейся диаграммой излучения (вращающиеся и сканирующие антенны с частотой вращения или сканирования не более 1 Гц и скважностью не менее 20) и локального облучения рук при работах с микрополосковыми устройствами предельно допустимый уровень плотности потока энергии для соответствующего времени облучения (ППЭпду) рассчитывается по формуле:

ППЭ_пду = К ∙ ЭЭ_пду/Т,

где К - коэффициент снижения биологической активности воздействий;

К = 10 - для случаев облучения от вращающихся и сканирующих антенн;

К = 12,5 - для случаев локального облучения кистей рук (при этом уровни воздействия на другие части тела не должны превышать 10 мкВт/см²).