- •Введение.
- •1. Кремний.
- •2. Методы получения монокристаллических материалов.
- •2.1. Получение кристаллов из твёрдой фазы.
- •2.2. Получение кристаллов из жидкой фазы.
- •Выращивание кристаллов из расплавов.
- •Выращивание кристаллов из растворов.
- •2.3. Получение кристаллов из газовой фазы.
- •3.1. Легирующие примеси.
- •3. Материалы, использующиеся при производстве монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •3.2. Основные конструкционные и технологические материалы.
- •4. Пооперационное описание технологии выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •Подготовка и компоновка сырья.
- •Чистка камеры печи.
- •Сборка оснастки печи.
- •Вакуумирование камеры и проверка на герметичность.
- •Расплавление загрузки и выдержка расплава.
- •Затравление и разращивание прямого конуса.
- •Выращивание цилиндрической части слитка.
- •Приостановка процесса роста.
- •Выращивание обратного конуса.
- •Охлаждение слитка и выгрузка из камеры печи.
- •Контроль качества выращенного слитка и доводка до готовой продукции.
- •5. Технологические неоднородности состава кристаллов и методы их уменьшения.
- •6. Оборудование, используемое при выращивании монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •7. Управление технологическим процессом выращивания монокристаллического кремния методом Чохральского.
- •Выбор управляющих воздействий.
- •8. Статистический анализ процессов.
- •Диаграмма Ишикавы.
- •Диаграмма Парето.
- •8.1. Подбор оптимального режима выращивания монокристаллов кремния.
- •8.2. Корректировка режимов при переходе на новую технологическую оснастку.
- •Основные результаты и выводы.
Расплавление загрузки и выдержка расплава.
Цель - получение расплава кремния, который будет кристаллизоваться на затравочный кристалл определенной кристаллографической ориентации.
Расплавление загрузки на печах с дозагрузочным устройством производится в несколько этапов:
1) прогрев - плавный нагрев тигля с загрузкой до температуры, не меньшей, чем температура размягчения кварца для исключения растрескивания тигля и не большей, чем температура затравления для исключения разрыва тигля кремнием стекающим и кристаллизующимся в холодной части тигля;
2) плавление - резкое увеличение температуры нагревателя до значений, превышающих температуру плавления кремния для всех частей тигля;
3) доплавление - перед окончанием плавления, когда нерасплавленным останется кусок с диаметром 70-100мм сбрасывается ток нагревателя до уровня, превышающего ток затравления не более чем на 50А.
4) подготовка к дозагрузке - температуру нагревателя опускают ниже температуры затравления;
5) дозагрузка - дозагрузочное устройство быстро опускается как можно ближе к тиглю и дозагрузка высыпается на поверхность твёрдой фазы, находящейся в тигле. Затем вновь выполняются плавление и доплавление, а затем переходят к выдержке; если необходимо произвести ещё одну дозагрузку, то после окончания плавления цикл работ "подготовка-дозагрузка-плавление" повторяют нужное число раз, затем переходят к выдержке расплава;
6) выдержка - расплав выдерживается при температуре затравления в течение времени установленного технологом.
Затравление и разращивание прямого конуса.
Цель операции – получение монокристаллического слитка определенной кристаллографической ориентации, кристаллической структуры и диаметра.
Дефекты структуры, возникающие на стадии затравления, представляют собой дислокации, наследуемые из затравки. Для предотвращения размножения дислокаций в момент контакта холодной затравки с поверхностью расплава в результате теплового удара (термоудара) затравку перед погружением в расплав прогревают путем выдержки над ним до возможно более высоких температур. Сечение затравки должно быть минимальным, так как, во-первых, плотность дислокаций, наследуемых монокристаллом прямо пропорциональна отношению площадей сечения затравки и выращенного на ней монокристалла, во-вторых, термоудар в затравках малого сечения меньше, чем в затравках большого сечения. Протяженность зоны термоудара по длине затравки также тем меньше, чем меньше ее сечение.
После погружения конца затравки в расплав и оплавления его с целью удаления поверхностных дефектов приступают к операции выращивания так называемой «шейки», которая представляет собой тонкий и длинный монокристалл. Диаметр «шейки» не должен превышать линейного размера поперечного сечения затравки, обычно имеющего форму квадрата или треугольника. Длина шейки должна составлять несколько ее диаметров. Выращивание шейки осуществляют с большой линейной скоростью, что создает большие осевые градиенты температуры. Это способствует сильному пересыщению вакансиями области монокристалла вблизи фронта кристаллизации. В результате взаимодействия с вакансиями проросшие из затравки в шейку дислокации полностью вытесняются.
Операция затравления состоит из следующих этапов.
1. Подплавление самого кончика затравки для улучшения её смачивания расплавом. Перед подплавлением затравки её прогревают в течении 5 – 7 минут вблизи расплава для смягчения термоудара, затем касаются расплава и подплавляют её для улучшения смачивания. Изменением тока нагревателя подбирают температуру затравления (при нормальной температуре вокруг затравки образуется мениск, и затравка не отрывается от расплава).
2. Выращивание «шейки» для выхода дислокаций на поверхность. Выращивание оттяжки с большой линейной скоростью создаёт большие осевые градиенты температуры, и дислокации выходят на поверхность. Примерно через 50 мм шейка свободна от дислокаций, и можно приступать к разращиванию прямого конуса.
При несоответствии внешнего вида прямого (призатравочного) конуса требуемому (наличие "лишних" псевдорёбер, либо их отсутствие, нарушение бездислокацонного роста и т.п.) допускается расплавление выращенной части конуса с повторным затравлением.
После выращивания шейки скорость перемещения затравки уменьшают, устанавливают отрицательный наклон изменения температуры и добиваются разращивания конуса под таким углом, чтобы грани на конусе были с зеркальным верхом.
