- •1.Функция распределения Ферми-Дирака.
- •2. Распределения Ферми-Дирака для вырожденного электронного газа в металлах.
- •3. Внутренняя энергия и теплоемкость электронного газа в металле.
- •6. Эффект Джозсфсона.
- •Электроны в кристаллах. Энергетические зоны в кристаллах.
- •2.Зонная структура металлов, диэлектриков и полупроводников.
- •3. Собственная проводимость полупроводников.
- •4. Примесная проводимость полупроводников.
- •6. Контакт электронного и дырочного полупроводников (n-p переход) и его вольтамперная характеристика.
- •5. Контакт металла с полупроводником.
- •Классификация транзисторов
- •1. Состав, размер и характеристика атомного ядра. Работы Иваненко и Гейзенберга
- •2. Дефект массы и энергия связи.
- •3. Ядерные взаимодействия.
- •4. Радиоактивность. Радиоактивный распад.
- •1. Общие сведения.
- •Прямые ядерные реакции
- •Законы сохранения в ядерных реакциях
- •2. Реакция деления ядра. Цепная реакция деления.
- •3. Ядерная энергетика.
- •1. Классификация элементарных частиц
- •2. Четыре типа фундаментальных взаимодействий: сильное, электромагнитное, с лабое и гравитационное.
6. Эффект Джозсфсона.
ДЖОЗЕФСОНА ЭФФЕКТ - протекание сверхпроводящего тока через тонкую изолирующую или несверхпроводящую прослойку между двумя сверхпроводниками (т. н. джозефсоновский контакт). Эффект был теоретически предсказан Б. Джозефсоном (В. Josephson, 1962) [1]. Д. э. обнаруживается при изучении вольт-амперной характеристики (BAX) джозефсоновских контактов (ДК). При пропускании через ДК достаточно слабого тока напряжение на контакте отсутствует, т. е. ток является чисто сверхпроводящим (джозефсоновский ток). Его существование связано с неполным разрушением куперовских пар электронов (см. Купера эффект) при их прохождении через очень тонкую несверхпроводящую прослойку. Такой режим называется стационарным Д. э. (экспериментально обнаружен в 1963 [2]). При увеличении тока через контакт и достижении им нек-рой величины IC на контакте возникает напряжение. Значение критич. джозеф-соновского тока IС зависит от свойств контакта, темп-ры и магн. поля. Ток IС складывается из тока сверхпроводящих (спаренных) электронов, к-рый теперь становится переменным (его частота зависит от напряжения на контакте), и тока, обусловленного прохождением через прослойку нормальных (несверхпроводящих) электронов. Режим при токе IС наз. нестационарным Д. э.
Согласно теории
сверхпроводимости,
сверхпроводящие (спаренные) электроны
характеризуются единой волновой
функцией, фаза к-рой плавно
меняется вдоль сверхпроводника при
протекании по нему тока (фазовая
когерентность
сверхпроводящих электронов). При
прохождении сверхпроводящих электронов
через несверхпроводящую прослойку
фазовая когерентность
частично (в меру отношения толщины
прослойки к т. н. длине когерентности)
разрушается и протекание джозефсоновского
тока через прослойку сопровождается
скачком фазы волновой ф-ции сверхпроводящих
электронов на этой прослойке
-
фазы волновой ф-ции в сверхпроводниках
по обe стороны от прослойки. При этом
ток через контакт равен
Из ф-лы (1) видно,что джозефсоновский ток не может превышать IС.
Величина IС и механизм прохождения электронов через прослойку зависят от типа прослойки. Одним из типичных примеров ДК является туннельный контакт, состоящий из двух одинаковых или разл. сверхпроводников (обычно в виде тонких плёнок), разделённых очень тонким слоем диэлектрика, напр. слоем окисла материала одного из сверхпроводящих электродов. Протекание тока через прослойку в этом случае обусловлено квантовым туннелированием электронов (см. Туннельный эффект) через непроводящий барьер. Для получения измеримого джозефсоновского тока толщина изолирующей прослойки должна быть ок. 10-20 А. На рис. для примера изображена типичная BAX для туннельного контакта из одинаковых сверхпроводников. Стрелками показано направление изменения тока. Если увеличивать ток, то происходит описанный выше переход из стационарного в нестационарный режим Д. э. При уменьшении тока нестационарный Д. э. может сохраниться до значений тока, меньших критического (т. е. туннельный контакт проявляет гистерезис).
Вольт-амперная характеристика (BAX) туннельного контакта Sn- Sn при температуре 1,4 К (прослойка - плёнка оксида олова).
При нестационарном Д. э. разность фаз на контакте зависит от времени:
где V - напряжение на контакте, е - заряд электрона. Ур-ние (2) является следствием Шрёдингера уравнения для волновой ф-ции пары сверхпроводящих электронов при наличии постоянной потенц. энергии 2eV и не связано с наличием прослойки, а имеет общий характер. Частота w сверхпроводящего тока через контакт определяется соотношением:
Соотношения (2) и (3) называются соотношениями Джозефсона.
Нестационарный
Д. э можно рассматривать также как
прохождение сверхпроводящих электронов
через прослойку, сопровождающееся
изменением их энергии на величину 2eV
в расчёте на каждую куперовскую пару.
При этом процессе испускаются кванты
эл.- магн. излучения с частотой
,
связанной с изменением энергии
соотношением (3). T. о., при нестационарном
Д. э. контакт, находящийся при пост.
напряжении, генерирует перем.
сверхпроводящий ток. Имеет место и
обратный процесс: при облучении
джозефсоновского контакта СВЧ-излучением
с частотой
,
удовлетворяющей условию
(п - целое число), прохождение сверхпроводящих электронов через контакт происходит с поглощением п фотонов внеш. поля, что приводит к появлению дополнит. тока через контакт, т. е. к возникновению на BAX участков с нулевым дифференциальным сопротивлением. Наблюдение таких участков и явилось первым косвенным обнаружением нестационарного Д. э. в 1963 [3]. Прямое наблюдение генерации СВЧ-излучения джозефсоновским контактом, находящимся под пост. напряжением, было осуществлено в 1965 [4].
Кроме туннельных структур джозефсоновские контакты могут представлять собой т. н. слабосвязанные сверхпроводники, т. е. два сверхпроводника, соединённых узким и коротким сверхпроводящим или нормальным "мостиком", тонкой прослойкой нормального металла либо с помощью точечного контакта. Аналог нестационарного Д. э. наблюдается также в очень узких однородных сверхпроводящих проволочках, где джозефсоновская генерация возникает при пропускании достаточно большого тока. Совокупность явлений, связанных с Д. э. в разл. системах, носит назв. слабой сверхпроводимости [5,6,7].
Д. э. подтверждает осн. концепцию совр. теории сверхпроводимости - наличие единой волновой ф-ции и фазовой когерентности спаренных электронов в сверхпроводящем состоянии. По своей доступности эксперим. исследованию Д. э. представляет собой одну из уникальных возможностей изучать проявления квантовых свойств микромира в макроскопич. масштабе.
Д. э. используют в
целом ряде криогенных приборов.
Соотношение (1) является основой практич.
использования стационарного Д. э. в т.
н. сверхпроводящих квантовых интерферометрах
(сквидах).
ДК могут применяться в качестве
генераторов и -детекторов СВЧ-диапазона.
Свойство ДК переключаться с нулевого
на конечное напряжение при превышении
током критич. значения в совокупности
с малой ёмкостью позволяет использовать
их в качестве быстродействующих логич.
элементов ЭВМ [7, 8]. Соотношение (4) может
использоваться для уточнения
фундаментальных физических
констант и создания стандартов
напряжения. На основе Д. э. совр. методами
измерено отношение
=4,83594000*1014
Гц/В с погрешностью 2*10-8, что
позволяет создать стандарт вольта с
погрешностью ~10-9.
Зонная теория твердых тел
