Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:ответы_ке.doc
X
- •1. Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов
- •2. Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Ненасыщенный биполярный ключ
- •3. Биполярный насыщенный ключ с динамической нагрузкой: схема, принцип работы, характеристики
- •Основные параметры фоторезисторов
- •4. Насыщенный биполярный ключ. Схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Транзистор в режиме насыщения
- •Транзистор в режиме отсечки
- •Передаточная характеристика
- •5. Фоторезисторы: устройство, принцип работы, основные параметры и характеристики
- •6. Светодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Основные параметры
- •8. Оптоволоконные кабели: виды, основные параметры Строение оптокабеля
- •Параметры оптокабеля:
- •Виды кабелей:
- •Параметры передачи данных
- •Виды кабелей по месту прокладки:
- •9. Фотодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Класификация
- •Вольт-амперная характеристика
- •10. Полупроводниковые диоды: устройство, принцип действия.
- •Принцип работы
- •11. Стабисторы: принцип работы, параметры и характеристики
- •12. Полупроводниковый стабилитрон: принцип действия, параметры и характеристики
- •Параметры
- •Примеры характеристик
- •13. Диоды Шоттки: устройство, принцип действия, основные параметры
- •Свойства диодов Шоттки
- •14. Импульсный режим работы полупроводникового диода
- •15. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, режимы работы, система параметров и характеристик.
- •16. Схемы включения биполярных транзисторов, их параметры и характеристики.
- •17. Полевые транзисторы с индуцированным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
- •Предельные эксплуатационные параметры
- •19. Полевые транзисторы с встроенным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики
- •20. Полевые транзисторы с управляющим p/n переходом и каналом n-типа: устройство, принцип действия, управляющая характеристика
- •21. Основные этапы производства интегральных микросхем
- •22. Цифровые интегральные микросхемы: статические и динамические параметры
- •23. Интегральные микросхемы – преобразователи уровней.
- •24. Элементы ттл с открытым коллектором: схемотехника, принцип действия, параметры
- •25. Элементы ттл с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия, параметры Элемент с тремя состояниями выхода
- •26. Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика технология ттлш с пониженной мощностью потребления
- •27. Инвертор кмоп: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики
- •Элемент не кмоп
- •2 8. Базовый логический элемент ттл: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики
- •29. Разновидности технологий ттлш
- •Разновидности Серии ттл-микросхем зарубежного производства
- •Серии ттл-микросхем отечественного производства
- •30. Кмоп элементы „и”, „или”: схемотехника, принцип работы
- •Элемент 2и
- •Элемент 2или
- •31. Элементы кмоп с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия
- •32. Способы организации соединений в плис
- •33. Lut: назначение, принцип работы
- •34. Двунаправленный элемент ввода/вывода плис: схемотехника, принцип работы
- •Пример схемы блока ввода-вывода
- •35.Cpld, fpga: особенности функциональных схем
- •1)Конструкция, параметры и характеристики переменных и подстроечных резисторов
- •2. Конструкция, параметры и характеристики термисторов
- •3. Конструкция, параметры и характеристики варисторов
- •4. Конструкция, параметры и характеристики магниторезисторов
- •5. Какая из схем включения транзистора имеет:
- •6.Привести международную систему обозначений параметров биполярных транзисторов
- •7.Привести международную систему обозначений параметров полевых транзисторов
- •8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)
- •9.Привести примеры схем устройств с фотодиодами
- •10. Привести примеры схем устройств с оптопарами
- •11. Пример плис cpld
- •12. Пример плис fpga
12. Пример плис fpga
Для хранения конфигурационной информации ПЛИС, выполненных по технологии SRAM, используются последовательные ПЗУ.
При необходимости загрузки ПЛИС большой емкости используется каскадное включение нескольких ПЗУ. На рис.2.29 приведена схема включения конфигурационных ПЗУ и ПЛИС семейств FLEX6000, FLEX10K, АРЕХ20К фирмы Altera. Все резисторы имеют номинал 1 кОм.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
