Легирование

Свойство полупроводников, которое делает их наиболее полезным для создания электронных приборов, является то, что их проводимость может быть легко изменена введением примесей в их кристаллическую решетку. Процесс добавления примесей в полупроводник известен как легирование. Количество примеси или легирующего элемента, добавленного к собственному (чистому) полупроводнику меняет уровень его проводимости. Легированные полупроводники часто называются примесными.

Легирующие элементы

Материалы, которые выбираются в качестве легирующего элемента, зависят от атомных свойств и легирующего элемента, и материала, который должен быть легирован. В общем, легирующие элементы, которые производят желаемые управляемые изменения классифицируются как акцепторы элекронов или доноры. Атом - донор, который активизируется, отдает слабо-связанные валентные электроны материалу, создавая избыточные отрицательные носители заряда. Эти слабо-связанные электроны могут двигаться в кристаллической решетке сравнительно свободно и могут облегчать электропроводимость в присутствии электрического поля. И наоборот, активизированный акцептор оставляет дырку. Полупроводники, легированные донорными примесями, называются полупроводниками n-типа, а легированные акцепторными примесями известны как полупроводники р-типа. Обозначения n и p-типы указывают на то какой носитель заряда выступает в качестве основного носителя в материале. Противоположный носитель называется неосновным носителем, который существует в результате термического возбуждения в гораздо более низкой концентрации по сравнению с основным носителем.

Например, чистый полупроводник кремний имеет четыре валентных электрона. Для кремния наиболее подходящими легирующими элементами являются 13 группа (известная как группа III) и 15 группа по ИЮПАК (известная как группа V). Все элементы 13 группы содержат три валентных электрона, что заставляет их вести себя как акцепторы при легировании кремния. Элементы группы 15 имеют пять валентных электронов, которые позволяют им действовать как доноры. Следовательно, кристалл кремния, легированный бором, создает дырочный полупроводник, а легированный фосфором полупроводник с электронной проводимостью.

Концентрация носителей заряда

Концентрация легирующих элементов, введенных в собственный полупроводник определяет его концентрацию и косвенно влияет на многие его электрические свойства. Важнейший фактор, на который непосредственно влияет легирование – концентрация носителей заряда в материале. В беспримесном полупроводнике при тепловом равновесие концентрация электронов и дырок одинакова. То есть n = p = n_i .

Где n - концентрация проводящих электронов, p - концентрация дырок, и n_i – концентрация носителей в чистом материале. Концентрация носителей в собственном полупроводнике изменяется в зависимости от материала температуры. n_i кремния приблизительно 1×10¹⁰ см^-3 при 300 кельвинах (комнатная температура).

В общем, увеличение концентрации примеси позволяет увеличить электропроводность в связи с более высокой концентрацией носителей заряда, доступных для проводимости. Сильно легированные полупроводники имеют уровнень проводимости, сравнимый с металлами, они часто применяются в современных интегральных схемах в качестве замены металла. Надстрочные индексы плюс и минус часто используются для обозначения относительной концентрации примеси в полупроводниках. Например, n ⁺ обозначает полупроводник n-типа с высокой концентрацией примеси. Аналогично, p ⁻ указывает на слегка легированный материал с дырочной электропроводимостью. Также необходимо отметить, что даже высокие уровни легирования подразумевают низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику. В собственном кристаллическом кремнии приблизительно 5×10²² атомов/см³. Концентрация примеси для кремниевых полупроводников может варьироваться от 10¹³ см^-3 до 10¹⁸ см^-3. Концентрация примеси свыше 10¹⁸ см^-3 считается высокой при комнатной температуре. Высоколегированный кремний содержит соотношение примеси к кремнию как частей на тысячу. Это соотношение может быть уменьшено до частей на миллиард в слегкалегированном кремнии. Типичные значения концентрации находятся в этом диапазоне и приспособлены, чтобы воплотить желаемые свойства в приборе, для которого этот полупроводник предназначен.