4.4 Самостоятельное изучение разделов дисциплины

Таблица 5 - Самостоятельное изучение разделов дисциплины

№ раздела	Вопросы, выносимые на самостоятельное изучение	Количество часов
1	Сферы применения микроэлектронных систем. Социальные последствия микроминиатюризации электронных средств.	5
4	Состав, функциональная схема, алгоритм функционирования арифметико-логического устройства	5
5	Современные типы флэш – памяти и области ее применения. Внешняя память типа DVD -R, DVD-ROM, DVD-RAM, CD-DVD.	5
5,6	Программистская модель микропроцессора Intel i86.Основные команды и директивы микропроцессора Intel i86.	5
6	Многоядерные микропроцессоры: обзор современных направлений и производителей. Суперкомпьютеры: описание, применение, перспективы развития Энергосберегающие компьютеры – актуальное направление развитие микропроцессорной техники	7
	Всего	27

5 Образовательные технологии

5.1 Интерактивные образовательные технологии, используемые в аудиторных занятиях

Удельный вес занятий, проводимых в интерактивных формах, должен составлять не менее 70 процентов от всего объема аудиторных занятий.

Таблица 6 - Интерактивные образовательные технологии, используемые в аудиторных занятиях

Семестр	Вид занятия (Л, ПР, ЛР)	Используемые интерактивные образовательные технологии	Количество часов
2	Л	1.Чтение лекций с использованием мультимедийного оборудования; 2.Активная учебная лекция; 3. Лекция-визуализация;	18
	ЛБ	Тестирование и анализ алгоритма функционирования микроэлектронных устройств с помощью ПП Work Bench для проверки результатов лабораторной работы на стендах	18
Итого:			36

6 Оценочные средства для текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации

6.1 Образцы тестов для проведения текущего контроля

Тест 1. Какое из приведенных утверждений правильное?

Варианты ответа:

а) электронно-дырочный переход – это слой, обедненный носителями заряда;

б) электронно-дырочный переход – это слой, обогащенный носителями заряда.

Тест 2. Какой из приведенных пробоев является необратимым?

Варианты ответа:

а) лавинный;

б) туннельный;

в) тепловой.

Тест 3. Какая схема включения биполярного транзистора обеспечивает наибольшее усиление мощности? Почему?

Варианты ответа:

а) схема с общим коллектором;

б) схема с общим эмиттером;

в) схема с общей базой.

Тест 4. Какой из приведенных униполярных транзисторов используется в основном в цифровой технике?

Варианты ответа:

а) с управляющим p-n переходом;

б) МДП структуры с индуцированным каналом;

в) МДП структуры со встроенным каналом.

Тест 5. В каком режиме работает транзисторный каскад, если рабочая точка расположена на крутом участке выходной ВАХ?

Варианты ответа:

а) ключевой; б) усилительный;

Тест 6. Какие вопросы рассматриваются в дисциплине основы электроники?

Варианты ответа:

а) схемотехнические;

б) системотехнические;

в) физико-технические и конструкторско-технологические.

Тест 7. Как представляется в зонной теории энергетическое состояние полупроводникового материала?

Варианты ответа:

а) временными диаграммами;

б) уровнями энергии;

в) зонами энергии и уровнями энергии.

Тест 8. Какой диапазон изменения удельного сопротивления характерен для полупроводниковых материалов

Варианты ответа:

а) 3 порядка;

б) 14 порядков;

в) 10 порядков.

Тест 9. Чем отличаются собственные и примесные полупроводники?

Варианты ответа:

а) удельной проводимостью;

б) количеством электричества;

в) кристаллической структурой.

Тест 10. Как формируется р-n- переход?

Варианты ответа:

а) механическим соприкосновением двух полупроводников;

б) вжиганием одного полупроводникового материала в другой;

в) методом сплавления или дифузионным способом;

Тест 11. Чем обусловлен процесс диффузии носителей заряда в полупроводнике?

Варианты ответа:

а) средней скоростью движения носителей заряда;

б) градиентом концентрации носителей заряда ;

в) воздействием электрического поля.

Тест 12. Чем обусловлены процесс дрейфа носителей заряда в полупроводнике?

Варианты ответа:

а) воздействием электрического поля;

б) градиентом концентрации носителей заряда;

в) подвижностью носителей заряда.

Тест 13. Что представляет собой вольтамперная характеристика диода?

Варианты ответа:

а) зависимость статического сопротивления диода от напряжения на диоде;

б) зависимость тока через диод от напряжения на диоде;

в) зависимость динамического сопротивления диода от тока через диод;

Тест 14. Что представляет собой выходная вольтамперная характеристика n-p-n биполярного транзистора, включенного по схеме «общая база»?

Варианты ответа:

а) зависимость динамического выходного сопротивления транзистора от тока коллектора;

б) зависимость базового тока от напряжения на переходе коллектор – база;

в) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор – база.

Тест 15. Какая структура МДП-транзистора?

Варианты ответа:

а) планарная;

б) диффузионная ;

в) эпитаксальная .

Тест 16. Чем отличаются микроэлектронные изделия «интегральная микросхема» и «чип»?.

Варианты ответа:

а) функциональной сложностью;

б) количеством выводом;

в) ничем не отличаются;

Тест 17. Какое основное отличие МДП-транзистора с индуцированным каналом от МДП-транзистора со встроенным каналом?

Варианты ответа:

а) длина канала ;

б) проводимость и ширина канала;

в) способ образования канала;

Тест 18. Назовите существенное преимущества биполярного транзистора с диодом Шоттки.

Варианты ответа:

а) небольшой ток коллектора в режиме насыщения;

б) высокое быстродействие при включении и выключении;

в) очень низкое напряжение насыщения.

Тест 19. Микропроцессор – это?

Варианты ответа:

а) СБИС;

б) БИС;

в) ГИС.