- •29.Закон Кирхгофа
- •30.Закон Стефана-Больцмана
- •36.Уравнение Эйнштейна для фотоэфекта.
- •69.Заполнение зон в металлах, диэлектpиках и полупpоводниках.
- •70.Собственная пpоводимость полупpоводников
- •71.Пpимесная пpоводимость полупpоводников
- •79.Заряд, размер и масса атомного ядра.
- •75.Спонтанное излучение.
- •76.Люминесценция.
- •78.Пpинцип pаботы квантового генеpатоpа
- •81.Дефект массы и энергия связи ядра.
69.Заполнение зон в металлах, диэлектpиках и полупpоводниках.
Металлы
первого
рода имеют
частично заполненную электронами зону
проводимости При температуре абсолютного
нуля (Т=0)
металлы (рис. 2, а)
проводят электрический ток, поскольку
в зоне проводимости имеются свободные
энергетические уровни, на которые могут
переходить электроны при приложении
внешнего электрического поля. В
металлах
второго
рода наблюдается
перекрытие зоны проводимости и валентной
зоны. Если зона проводимости полностью
свободна от электронов, то вещество
является полупроводником или диэлектриком.В
полупроводниковых
материалах
при Т=0
все электроны находятся на энергетических
уровнях валентной зоны. Энергии внешнего
электрического поля Е, приложенного к
полупроводнику, недостаточно для
"переброса" носителей заряда в
зону проводимости на разрешенные
энергетические уровни этой зоны (рис.
2, б). При Т=0 полупроводник является
изолятором. При Т>0 электроны, находящиеся
на уровнях валентной зоны,
приобретают дополнительную тепловую
энергию. Появляется вероятность перехода
некоторых из них в зону проводимости.
Проводимость полупроводника растет с
температурой по закону=o
exp(-Wg
/2kTгде
- постоянный коэффициент, имеющий
размерность проводимости; k=8.6210-5
эВ/К
- постоянная Больцмана; Wg
-
ширина запрещенной зоны полупроводника.В
зонной теории энергию W принято измерять
в электрон-вольтах (эВ). Для перевода
значения энергии из джоулей в эВ следует
правую часть выражения (1.7) умножить на
коэффициент 1,6×10-19,
поскольку 1 эВ=1,6×10-19
Дж. Диэлектрические
материалы в
отличие от полупроводников характеризуются
большой шириной запрещенной зоны (Wg>3
эВ). Поэтому диэлектрики практически
не проводят электрический ток вплоть
до температур 450... 500 К. Дальнейший рост
температуры ведет к незначительному
увеличению электропроводности.
70.Собственная пpоводимость полупpоводников
В идеальном кристалле
ток создается равным количеством
электронов и «дырок». Такой тип
проводимости называют собственной
проводимостью полупроводников.При
повышении температуры (или освещенности)
собственная проводимость проводников
увеличивается. Электроны проводимости
и дырки - два типа свободных носителей
заряда в полупроводниках. В идеальных
кристаллах их концентрации равны, т.к.
превращение одного из валентных
электронов в электрон проводимости
неизбежно вызывает появление дырки.
Проводимость σ полупроводников,
обусловленная электронами атомов
данного вещества (так называемая
собственная проводимость), определяется
следующим выражением:
где
е — элементарный заряд, n
— концентрация
носителей заряда, μ — подвижность
носителей заряда, равная отношению
скорости направленного движения,
вызванного электрическим полем (дрейфовой
скоростью) νдр,
к напряженности поля Е.
71.Пpимесная пpоводимость полупpоводников
.На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей валентностью. Например – пятивалентный мышьяк и четырехвалентный кремниий.При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость становится электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником р-типа.
74.Полупpоводники
p- и n- типа. Контактные явления
1)
акцепторные
примеси
(принимающие) - создают "дырки",
забирая в себя электроны. Такой
полупроводник обладает дырочной
примесной проводимостью.
Это
полупроводники "p"-
типа, т.е.
полупроводники с акцепторными примесями,
где основной носитель заряда - дырки, а
неосновной - электроны. Пример –
трехвалентный индий и четырехвалентный
гер маний.2) донорные
примеси
(отдающие) - являются дополнительными
поставщиками электронов в кристаллы
полупроводника, легко отдают электроны
и увеличивают число свободных электронов
в полупроводнике. Такой полупроводник
обладает электронной примесной
проводимостью.Это проводники " n "
- типа, т.е. полупроводники с донорными
примесями, где основной носитель заряда
- электроны, а неосновной - дырки. Пример
– пятивалентный мышьяк и четырехвалентный
германий
