4.3.3 Материалы разрывных контактов.
Разрывные контакты периодически замыкаются и размыкаются. При этом между контактными площадками образуется электрическая дуга. Возникновение дуги ведет к росту температуры, а, следовательно, к снижению механической прочности, окислению материала контактов, появляется вероятность их сваривания, а также возможна эрозия материала.
Для того чтобы материал разрывных контактов надежно работал, он должен удовлетворять следующим требованиям:
иметь высокую электропроводность;
быть устойчивым к коррозии;
иметь высокую температуру плавления;
быть твердым;
иметь высокую теплоту испарения;
обладать высокой теплопроводностью.
Кроме того, материал должен быть дешевым и недефицитным.
Удовлетворить всем эти требования одновременно невозможно, поэтому в каждом конкретном случае выбор материала разрывных контактов является достаточно сложной задачей. Рассмотрим примеры выбора материалов разрывных контактов для некоторых случаев.
Для малоответственных разрывных контактов (бытовые выключатели) в качестве материала обычно выбирают латунь – сплав меди с цинком. Наличие в сплаве цинка приводит к повышению механической прочности и росту коррозионной стойкости
Для ответственных контактов работающих при малых напряжениях и коммутирующих малые токи (контакты маломощных реле) используют серебро.
В тех случаях, когда рабочее напряжение на контактах велико, на токи не большие используют металлы платиновой группы (платину, палладий, иридий, осмий, рутений и родий). При коммутации больших токов, когда нагрев контактов велик, используют композиционные материалы (порошки вольфрама или молибдена пропитанные жидкой медью или серебром). Для мощных контактов также используют металлокерамические композиции – серебро и окись кадмия (СОК). При разработке последнего материала учтен тот факт, что при нагреве выше 900С окись кадмия диссоциирует на пары кадмия и кислород. Давление в дуге возрастает, длина пробега ионов сокращается и дуга гаснет. При снижении температуры пары кадмия взаимодействуют с кислородом, и окись кадмия конденсируется на контакте. Таким образом, время работы контакта резко увеличивается.
4.3.4 Материалы скользящих контактов.
В
основном, к материалам скользящих
контактом предъявляются те же требования,
что и к материалам разрывных контактов.
Однако особенно остро ставится вопрос
об уменьшении износа при трении. Для
снижения износа трения можно повысит
твердость материала контактирующих
пар и использовать смазку. Естественно,
что смазка должна быть электропроводной.
Для коллекторов электрических моторов используют холоднодеформированную медь, а для щеток используют графит. Для тяжелонагруженных машин для изготовления щеток используют металлографитовые щетки – медно-графитовые и бронзо-графитовые.
5. Полупроводниковые материалы
Полупроводниками принято называть вещества, электропроводность которых обусловлена перемещением электронов, возбужденных внешними энергетическими воздействиями (нагрев, облучение светом, наложение сильного электрического поля и т.д.). При рассмотрении раздела «Элементы зонной теории твердых тел» мы отмечали, что у полупроводников зона проводимости отделена от валентной зоны зоной запрещенных значений энергии. При поглощении валентным электроном кванта энергии большего и равного ширине запрещенной энергетической зоны, электрон переходит в свободную энергетическую зону и получает возможность перемещаться – менять свою энергию. После ухода электрона из валентной зоны в ней остается незанятое место - дырка. Таким образом, при возбуждении атома в нем появляются два носителя заряда противоположных знаков: электрон и дырка. Очевидно, что для того, чтобы электрон покинул валентную зону и перешел в свободную зону нужно повышение его энергии. Чем выше температура полупроводника, тем более вероятна флуктуация энергии и перескок электрона из валентной зоны в свободную.
Обозначим концентрацию электронов n0i, а концентрацию дырок p0i. Индекс i (от слова intrinsic – собственный, присущий) у концентрации электронов и дырок означает, что это собственные носители заряда. В результате процессов возбуждения и рекомбинации при любой температуре устанавливается равновесная концентрация носителей заряда: электронов
(5.0)
и дырок
(5.0)
где: n0i - концентрация электронов, p0i- концентрация дырок, W -ширина запрещенной зоны. Коэффициент 2 показывает, что на каждом энергетическом уровне могут быть два электрона.
Проводимость полупроводников будет равна:
(5.0)
где: п – подвижность электронов, а р – подвижность дырок.
Подвижность электронов и подвижность дырок неодинаковы. Хотя по своей сути, перемещение дырки является перемещением электрона, но движение дырки - это перемещение валентного электрона от одного атома к другому. Валентный электрон сильнее взаимодействует с ядрами атомов, чем оторвавшийся от атома свободный электрон. Поэтому подвижность дырок при собственной электропроводности полупроводников ниже, чем подвижность электронов, и собственная проводимость собственных полупроводником носит слабо выраженный электронный характер.
Д
ля
большинства полупроводниковых приборов
используются примесные полупроводники,
то есть полупроводники содержащие
небольшие количества примесей. Роль
примесей могут играть также дефекты
кристаллической решетки – вакансии,
дислокации, границы зерен, поры, трещины.
Если валентность атома примеси и атомов основного материала отличаются, то атомы примесей будут являться источниками свободных электронов или дырок. Избыток электронов на валентной оболочке атома примеси приведет к появлению дополнительных электронов, а недостаток электронов на валентных электронных оболочках атомов приведет к появлению дырок. Атомы примесей, поставляющих в свободную зону свободные электроны, принято называть донорами, а атомы – поставляющие дырки – акцепторами. Влияние примесей на энергетические зоны полупроводников показано на рис. 52.
Те носители заряда, концентрация которых в данном полупроводниковом материале выше, называют основными, а те, концентрация которых ниже, - неосновными. При наличии в полупроводнике атомов примесей – доноров, основ0ными носителями заряда будут являться электроны, и такие материалы называют полупроводниками n-типа. Полупроводниковый материал, легированный атомами акцепторов, называют полупроводником p-типа. При контакте полупроводников p-типа и n-типа появляются p-n переходы – основа всех полупроводниковых приборов.
Свойства полупроводников проявляют многие материалы. Среди этих материалов встречаются как элементарные полупроводники: кремний, германий, селен и др., так и химические соединения: карбид кремния, сульфиды и селениды различных металлов, арсениды, фосфиды и антимониды, а также окислы металлов.